晶体管的制作方法

技术总结
本实用新型涉及半导体器件，公开了一种晶体管。在本实用新型的晶体管中，沟道层仅为一个过渡金属硫族化合物层，不但结构简单，而且在圆偏振光照射下能够产生高自旋极化率的自旋流，同时增加了栅极用来控制自旋流导通的源漏电压阈值。

技术研发人员：不公告发明人
受保护的技术使用者：鸿之微科技（上海）有限公司
文档号码：201621023520
技术研发日：2016.08.31
技术公布日：2017.03.08