1.一种功率模块的制备方法，其特征在于，包括：
在基板的正侧形成隔离槽，以将所述基板划分为隔离的第一区域和第二区域；
在所述第一区域上形成高功率器件，所述高功率器件包括MOSFET、IGBT和快速恢复二极管；
在所述第二区域上形成低功率器件，所述低功率器件包括高速集成控制电路；
在所述高功率器件和所述低功率器件之间形成邦定线。
2.根据权利要求1所述的功率模块的制备方法，其特征在于，还包括：
采用热硬性树脂材料对形成所述邦定线的基板进行半包封装或全包封装，以形成覆盖所述高功率器件、所述低功率器件和所述邦定线的封装外壳。
3.根据权利要求2所述的功率模块的制备方法，其特征在于，还包括：
在进行所述半包封装或所述全包封装前，形成伸出于所述封装外壳的所述高功率器件的引脚和所述低功率器件的引脚。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的功率模块的制备方法，其特征在于，在基板上形成隔离槽前，还包括：
将金属基材切割为指定尺寸的板材；
在所述板材的正侧依次形成绝缘层和图形化的电路布线，
其中，所述隔离槽与所述电路布线之间的最小距离为100微米。
5.根据权利要求4所述的功率模块的制备方法，其特征在于，在所述板材的正侧依次形成绝缘层和图形化的电路布线，具体包括以下步骤：
采用氧化工艺或淀积工艺在所述板材的正侧形成氧化层，作为所述绝缘层；
在所述氧化层的指定区域形成覆铜层；
对所述覆铜层进行图形化刻蚀，以形成所述电路布线，所述第一区域的电路布线的指定区域用于焊接高功率器件，所述第二区域的电路布线的指定区域用于焊接低功率器件。
6.根据权利要求2或3所述的功率模块的制备方法，其特征在于，还包括：
对形成所述封装外壳的基板进行绝缘耐压测试、静态功耗测试和延迟时间测试中的至少一种测试。
7.一种功率模块，其特征在于，包括：
基板的正侧依次复合有绝缘层和电路布线；
隔离槽，将所述基板划分为第一区域和第二区域；
高功率器件，设于所述第一区域上，所述高功率器件包括MOSFET、IGBT和快速恢复二极管；
低功率器件，设于所述第二区域上，所述低功率器件包括高速集成控制电路；
邦定线，连接于所述低功率器件和所述高功率器件之间。
8.根据权利要求7所述的功率模块，其特征在于，还包括：
封装外壳，全包封装或半包封装以覆盖所述高功率器件、所述低功率器件和所述邦定线。
9.根据权利要求8所述的功率模块，其特征在于，还包括：
高功率器件的引脚和低功率器件的引脚，伸出于所述封装外壳的外侧。
10.根据权利要求9所述的智能功率模块，其特征在于，还包括：
合金层，设于所述引脚的表层，所述合金层的厚度范围为0.1～10微米。
11.根据权利要求10所述的智能功率模块，其特征在于，
所述合金层的厚度为5微米。
12.根据权利要求7所述的智能功率模块，其特征在于，还包括：
绝缘层，形成于所述基板的正侧，所述绝缘层内掺杂有散热颗粒，所述散热颗粒的形状包括球形和角型；
图形化的电路布线，形成于所述绝缘层上，所述隔离槽与所述电路布线之间的最小距离为100微米，
其中，所述第一区域上的电路布线设有高功率器件，所述第二区域上的电路布线设有低功率器件。
13.根据权利要求7至12中任一项所述的智能功率模块，其特征在于，
所述邦定线的线宽范围为350～400微米。
14.根据权利要求7至12中任一项所述的智能功率模块，其特征在于，
所述电路布线的厚度为0.0175毫米或0.035毫米或0.07毫米。
15.一种电力电子设备，其特征在于，包括如权利要求7至14中任一项所述的功率模块。
16.根据权利要求15所述的电力电子设备，其特征在于，
所述电力电子设备为空调器。