技术总结
本实用新型提供了一种压接式IGBT/FRD芯片的正面电极，包括第一金属层和第二金属层；第一金属层的上表面设置具有第一窗口的第一薄膜层；第二金属层设置在第一薄膜层与第一窗口处暴露出的第一金属层形成的组合结构的表面上；第一薄膜层和第二金属层形成的组合结构的表面设置第二薄膜层，第二薄膜层包括用于焊接的第二窗口。与现有技术相比，本实用新型提供的一种压接式IGBT/FRD芯片的正面电极，能够缓冲压接式IGBT/FRD芯片承受的压力，减少压力对压接式IGBT/FRD芯片电特性的影响。
技术研发人员：高明超;王耀华;刘江;赵哿;金锐;温家良;潘艳
受保护的技术使用者：全球能源互联网研究院;国家电网公司;国网浙江省电力公司
文档号码：201620769675
技术研发日：2016.07.20
技术公布日：2016.12.28