技术特征：
技术总结
本发明提供了一种图像传感器的制备方法，包括：在衬底表面依次形成底部隔离层、第一层金属互连线、第一层隔离层和第一层隔离层中的第一层金属接触孔；再重复循环上述过程，直至形成N层隔离层以及相应层的金属互连线和金属接触孔；在第N层隔离层和第N层金属接触孔上依次形成第N+1层金属互连线和第N+1层隔离层；在对应于焊盘结构区域的第N+1层隔离层中刻蚀出初始焊盘结构，在对应于相邻像素分界处的第N+1层隔离层中刻蚀出隔离结构；在暴露的第N+1层金属互连线顶部形成金属电极；在初始焊盘结构中刻蚀出焊盘开口；在金属电极表面和暴露的第N+1层隔离层表面覆盖一层量子点薄膜。本发明的方法与CMOS工艺兼容，节约了成本。
技术研发人员：杨冰;周伟;胡少坚;耿阳;肖慧敏
受保护的技术使用者：上海集成电路研发中心有限公司;成都微光集电科技有限公司
技术研发日：2016.12.27
技术公布日：2017.08.18