1.一种锗基N型欧姆接触源漏电极的制作方法，其主要步骤如下：
(1)在重掺杂的N型锗半导体上定义出欧姆接触区与非欧姆接触区；
(2)沉积镍锡金属层，并进行剥离工艺形成源漏合金区域；
(3)在300-500度温度范围内进行合金，形成半金属化合物；
(4)采用光刻法定义源漏电极区域；
(5)采用电子束蒸发工艺蒸发金属镍/铝(20/200纳米)，并采用剥离工艺形成电极。
2.根据权利要求1所述的一种锗基N型欧姆接触源漏电极的制作方法，其特征在于在步骤(2)中沉积镍锡合金金属的方法为溅射，溅射功率为50-100瓦。
3.根据权利要求1所述的一种锗基N型欧姆接触源漏电极的制作方法，其特征在于在步骤(2)中沉积镍锡合金金属的厚度为5-15纳米。
4.根据权利要求1所述的一种锗基N型欧姆接触源漏电极的制作方法，其特征在于在步骤(2)中沉积镍锡合金金属中锡的比例为10％-20％。
5.根据权利要求1所述的一种锗基N型欧姆接触源漏电极的制作方法，其特征在于在步骤(3)中合金温度为400度，合金时间为3-10分钟。