发光装置以及其制造方法与流程

本发明涉及一种发光装置及其制造方法，尤其是涉及一种包含多颗小粒径的波长转换粒子的发光装置及其制造方法。

背景技术：

固态发光元件中的发光二极管元件(light-emittingdiode；led)具有低耗电量、低发热量、操作寿命长、耐撞击、体积小以及反应速度快等特性，因此广泛应用于各种需要使用发光元件的领域，例如，车辆、家电、及照明灯具等。

要将led所发出的纯色光，转换成其他颜色的光有数种方式可采用。举例来说，可于led上覆盖一层波长转换层，例如荧光粉层来达到此目的。荧光粉是一种光致发光的物质，也可说是波长转换材料，它可以吸收led所发出的第一光线后发出不同于第一光的第二光线。若第一光线未被完全消耗，残留的第一光线与第二光线互相混合，可形成另一种颜色的混合光。

不过，在不同的视角下，led所发出的第一光线与被转换的第二光线互相混合的比例若是不同，混合光的色彩或色温分布便会有不均匀的现象产生。

技术实现要素：

本发明公开一种发光装置，包含一发光元件、一波长转换层以及一可透光元件。发光元件包含一顶面、一底面、多个侧面及一第一电性接点，其中顶面及底面通过多个侧面相互连结。第一电性接点形成在底面上。波长转换层包含一透明粘合剂及多颗波长转换粒子且至少覆盖发光元件的顶面。可透光元件包含一出光面且位于波长转换层之上。波长转换粒子的d50不大于10微米，其中d50的定义为波长转换粒子累积颗粒分布达到50％时所对应的粒径且波长转换层的厚度(t)与波长转换粒子的d50的比值介于6至20。

本发明公开一种发光装置的形成方法。先形成多个发光元件于一载板 上。接着，形成一波长转换片于多个发光元件上。形成一可透光层于波长转换片之上。可透光层包含一可透光接合层及一可透光基板。加热粘合该可透光接合层及一可透光基板。分离发光元件与暂时性基板。

附图说明

图1a为本发明一实施例的一种发光装置的剖视图；

图1b为图1a中波长转换层的局部放大图；

图1c为一实施例中视角对色座标标准差的关系图；

图2a至图2j为本发明一实施例的发光装置的制造流程图；

图3a至图3f为本发明另一实施例的发光装置的制造流程图；

图4为本发明另一实施例的一种发光装置的剖视图；

图5为本发明再一实施例的一种发光装置的剖视图；

图6为本发明再一实施例的一种发光装置的剖视图。

符号说明

100、100a、100b、100a’、100b’、400、500、600：发光装置

120、120a、120b、420、520、620：发光元件

121：顶面

122：成长基板

123：底面

124：发光叠层

125：侧面

126a、126a1、126a2、126b、126b1、126b2：电性接点

140、140a、140b、440、540、640：波长转换层

140’：波长转换片

142：透明粘合剂

143：延伸区

144：波长转换粒子

150、150a、150a1、150a2、150b、150b1、150b2：延伸垫

150a’、150b’：斜面

160、460、560、660：可透光元件

162、162a、162b：可透光接合层

162’：可透光接合胶

164、164a、164b、164’：可透光基板

180、180a、180b、180’：光反射层

220、280、290、320、350：暂时性基板

240、270、340：粘胶层

260、360：切割工具

450a、450b、550a、550b、650a、650b：电极垫

480、580、680：光反射围栏

570：可透光包覆层

682：侧壁

684：底部

a1：放大区块

d1、d2：波长转换粒子的粒径

t1：第一厚度

t2：第二厚度

具体实施方式

图1a为根据本发明一实施例所揭露的一发光装置100的剖视图。发光装置100包含发光元件120、一波长转换层140及一可透光元件160。波长转换层140覆盖发光元件120的部分表面，此外，可透光元件160位于波长转换层140之上。

