技术特征：
技术总结
本申请涉及半导体器件及其制造方法。在使用氮化物半导体的半导体器件中，防止MISFET具有降低的可控性，这在构成MISFET的栅极电极的钨膜具有拉伸应力时会发生。通过具有相对小的晶粒尺寸并且不具有拉伸应力的晶粒的钨膜，形成具有AlGN/GaN异质结的MISFET的栅极电极。钨膜的晶粒的晶粒尺寸小于构成栅极电极并形成在钨膜下方的势垒金属膜的晶粒的晶粒尺寸。
技术研发人员：中山知士;川口宏
受保护的技术使用者：瑞萨电子株式会社
技术研发日：2016.12.02
技术公布日：2017.07.28