1.一种选区外延高质量的AlGaN/GaN生长结构，包括衬底（1）、在衬底（1）上生长的应力缓冲层（2）、在应力缓冲层上生长的GaN缓冲层（3）、在GaN缓冲层（3）上沉积的一层SiO2作为掩膜层（7）；还包括在未被掩蔽的区域生长的GaN沟道层（4）、在GaN沟道层（4）上沉积的AlN层（5）、在AlN层（5）上沉积的AlGaN势垒层（6）；衬底（1）为 Si 衬底、蓝宝石衬底、碳化硅衬底、GaN自支撑衬底中的任一种。
2.根据权利要求1所述的一种选区外延高质量的AlGaN/GaN生长结构，其特征在于：所述的应力缓冲层厚度为10 nm～10 μm。
3.根据权利要求1所述的一种选区外延高质量的AlGaN/GaN生长结构，其特征在于：所述的GaN缓冲层（3）为非故意掺杂的GaN外延层或掺杂的高阻GaN外延层；GaN缓冲层厚度为100 nm~10 μm。
4.根据权利要求1所述的一种选区外延高质量的AlGaN/GaN生长结构，其特征在于：所述的GaN沟道层（4）厚度为1nm~500 nm。
5.根据权利要求1所述的一种选区外延高质量的AlGaN/GaN生长结构，其特征在于：所述的AlN层（5）中，厚度为0-10 nm。
6.根据权利要求1所述的一种选区外延高质量的AlGaN/GaN生长结构，其特征在于：所述的AlGaN势垒层（6），厚度为5-50 nm。