在一实施例中，发光元件120包含一成长基板122、一发光叠层124以及电性接点126a、126b。其中，发光叠层124的一侧与成长基板122相连结，另一侧与电性接点126a、126b相连结。此外，发光元件120包含一上表面121、一下表面123及多个侧面125，顶面121及底面123通过侧面125连结。在一实施例中，发光元件120为倒装式发光二极管管芯(flipchipleddie)。在另一实施例中，成长基板122可以是蓝宝石(sapphire)基板，作为发光叠层124外延成长时的基板。此外，成长基板122的一外表面，也是发光元件120的上表面121，即为发光元件120的出光面。但成长基板122并非是限制本发明的特征，在另一实施例中，成长基板122可在制造发光装置100的后段制作工艺中移除或置换成其他基板(不同材料、不同结构、或不同形 状的基板)。在本实施例中，发光叠层124包含第一半导体层、活化层以及第二半导体层(未显示)。在一实施例中，第一半导体层可为n-型半导体层，第二半导体层可为p-型半导体层。在一实施例中，两电性接点126a及126b位在发光元件120的同一侧，作为发光元件120与外界电性连结的界面，且两电性接点126a及126b的外表面即为底面123的一部分。其中，电性接点126a及126b会分别与第一半导体层及第二半导体层电连接。此外，电性接点126a及126b可以突出于波长转换层140的底面(如图所示)、或与底面大约齐平(图未示)、或仅其中的一突出底面(图未示)。在另一实施例中，发光元件120为一垂直式发光二极管管芯(verticalleddie/chip)，电性接点126a及126b可分别形成在发光元件的两个相对侧，并分别与第一半导体层及第二半导体层电连接。

在一实施例中，发光元件120有四个侧面125，相对的侧面彼此大致上互相平行，亦即，由上视图观之，发光元件120为矩形或平行四边形。顶面121与底面123也大致互相平行。发光元件120可为一发光二极管管芯(leddie/chip)，例如但不限为蓝光发光二极管管芯或紫外(uv)光发光二极管管芯。在一实施例中，发光元件120为蓝光发光二极管管芯，可经由电源提供一电力而发出第一光线，第一光线的主波长(dominantwavelength)或峰值波长(peakwavelength)介于410nm至490nm之间。

波长转换层140可包含一透明粘合剂142以及多个分散于透明粘合剂124中的波长转换粒子144，其中波长转换粒子144可吸收发光元件120发出的第一光线，并将其转换成与第一光线波长或频谱相异的第二光线。在一实施例中，波长转换粒子144吸收第一光线(例如，蓝光或uv光)后被激发出来的第二光线为黄光，其主波长或峰值波长介于530nm至590nm之间。另一实施例中，波长转换粒子144吸收第一光线(例如，蓝光或uv光)后被激发出来的第二光线为黄绿光，其主波长或峰值波长介于515nm至575nm之间。其他实施例中，波长转换粒子144吸收第一光线(例如，蓝光或uv光)后被激发出来的第二光线为红光，其主波长或峰值波长介于590nm至660nm之间。

波长转换层140可包含单一种类或多种的波长转换粒子144。在一实施例中，波长转换层140包含可发出黄光的波长转换颗粒。另一实施例中，波长转换层140包含可发出黄绿光及红光的多种波长转换颗粒。

透明粘合剂142可将波长转换颗粒144分散于空间中，且可固定波长转换粒子144彼此间的相对位置，并传导波长转换粒子144产生的热。调整透明粘合剂124与波长转换粒子144的重量比可以改变波长转换粒子144在波长转换层140中的浓度。波长转换粒子144的浓度越高，可将更多来自发光元件100的光线转换成另一种光线(转换比例越高)。此外，在一实施例中，当波长转换粒子144于波长转换层140中的重量百分比在70％以下时，波长转换粒子144于波长转换层140中的重量百分比越高，散射光线的效果越显著。但波长转换粒子144的浓度若太高则表示透明粘合剂142含量太少，可能无法有效固定波长转换粒子144。在一实施例中，波长转换粒子144于波长转换层140中的重量百分比在70％以下。在另一实施例中，波长转换粒子144于波长转换层140中的重量百分比在30％～60％。波长转换粒子144在上述的重量百分比范围中可得到较佳的转换比例及散射效果，且可被有效地被固定在空间中的位置。此外，为了让激发波长转换粒子144的第一光线以及波长转换粒子144发射的第二光线能有较高的出光效率，透明粘合剂142具有对第一光线及第二光线有较高的穿透率者为佳，例如穿透率大于80％、90％、95％或99％。

