技术总结
一种高效率氮化镓基发光二极管芯片，包括衬底和基底，衬底的下方设有氮化镓填充层，衬底的上表面和下表面上均设有凸起，且位于衬底下表面上的凸起伸入氮化镓填充层内；氮化镓填充层下表面上且邻近两端分别设有量子阱和N电极，量子阱的下表面上从上之下依次设有扩展电极、P型蚀刻区和P电极；基底的上表面上从下至上依次设有钝化层和反射镜，反射镜上设有N电极连接片和P电极连接片，N电极连接片和N电极对应焊接，P电极连接片和P电极对应焊接。本实用新型结构简单，设计巧妙，使用方便，结合了蓝宝石衬底、倒装、反射镜、扩展电极等技术，降低了电流堵塞产生的发热现象，同时能够提高LED芯片的出光效率，与现有加工工艺相兼容，延长了LED芯片使用寿命，并且安全可靠。
技术研发人员：张自锋;余建立
受保护的技术使用者：巢湖学院
文档号码：201620471049
技术研发日：2016.05.23
技术公布日：2016.11.30