1.一种高效率氮化镓基发光二极管芯片，包括衬底（1）和基底（2），其特征在于：所述衬底（1）的下方设有氮化镓填充层（3），所述衬底（1）的上表面和下表面上均设有凸起（4），且位于衬底（1）下表面上的凸起（4）伸入氮化镓填充层（3）内；所述氮化镓填充层（3）下表面上且邻近两端分别设有量子阱（5）和N电极（6），所述量子阱（5）的下表面上设有扩展电极（7），扩展电极（7）的下表面上设有P型蚀刻区（8），P型蚀刻区（8）内插有P电极（9）；所述氮化镓填充层（3）、量子阱（5）、N电极（6）、扩展电极（7）和P型蚀刻区（8）外包裹有绝缘层（10），且N电极（6）和P电极（9）的下部伸入到绝缘层（10）外；所述基底（2）的上表面上设有钝化层（11），钝化层（11）的上表面上设有反射镜（12），反射镜（12）上设有N电极连接片（13）和P电极连接片（14），所述N电极连接片（13）和N电极（6）对应焊接，P电极连接片（14）和P电极（9）对应焊接。
2.根据权利要求1所述的一种高效率氮化镓基发光二极管芯片，其特征在于：所述凸起（4）的形状为等腰梯形。
3.根据权利要求2所述的一种高效率氮化镓基发光二极管芯片，其特征在于：所述凸起（4）的腰与其垂线存在的夹角范围在二十度至三十度之间。
4.根据权利要求1所述的一种高效率氮化镓基发光二极管芯片，其特征在于：所述衬底（1）上表面和下表面设有的凸起（4）相互对称。
5.根据权利要求1所述的一种高效率氮化镓基发光二极管芯片，其特征在于：所述衬底（1）为蓝宝石基板。
6.根据权利要求1所述的一种高效率氮化镓基发光二极管芯片，其特征在于：所述P电极（6）和N电极（9）均垂直于氮化镓填充层（3）沉积。
7.根据权利要求1所述的一种高效率氮化镓基发光二极管芯片，其特征在于：所述钝化层（11）为二氧化硅钝化层或氮化硅钝化层。