透明粘合剂142的材料可为热固化树脂，热固化树脂可为环氧树脂或硅树脂。在一实施例中，透明粘合剂142为硅树脂，硅树脂的组成可根据所需的物理性质或光学性质的需求做调整。一实施例中，透明粘合剂142含有脂肪族的硅树脂，例如，甲基硅氧烷化合物，并具有较大的延展性，较可以承受发光元件110产生的热应力。另一实施例中，透明粘合剂142含有芳香族的硅树脂，例如，苯基硅氧烷化合物，并具有较大的折射率，可以提高发光元件110的光萃取效率。透明粘合剂142的折射率与发光元件110出光面的材料的折射率相差越小，出光的角度越大，光萃取(lightextraction)的效率可更加提升。在一实施例中，发光元件120出光面的材料为蓝宝石(sapphire)，其折射率约为1.77，透明粘合剂142的材料为含有芳香族的硅树脂，其折射率则大于1.50。

波长转换粒子144的粒径大小可用d50表示，其中d50的定义为波长转换粒子144累积粒子分布达到50％时所对应的粒径。在一实施例中，波长转换粒子144的d50不大于10微米(μm)。在另一实施例中，波长转换粒子144的d50介于于1微米至8微米之间。波长转换粒子144若大于10微 米，则波长转换粒子144对第一光线及第二光线的散射不理想，如此第一光线及第二光线的混光不佳。因此，在不同的视角下会产生混合光的色彩分布不均匀的现象。波长转换粒子144若小于1微米，则波长转换粒子144的波长转换效率较低，需使用更多的波长转换粒子144，如此会产生过多的散射，造成光在透明粘合剂142行进中的能量损耗。在一实施例中，当波长转换粒子144于波长转换层140中的重量百分比在70％以下，若波长转换粒子144的d50介于1微米至8微米之间，波长转换粒子144对光线的散射效果尤佳。

波长转换粒子144的材料可包含无机的荧光粉(phosphor)、有机分子荧光色素(organicfluorescentcolorant)、半导体材料(semiconductor)、或上述材料的组合。半导体材料包含纳米尺寸结晶体(nanocrystal)的半导体材料，例如量子点(quantum-dot)发光材料。在一实施例中，波长转换粒子144的材料为荧光粉，其可选自于由y3al5o12：ce、gd3ga5o12：ce、lu3al5o12：ce、(lu、y)3al5o12：ce、tb3al5o12：ce、srs：eu、srga2s4：eu、(sr、ca、ba)(al、ga)2s4：eu、(ca、sr)s：(eu、mn)、(ca、sr)s：ce、(sr、ba、ca)2si5n8：eu、(sr、ba、ca)(al、ga)sin3：eu、caalsion：eu、(ba、sr、ca)2sio4：eu、(ca、sr、ba)si2o2n2：eu、k2sif6：mn、k2tif6：mn、及k2snf6：mn所组成的群组。半导体材料可包含ii-vi族半导体化合物、iii-v族半导体化合物、iv-vi族半导体化合物、或上述材料的组合。量子点发光材料可选自于由硫化锌(zns)、硒化锌(znse)、碲化锌(znte)、氧化锌(zno)、硫化镉(cds)、硒化镉(cdse)、碲化镉(cdte)、氮化镓(gan)、磷化镓(gap)、硒化镓(gase)、锑化镓(gasb)、砷化镓(gaas)、氮化铝(aln)、磷化铝(alp)、砷化铝(alas)、磷化铟(inp)、砷化铟(inas)、碲(te)、硫化铅(pbs)、锑化铟(insb)、碲化铅(pbte)、硒化铅(pbse)、碲化锑(sbte)、硫化锌镉硒(zncdses)、及硫化铜铟(cuins)所组成的群组。

波长转换层140的厚度t、t1、t2与波长转换粒子144的粒径大小会共同影响发光装置100的发光性质。在一实施例中，波长转换层的厚度t1大于厚度t2。在另一实施例中，波长转换层的厚度t1大致等于厚度t2。在一实施例中，波长转换层的厚度(t)与波长转换粒子的d50的比值介于6至20，其中厚度(t)可定义为厚度t1以及厚度t2的平均值。在另一实施例中，波长转换层的厚度(t)与波长转换粒子的d50的比值介于8至15。 在相同的波长转换粒子144添加量之下，波长转换层的厚度(t)与波长转换粒子的d50比值若小于6，则波长转换粒子144的密度过高，第一光线与第二光线于波长转换层140内的光因为被波长转换粒子144散射造成不易出光。相反的，波长转换层的厚度(t)与波长转换粒子的d50比值若大于20，则会造成第一光线与第二光线在透明粘合剂142行进路径拉长产生能量的损耗，造成亮度下降。在一实施例中，波长转换粒子144的d50介于2.5微米至4微米之间，波长转换层的厚度(t)介于35微米至50微米之间，且波长转换粒子144于波长转换层140中的重量百分比在35％～60％，如此，波长转换层的厚度(t)与波长转换粒子的d50比值介于8.75至20。

