带通滤波超材料、天线罩及天线的制作方法

文档序号:11054662阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种带通滤波超材料,其特征在于,包括:

多个基板;

第一导电几何结构层,所述第一导电几何结构层由依次排布的多个第一导电几何结构单元组成,每个所述第一导电几何结构单元包括有第一导电外环边框;

第二导电几何结构层,所述第二导电几何结构层由依次排布的多个第二导电几何结构单元组成,每个所述第二导电几何结构单元包括有第二导电外环边框;

第三导电几何结构层,所述第三导电几何结构层由依次排布的多个第三导电几何结构单元组成,每个所述第三导电几何结构单元包括有第三导电外环边框;

第四导电几何结构层,所述第四导电几何结构层由依次排布的多个第四导电几何结构单元组成,每个所述第四导电几何结构单元包括有第四导电外环边框;

所述第一导电几何结构层、所述第二导电几何结构层、所述第三导电几何结构层及所述第四导电几何结构层在叠置方向上依次间隔设置在所述基板上,

其中,所述第一导电外环边框、所述第二导电外环边框、所述第三导电外环边框、以及所述第四导电外环边框的所在区域在叠置方向上的投影至少部分重合。

2.根据权利要求1所述的带通滤波超材料,其特征在于,所述第一导电几何结构单元、所述第二导电几何结构单元、所述第三导电几何结构单元及所述第四导电几何结构单元所在区域在所述叠置方向上的投影完全重合。

3.根据权利要求1所述的带通滤波超材料,其特征在于,所述第一导电几何结构层上的多个所述第一导电外环边框一体连接设置;所述第二导电几何结构层上的多个所述第二导电外环边框一体连接设置;所述第三导电几何结构层上的多个所述第三导电外环边框一体连接设置;并且,所述第四导电几何结构层上的多个所述第四导电外环边框一体连接设置。

4.根据权利要求1所述的带通滤波超材料,其特征在于,所述第一导电外环边框为第一正六边形环,所述第二导电外环边框为第二正六边形环,所述第三导电外环边框为第三正六边形环,所述第四导电外环边框为第四正六边形环。

5.根据权利要求4所述的带通滤波超材料,其特征在于,所述第一正六边形环的线宽范围为0.4mm±5%,所述第一正六边形环的外接圆直径范围为6.2mm±5%。

6.根据权利要求4所述的带通滤波超材料,其特征在于,所述第二正六边形环的线宽范围为0.1mm±5%,所述第二正六边形环的外接圆直径范围为5.2mm±5%。

7.根据权利要求4所述的带通滤波超材料,其特征在于,所述第三正六边形环的线宽范围为0.1mm±5%,所述第三正六边形环的外接圆直径范围为5.3mm±5%。

8.根据权利要求4所述的带通滤波超材料,其特征在于,所述第四正六边形环的线宽范围为0.2mm±5%,所述第四正六边形环的外接圆直径范围为5.0mm±5%。

9.根据权利要求1所述的带通滤波超材料,其特征在于,所述第一导电几何结构单元、所述第二导电几何结构单元、所述第三导电几何结构单元以及所述第四导电几何结构单元均为正六边形结构。

10.根据权利要求1所述的带通滤波超材料,其特征在于,所述第一导电几何结构单元、所述第二导电几何结构单元、所述第三导电几何结构单元以及所述第四导电几何结构单元均呈周期行列排布,相邻两行的所述第一导电几何结构单元、所述第二导电几何结构单元、所述第三导电几何结构单元及第四导电几何结构单元均错开设置。

11.根据权利要求1所述的带通滤波超材料,其特征在于,所述第一导电几何结构单元、所述第二导电几何结构单元、所述第三导电几何结构单元以及所述第四导电几何结构单元均呈规则的蜂窝状排列设置。

12.根据权利要求1所述的带通滤波超材料,其特征在于,所述第一导电几何结构层、所述第二导电几何结构层、所述第三导电几何结构层及所述第四导电几何结构层的厚度范围为30μm±5%。

13.根据权利要求1所述的带通滤波超材料,其特征在于,所述基板的相对介电常数为3.0±5%,损耗角正切为0.01±5%,厚度范围为0.05mm±5%。

14.根据权利要求1所述的带通滤波超材料,其特征在于,所述带通滤波超材料还包括夹层,所述夹层设置在所述第二导电几何结构层和所述第三导电几何结构层之间。

15.根据权利要求1或14所述的带通滤波超材料,其特征在于,所述带通滤波超材料还包括两层蒙皮层,所述蒙皮层分别设置在所述第一导电几何结构层和所述第四导电几何结构层的外表面。

16.一种天线罩,其特征在于,所述天线罩包括权利要求1至15中任一项所述的带通滤波超材料。

17.一种天线,其特征在于,所述天线包括权利要求16所述的天线罩。

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