一种Ge的N型欧姆接触制作方法与流程

技术总结
本发明公布了一种锗基N型欧姆接触源漏电极的制作方法，该方法的步骤如下：在重掺杂的N型锗半导体上定义出欧姆接触区与非欧姆接触区；在欧姆接触区蒸发金属镍锡金属，并进行剥离工艺；然后进行合金工艺，使得镍锡与N型锗半导体形成半金属化合物；最后制作源漏电极金属镍/铝金属。

技术研发人员：刘丽蓉;王勇;丁超
受保护的技术使用者：东莞市广信知识产权服务有限公司;东莞华南设计创新院
文档号码：201611072571
技术研发日：2016.11.29
技术公布日：2017.05.31