在一实施例中，波长转换层140的厚度t1及t2大致相同，厚度t1及厚度t2的差值不大于厚度t1与厚度t2平均值的10％。此外，在一实施例中，波长转换层140的最大厚度及/或最小厚度与平均厚度差相对于平均厚度不大于10％，如此第一光线与第二光线通过波长转换层140的路径可较均匀。

波长转换层140可覆盖发光元件120的一或多个出光面。在一实施例中，发光元件120的出光面包含顶面121及侧面125，波长转换层140同时覆盖发光元件120的顶面121及侧面125。此外，在一实施例中，波长转换层140与发光元件120的顶面121及数个侧面125直接接触。在另一实施例中，波长转换层140仅覆盖发光元件120的顶面121或与其直接接触，但不覆盖侧面125或与其接触。在一实施例中，波长转换层140除了覆盖发光元件120之外，可由发光元件120的侧面125朝发光元件120的外延伸形成延伸区143。在其他实施例中，波长转换层140也可仅覆盖发光元件120。

参阅图1b，在一实施例中，波长转换层140于发光元件120与可透光元件160之间的线段l1可将波长转换层140划分为上区块及下区块。其中，上区块中的波长转换粒子144的粒径d1的平均值与下区块中的波长转换粒子144的粒径d2的平均值相差小于10％。波长转换粒子144的形状可以是规则或不规则。规则的形状包含圆形或椭圆形。不规则的形状包含非对称的形状、或具有圆弧及/或棱角的形状。波长转换粒子144的粒径的平均值是定义波长转换粒子144最大粒径与最小粒径的平均值。

参阅图1a，可透光元件160形成在发光元件120与波长转换层140之上，可保护发光元件120以及波长转换层140。此外，可透光元件160的外表面可作为发光装置100的出光面。在本实施例中，可透光元件160除了保 护发光元件120之外，还为发光装置100提供结构支撑。在本实施例中，可透光元件160包含一可透光接合层162以及一可透光基板164。可透光接合层162接合波长转换层140与可透光基板164。可透光接合层162的材质可视透光基板164的材质而定，例如硅树脂或环氧树脂。在一实施例中，透光基板164是玻璃，可透光接合层162是硅树脂。透光基板164一定的刚性以提供发光装置100足够的支撑。透光基板164的材质可以是玻璃或熔融石英(fusedquartz)。在一实施例中，波长转换层140的折射率在1.45至1.80之间。在一实施例中，可透光接合层162的折射率在1.40至1.60之间。在一实施例中，透光基板164的折射率在1.45至1.90之间。可透光接合层162与透光基板164的折射率可以是相同或不同。在一实施例中，可透光接合层162的折射率大于透光基板164且介于波长转换层140与透光基板164之间。

参阅图1a，波长转换层140的延伸区143的下表面以及部分的下表面123可被光反射层180所覆盖。光反射层180可将第一光线及第二光线反射朝向出光面。在一实施例中，波长转换层140的延伸区143与光反射层180直接接触，可通过光反射层180与波长转换层140的延伸区143的接合提高波长转换层140于发光装置100内的接着强度进而减低波长转换层140的剥离(peeling)机率。光反射层180可由光反射的不导电材料所组成。在一实施例中，光反射材料例如是氧化钛(tio2)、氧化锆(zro2)、氧化铌(nb2o5)、氧化铝(al2o3)、氧化硅(sio2)、氟化镁(mgf2)、氮化铝(al2n3)，在另一实例中，光反射材料是上述材料的颗粒与接着剂混合的光反射胶料所形成，接着剂例如是硅树脂、压克力树脂或环氧树脂。

