1.一种晶体管，其特征在于，所述晶体管包括栅极(5)、源极(3)、漏极(4)、绝缘层(1)和沟道层(2)；
所述栅极(5)和所述沟道层(2)分别位于所述绝缘层(1)的两侧，所述沟道层(2)仅为一个过渡金属硫族化合物层；
所述源极(3)和所述漏极(4)分别位于所述沟道层(2)表面上的两端。
2.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于，所述源极(3)与所述漏极(4)的距离为20nm。
3.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于，所述过渡金属硫族化合物层为WSe2。
4.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于，所述过渡金属硫族化合物层为MoS2。
5.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于，所述绝缘层(1)为SiO2。