技术特征：
技术总结
本发明公开了一种中温厚膜超晶格热电材料的生产方法，包括以下步骤：通过原子层沉积的方法，沿氧化铝纳米孔径向生长热电材料。热电材料从纳米孔的内壁共形覆膜开始生长，然后向纳米孔的中心径向逐层生长，形成厚膜超晶格热电材料。基础热电材料可以为PbTe或者PbSe或者PbTe/PbSe。本发明利用原子层沉积技术，以超高高宽比多孔氧化铝模板为基体，经由化学的方法快速合成中温量子阱厚膜超晶格热电材料，从而实现高优值，高热电转换效率。中温量子阱厚膜超晶格热电材料可以在非高真空的条件下快速生产，且具有设定的厚度和量子阱超晶格微结构，尤其适用于中温，即使用温度范围400‑700度。
技术研发人员：张洪国;马军涛;张凯;张坤
受保护的技术使用者：滁州玛特智能新材料科技有限公司
技术研发日：2016.12.28
技术公布日：2017.07.07