1.一种硅基异质接面太阳能电池，其特征在于，包含：
一硅基PN接面结构，具有两个相对表面，其中该硅基PN接面结构是由一P型半导体层与一N型半导体基板所组成，该N型半导体基板具有一第一糙化表面以及一第二糙化表面；
其中，该第一糙化表面以及该第二糙化表面，具有凹凸的一金字塔纹理化结构，该金字塔纹理化结构中的该金字塔宽度与金字塔锥顶高度的比值在2到0.8之间。
2.如权利要求1所述的硅基异质接面太阳能电池，其特征在于，该金字塔纹理化结构的金字塔宽度在 5 微米至15 微米之间。
3.如权利要求1所述的硅基异质接面太阳能电池，其特征在于，该金字塔纹理化结构的金字塔锥顶高度在4微米至10微米之间。
4.如权利要求1所述的硅基异质接面太阳能电池，其特征在于，该硅基异质接面太阳能电池还包含：
一第一透明导电膜，设置位于该硅基PN接面结构的一表面；以及
一第二透明导电膜，设置位于该PN接面结构且相对于该第一透明导电膜的另一表面。