1.一种压接式IGBT/FRD芯片的正面电极，其特征在于，所述正面电极包括第一金属层和第二金属层；
所述第一金属层的上表面设置具有第一窗口的第一薄膜层；
所述第二金属层设置在所述第一薄膜层与所述第一窗口处暴露出的第一金属层形成的组合结构的表面上；
所述第一薄膜层和第二金属层形成的组合结构的表面设置第二薄膜层，所述第二薄膜层包括用于焊接的第二窗口。
2.如权利要求1所述的一种压接式IGBT/FRD芯片的正面电极，其特征在于，所述第一金属层的厚度为4微米；所述第二金属层的厚度为3-8微米。
3.如权利要求1所述的一种压接式IGBT/FRD芯片的正面电极，其特征在于，所述第一薄膜层为SixNy薄膜层；所述第二薄膜层为聚酰亚胺薄膜层。
4.如权利要求1所述的一种压接式IGBT/FRD芯片的正面电极，其特征在于，所述第一薄膜层厚度为0.7微米；所述第二薄膜层的厚度为20微米。
5.一种压接式IGBT芯片，包括集电极电极、发射极电极和栅极电极，其特征在于，所述发射极电极采用权利要求1-4所述的一种压接式IGBT/FRD芯片的正面电极。
6.一种压接式FRD芯片，其特征在于，所述压接式FRD芯片包括采用权利要求1-4所述的一种压接式IGBT/FRD芯片的正面电极。
7.一种压接式功率模块，其特征在于，所述压接式功率模块包括多个权利要求5所述的压接式IGBT芯片和多个权利要求6所述的压接式FRD芯片。