一种加强型轴向二极管的制作方法
【专利摘要】本实用新型公开了一种加强型轴向二极管，包括黑胶封装体、芯片、电极片、引脚、第一挡圈、第二挡圈、加强套，该加强型轴向二极管，工作时，设有滚花槽的加强套与黑胶封装体咬合紧密，同时，加强套对引脚起到加强作用，不会因为引脚的变形而损坏芯片，第一挡圈和第二挡圈能够有效隔绝水汽进入芯片，极大加强密封效果。该装置结构简单，强度和密封性能大大加强，环境适应性强，适用范围广。
【专利说明】
一种加强型轴向二极管
技术领域
[0001]本实用新型涉及一种二极管，尤其涉及一种加强型轴向二极管。
【背景技术】
[0002]半导体二极管又称晶体二极管，简称二极管，它是一种能够单向传导电流的电子器件，在半导体二极管内部有一个PN结两个引线端子，这种电子器件按照外加电压的方向，具备单向电流的传导性，二极管在焊接使用时，需要对引脚进行折弯处理，现有二极管在折弯引脚时易出现引脚与黑胶封装体分离，从而导致水汽进行芯片导致短路等电气故障。鉴于以上缺陷，实有必要设计一种加强型轴向二极管。
【实用新型内容】
[0003]本实用新型所要解决的技术问题在于:提供一种加强型轴向二极管，来解决引脚折弯处易与黑胶封装体分离的问题。
[0004]为解决上述技术问题，本实用新型的技术方案是:一种加强型轴向二极管，包括黑胶封装体、芯片、电极片、引脚、第一挡圈、第二挡圈、加强套，所述的芯片位于黑胶封装体内侧中心处，所述的芯片与黑胶封装体一体相连，所述的电极片位于芯片上下两侧且位于黑胶封装体内侧，所说的电极片与芯片焊接相连且与黑胶封装体一体相连，所述的引脚位于电极片一侧且贯穿黑胶封装体，所述的引脚与电极片一体相连且与黑胶封装体一体相连，所述的第一挡圈位于引脚外壁且位于黑胶封装体内侧，所述的第一挡圈与引脚一体相连且与黑胶封装体一体相连，所述的第二挡圈位于引脚外壁且位于黑胶封装体内侧，所述的第二挡圈与引脚一体相连且与黑胶封装体一体相连，所述的加强套位于引脚外壁且贯穿黑胶封装体，所述的加强套与引脚焊接相连且与黑胶封装体一体相连。
[0005]本实用新型进一步的改进如下:
[0006]进一步的，所述的第一挡圈的直径大于第二挡圈的直径。
[0007]进一步的，所述的芯片的截面积小于电极片的截面积。
[0008]进一步的，所述的引脚表面电镀锡，所述的电镀锡层厚度为5-7微米。
[0009]进一步的，所述的加强套还设有滚花槽，所述的滚花槽位于加强套外壁上端，所述的滚花槽不贯穿加强套。
[0010]与现有技术相比，该加强型轴向二极管，工作时，设有滚花槽的加强套与黑胶封装体咬合紧密，同时，加强套对引脚起到加强作用，不会因为引脚的变形而损坏芯片，第一挡圈和第二挡圈能够有效隔绝水汽进入芯片，极大加强密封效果。该装置结构简单，强度和密封性能大大加强，环境适应性强，适用范围广。
【附图说明】
[0011]图1示出本实用新型主视图
[0012]图2示出本实用新型加强套主视图
[0013]黑胶封装体I芯片2
[0014]电极片3引脚4
[0015]第一挡圈5第二挡圈6
[0016]加强套7滚花槽701
【具体实施方式】
[0017]如图1、图2所示，一种加强型轴向二极管，包括黑胶封装体1、芯片2、电极片3、引脚
4、第一挡圈5、第二挡圈6、加强套7，所述的芯片2位于黑胶封装体I内侧中心处，所述的芯片2与黑胶封装体I 一体相连，所述的电极片3位于芯片2上下两侧且位于黑胶封装体I内侧，所说的电极片3与芯片2焊接相连且与黑胶封装体I 一体相连，所述的引脚4位于电极片3—侧且贯穿黑胶封装体I，所述的引脚4与电极片3—体相连且与黑胶封装体I一体相连，所述的第一挡圈5位于引脚4外壁且位于黑胶封装体I内侧，所述的第一挡圈5与引脚4 一体相连且与黑胶封装体I 一体相连，所述的第二挡圈5位于引脚4外壁且位于黑胶封装体I内侧，所述的第二挡圈6与引脚4 一体相连且与黑胶封装体I 一体相连，所述的加强套7位于引脚4外壁且贯穿黑胶封装体I，所述的加强套7与引脚4焊接相连且与黑胶封装体I一体相连，所述的第一挡圈5的直径大于第二挡圈6的直径，所述的芯片2的截面积小于电极片3的截面积，所述的引脚4表面电镀锡，所述的电镀锡层厚度为5-7微米，所述的加强套7还设有滚花槽701，所述的滚花槽701位于加强套7外壁上端，所述的滚花槽701不贯穿加强套7，该加强型轴向二极管，工作时，设有滚花槽701的加强套7与黑胶封装体11咬合紧密，同时，加强套7对引脚4起到加强作用，不会因为引脚4的变形而损坏芯片2，第一挡圈5和第二挡圈6能够有效隔绝水汽进入芯片2，极大加强密封效果。该装置结构简单，强度和密封性能大大加强，环境适应性强，适用范围广。
[0018]本实用新型不局限于上述具体的实施方式，本领域的普通技术人员从上述构思出发，不经过创造性的劳动，所做出的种种变换，均落在本实用新型的保护范围之内。
【主权项】
1.一种加强型轴向二极管，其特征在于包括黑胶封装体、芯片、电极片、引脚、第一挡圈、第二挡圈、加强套，所述的芯片位于黑胶封装体内侧中心处，所述的芯片与黑胶封装体一体相连，所述的电极片位于芯片上下两侧且位于黑胶封装体内侧，所说的电极片与芯片焊接相连且与黑胶封装体一体相连，所述的引脚位于电极片一侧且贯穿黑胶封装体，所述的引脚与电极片一体相连且与黑胶封装体一体相连，所述的第一挡圈位于引脚外壁且位于黑胶封装体内侧，所述的第一挡圈与引脚一体相连且与黑胶封装体一体相连，所述的第二挡圈位于引脚外壁且位于黑胶封装体内侧，所述的第二挡圈与引脚一体相连且与黑胶封装体一体相连，所述的加强套位于引脚外壁且贯穿黑胶封装体，所述的加强套与引脚焊接相连且与黑胶封装体一体相连。2.如权利要求1所述的加强型轴向二极管，其特征在于所述的第一挡圈的直径大于第二挡圈的直径。3.如权利要求2所述的加强型轴向二极管，其特征在于所述的芯片的截面积小于电极片的截面积。4.如权利要求3所述的加强型轴向二极管，其特征在于所述的引脚表面电镀锡，所述的电镀锡层厚度为5-7微米。5.如权利要求4所述的加强型轴向二极管，其特征在于所述的加强套还设有滚花槽，所述的滚花槽位于加强套外壁上端，所述的滚花槽不贯穿加强套。
【文档编号】H01L23/48GK205723515SQ201620450296
【公开日】2016年11月23日
【申请日】2016年5月14日
【发明人】曹孙根
【申请人】安徽钜芯半导体科技有限公司