技术总结
本实用新型涉及半导体外延工艺的技术领域，更具体地，涉及一种选区外延高质量的AlGaN/GaN生长结构。一种选区外延高质量的AlGaN/GaN生长结构，包括衬底、在衬底上生长应力缓冲层、在应力缓冲层上生长GaN缓冲层、在GaN缓冲层上沉积一层SiO2作为掩膜层；还包括在未被掩蔽的区域生长的GaN沟道层、在GaN沟道层上沉积AlN层、在AlN层上沉积AlGaN势垒层。本实用新型能够有效抑制选区外延中再生长界面的寄生沟道，提高选区外延生长的AlGaN/GaN异质结构质量，降低外延层的漏电流。
技术研发人员：刘扬;张佳琳;杨帆;何亮
受保护的技术使用者：中山大学
文档号码：201621037359
技术研发日：2016.09.05
技术公布日：2017.07.04