参阅图1a，电性接点126a及126b的下表面可分别覆盖延伸垫150a、150b(在此合称为150)。在一实施例中，延伸垫150a、150b覆盖电性接点126a及126b以及部分的光反射层180。如图所示，延伸垫150a、150b会向内延伸而彼此靠近，且会向外侧延伸并于碰触光反射层180的外边界前停止。然而，延伸垫150a、150b亦可以停止在光反射层180的外边界上(未显示)。在一实施例中，延伸垫150a的表面积大于接触电极126a的表面积及/或延伸垫150b的表面积大于接触电极126b的表面积。在一实施例中，光反射层180的厚度大于接触电极126a及126b的厚度，延伸垫150a、150b由接触电极126a及126b上延伸至光反射层180上时，由于光反射层180与接触电极126间的高低差因此会形成一个斜面150a’、150b’。在另一实施例中，接触电极 126a及126b与光反射层180若是共平面(未显示)，则不存在上述的斜面。延伸垫150a、150b为一高导电的材料，例如但不限于铜(cu)、银(ag)、金(au)金属。在一实施例中，可用电镀方法形成延伸垫150a、150b。

图1c显示图1a的实施例中视角对色座标标准差的关系图。x轴表示视角，0°对应于垂直于顶面121的方向，90°及-90°分别为平行于顶面121的两个相对的方向。y轴的△u’v’表示色座标上任一点与一基准点(u0’，v0’)的距离。换言之，△u’v’越大表示两点在色座标上距离越远，也就表示第一光线与第二光线混光的比例有较大的不同。其中，△u’v’＝(△u’2+△v’2)1/2，u’及v’分别表示cie1976表色系统下的色座标，△u’为u’-u0’，△v’为v’-v0’，基准值(u0’，v0’)定义为所有角度下色座标的平均值。

在角度分布区间内，△u’v’的变异越小表示于不同视角下的色彩分布的均匀度越好。在一实施例中，发光装置的色彩分布的均匀度于0°至70°的视角下，△u’v’值相差小于0.0040。在图1c中，0°至70°(或0°至-70°)的△u’v’值相差小于0.0030。图1c于0°至30°(或0°至-30°)范围内的△u’v’值相差小于0.0015。在30°至70(或-30°至-70°)°范围内的△u’v’值相差小于0.0020。

图2a至图2j为制作发光装置100的流程图。参照图2a，提供一暂时性基板220、发光元件120a、120b及一粘胶层240用固定发光元件120a、120b于暂时性基板220基板上，其中，发光元件的数量在此仅为例示，并不限于两个。在一实施例中，暂时性基板220为玻璃、蓝宝石基板、金属片或塑胶片，粘胶层240为一紫外线固化胶(uvcuringadhesive)。

参照图2b，将一波长转换片140’形成于粘胶层240上，并同时覆盖发光元件120a、120b。波长转换片140’是将多个波长转换颗粒与透明粘合剂混合后预先形成的片状结构。片状结构的尺寸可依照需求进行调整，例如，片状结构包含数个彼此分离的波长转换片，此数个彼此分离的波长转换片可以批次或依序覆盖数个发光元件，亦即一个波长转换片140’仅覆盖一个或少量的发光元件(例如，暂时性基板220上发光元件总数的1/50、1/100、或1/200以下)。又例如，片状结构是一卷带(tape)，可以连续且一次性地覆盖数个发光元件，亦即一个波长转换片同时覆盖多数个或暂时性基板220上的所有发光元件(例如，暂时性基板220上发光元件总数的1/50、1/100、1/200以上)。在一实施例中，波长转换片140’贴合在发光元件120a、120b上。贴合通过上模具(波长转换片可以安置在上模具上，未显示)及下模具(发光元 件可以安置在下模具上，未显示)的密合，同时对波长转换片140’加热以及加压，以软化波长转换片140’使其可紧密地与发光元件120a、120b接合。此外，当上模具及下模具非常靠近，但波长转换片140’尚未接触发光元件120a、120b时抽气，可减少波长转换片140’与发光元件120a、120b之间的气泡，提高波长转换片140’与发光元件120a、120b之间的接合力。在一实施例中，波长转换片140’在形成于发光元件120a、120b时还包含一载板(未显示)用以乘载波长转换片140’。在一实施例中，载板的可饶性较差，因此需先移除载板后，再以抽气方式让波长转换片140’可以紧密贴合至发光元件120a、120b。在另一实施例中，载板的可饶性较佳，因此不需先移除载板，可以抽气方式让包含载板的波长转换片140’紧密贴合至发光元件120a、120b后再移除载板。载板的材料可以是高分子，例如聚乙烯或聚酯。

