技术总结
本实用新型提供一种释放焊垫等离子体的PID测试结构，包括位于同一层且平行排列的多个晶体管器件，晶体管器件的衬底电连至第一测试焊垫，晶体管器件的源极电连至第二测试焊垫，晶体管器件的漏极电连至第三测试焊垫，晶体管器件的栅极与不同层的金属线一一对应电连接；每一层的金属线分支成第一子金属线和第二子金属线，且第一子金属线与第二子金属线通过顶层金属层电连接在一起，其中第一子金属线电连接至各自层的天线端，第二子金属线均电连接至第四测试焊垫；位于最底层的第一子金属线的一端电连接与其同层的第二子金属线，另一端电连接一保护二极管。本实用新型可以释放大块测试焊垫上的等离子体，减小其对PID测试结构的影响。
技术研发人员：牛刚
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
文档号码：201621184400
技术研发日：2016.11.03
技术公布日：2017.08.18