1.一种新型C-Mount单发射腔半导体激光器，其特征在于：主体顶面两侧为凸起的左侧凸台和右侧凸台，左侧凸台与左侧电极之间以及右侧凸台与右侧电极之间均留有实现绝缘的缝隙，主体中间平面上焊接有陶瓷衬底，陶瓷衬底表面覆盖金属层，金属层分为左侧金属层、中心金属层和右侧金属层三部分，每部分的金属层之间相互绝缘，中心金属层的方框区域覆有一层金锡焊料，焊料区中心位置焊接有半导体芯片，左侧电极与左侧金属层金丝键合，左侧金属层与金属层金丝键合，本体中心位置的半导体芯片上表面与右侧金属层金丝键合，右侧电极与右侧金属层金丝键合。
2.根据权利要求1所述的一种新型C-Mount单发射腔半导体激光器，其特征在于所述的左侧电极在与左侧金属层金丝键合的基础上与左侧凸台金丝键合。
3.根据权利要求1所述的一种新型C-Mount单发射腔半导体激光器，其特征在于所述的右侧电极在右侧金属层金丝键合的基础上与右侧凸台金丝键合。
4.根据权利要求1所述的一种新型C-Mount单发射腔半导体激光器，其特征在于所述的主体中心位置的半导体芯片上表面可由与右侧金属层金丝键合，替换为与左侧金属层金丝键合，左侧金属层与衬底金属层金丝键合替换为右侧金属层与衬底金属层金丝键合。