参照图2c，形成一可透光接合胶162’于波长转换片140’之上。在一实施例中，形成方式是通过模具成形法(molding)，加热且施加压力使得可透光接合胶162’包覆波长转换片140’的上表面以及填入发光元件120a、120b之间的凹陷处。在其他实施例中，可透光接合胶162’的形成方式包含涂布或贴合一膜材。在一实施例中，此阶段的可透光接合胶162’尚属于半固化的状态，或是称作b阶段(b-stage)的胶材。

参照图2d，形成一透光基板164’于可透光接合胶162’上与可透光接合胶162’接合。在一实施例中，可通过加热方式接合透光基板164’与可透光接合胶162’。在一实施例中，加热温度需大于140℃。在另一实施例中，加热后的可透光接合胶162’与波长转换片140’及透光基板164’接合并转变为完全固化的状态，或是称作c阶段(c-stage)的胶材。由于接合透光基板164’与可透光接合胶162’的接合温度需大于140℃，避免粘胶层240必须可以承受140℃以上的温度以避免热解离而失去固定发光元件120a、120b于暂时性基板220的作用。根据一实施例，在粘胶层240为耐热型的紫外线固化胶(uvcuringadhesive)。

参照图2e，通过分离的制作工艺，将发光元件120a、120b以及其上堆叠的波长转换片140’、可透光接合胶162’以及透光基板164’分割。波长转换片140’分离后形成波长转换层140a及140b，可透光接合胶162’分离后形成可透光接合层162a及162b，透光基板164’分离后形成透光基板164a及164b。分离的制作工艺包含以切割工具260由上至下切割透光基板164’、透光接合 胶162’以及波长转换片140’。切割的步骤可以是一次性地完成或是以多次方式进行切割。根据一实施例，多次切割是先用一个刀具切透光基板164’后再以并一个刀具切割透光接合胶162’以及波长转换片140’。

参照图2f，提供一能量(例如，辐射能或热能)使得粘胶层240的黏性降低或消失。根据一实施例，粘胶层240为紫外线固化胶，暂时性基板220为玻璃或蓝宝石基板等透明材料。此时，由暂时性基板的方向照射紫外线使得紫外线固化胶240’固化后粘性降低。参照图2g，由固化后的紫外线固化胶240’上拿取发光装置100a’及100b’。

根据图1a的实施例，发光元件120a、120b的底面尚需形成光反射层180及延伸垫150。参照图2g，将发光装置100a’及100b’反转后通过一粘胶270分别贴到另一暂时基板280。其中，透光基板164a及164b与粘胶270接合以固定。分别地形成光反射层180a及180b于发光元件120a、120b的电性接点126a1、126a2及126b1、120b2的周围。光反射层180a及180b可凸出或与电性接点126a1、126a2及126b1、120b2齐平。光反射层180a及180b可以通过网印或用曝光显影的方式形成。

参照图2i，将延伸垫150a1、150a2及150b1、150b2分别形成在电性接点126a1、126a2及126b1、120b2之上。根据一实施例，延伸垫150a1、150a2、150b1、150b2是以电镀方式形成。若不需形成光反射层180及/或延伸垫150，则可以略过图2g及/或图2i的步骤。

参照图2j，根据一实施例，将发光装置100a及100b反转后贴到另一暂时基板290。暂时基板290例如是蓝膜。根据其他实施例，发光装置100a及100b可依序被放至卷带中(pickandplace)。

图3a至图3f为显示制作发光装置100的另一流程图。其中，图3a之前的步骤可与图2a至图2c相同或相似，图3a与图2d相同或相似。

参照图3b，提供另一暂时性载板350与透光基板164’的另一面相接触，暂时性载板350具有一胶层(图未示)以固定透光基板164’至暂时性载板350上。参照图3c，提供一能量使得粘胶层340的粘性降低或消失后形成粘胶层340’。粘胶层340的具体结构、作用及形成的方法可参阅上开叙述。

参照图3d，分离粘胶层340’与发光元件120a、120b。此时，发光元件120a、120b分别会暴露出电性接点126a1、120a2及126b1、120b2。参照图3e，依序形成光反射层180’以及延伸垫150a1、150a2及150b1、150b2。光 反射层180’以及延伸垫150a1、150a2及150b1、150b2的具体结构、作用及形成的方法可参阅上开叙述。

参照图3f，通过分离的制作工艺，将光反射层180’、波长转换片140’、透光接合胶162’、透光基板164’分离。光反射层180’分离后形成波长转换层180a及180b，波长转换片140’分离后形成波长转换层140a及140b，可透光接合胶162’后形成可透光接合层162a及162b，以及透光基板164’分离后形成透光基板164a及164b。根据一实施例，分离的制作工艺是以切割工具360多次切割，例如先利用第一种刀具切割光反射层180’、波长转换片140’、透光接合胶162’后再以第二种刀具切割透光基板164’。根据另一实施例，亦可利用一种刀具一次性地切割光反射层180’、波长转换片140’、透光接合胶162’以及透光基板164’。

图4为根据本发明另一实施例所揭露的一发光装置400的剖视图。发光装置400包含发光元件420、一波长转换层440、一可透光元件460及一光反射围栏480。波长转换层440覆盖发光元件420的部分表面，此外，可透光元件460位于波长转换层440之上。光反射围栏480围绕发光元件420的侧面。

发光元件420、一波长转换层440及一可透光元件460的具体结构、作用及形成的方法可参阅前文与图1a至图1c相关的段落。光反射围栏480的材料可与光反射层180相同或相似。此外，光反射围栏480的形成方式可以通过模具成形法(molding)或是以光反射片压合(laminating)而成。根据一实施例，波长转换层440覆盖发光元件420的顶面并延伸到光反射围栏480的顶面。根据一实施例，波长转换层440为一平坦结构无折弯处，因此波长转换层440不会遭遇到折弯处的应力，可减少因应力造成断裂的风险。根据一实施例，发光装置400还具有电极垫450a、450b与发光元件420电性连结且被光反射围栏480所围绕。电极垫450a、450b可以是导电性佳的金属或合金所组成，例如：铜。

图5为根据本发明另一实施例所揭露的一发光装置500的剖视图。发光装置500包含发光元件520、一波长转换层540、一可透光元件560、一可透光包覆层570及一光反射围栏580。与图1a至图1c或/及图4的实施例相同部分可参阅上开叙述，不同之处包含可透光包覆层570围绕发光元件520的侧面。在一实施例中，可透光包覆层570覆盖发光元件520的侧面且与波 长转换层540的一表面相接触。此外，可透光层的一表面与光反射围栏580相接触。在一实施例中，可透光包覆层570的厚度由波长转换层540往电极垫550a、550b的方向渐减，且光反射围栏580具有一倾斜内表面并形成一上大下小的空间以容置发光元件520。如此，发光元件520从侧面出光时可被光反射围栏580反射朝向波长转换层540的方向。在其他实施例中，发光元件520的侧面上覆盖的可透光包覆层570以及光反射围栏580的厚度可大致维持不变。

图6为根据本发明另一实施例所揭露的一发光装置600的剖视图。发光装置600包含发光元件620、一波长转换层640、一可透光元件660、及一光反射围栏680。与图1a至图1c或/及图4或/及图5的实施例相同部分可参阅上文相关叙述。如图6所示，在一实施例中，光反射围栏680与发光元件620的侧面间具有一段距离。在一实施例中，光反射围栏680围绕发光元件620形成一凹槽，因此具有一侧壁682及一底部684。此外，光反射围栏680的侧壁682与发光元件620的侧面之间还包含波长转换层640及可透光元件660。在一实施例中，波长转换层640覆盖发光元件620的顶面及侧面，且延伸至光反射围栏680的底部684之上。在另一实施例中，可透光元件660覆盖波长转换层640，且填入波长转换层640及光反射围栏680的侧壁682之间的空隙。由于波长转换层640及光反射围栏680之间存在可透光元件660，在发光元件620的侧面方向有部分的光线可直接出光，因此可提高光萃取的效果。光反射围栏680由波长转换层640往电极垫650a、650b的方向可以是大致与发光元件620的侧面平行或具有一斜面。

以上所述的实施例仅为说明本发明的技术思想及特点，其目的在使熟悉此项技术的人士能够了解本发明的内容并据以实施，当不能以的限定本发明的专利范围，即大凡依本发明所揭示的精神所作的均等变化或修饰，仍应涵盖在本发明的专利范围内。