沉积环装置的制作方法

本实用新型涉及半导体领域，尤其涉及一种沉积环装置。

背景技术：

铝腔体的沉积环安装于加热基座上，硅片直径稍大于沉积环内径，腔体做真空坏境下传送位置校准时，是通过肉眼来进行判断，因为现在的部件没有明显的参照物，所以在一定程度上会影响校准位置的精确性。

技术实现要素：

本实用新型要解决的技术问题是如何提高校准位置的精准性。

为了解决这一技术问题，本实用新型提供了一种沉积环装置，包括沉积环本体，所述沉积环本体上表面设有刻度结构。

可选的，所述刻度结构包括若干刻度件，若干所述刻度件环绕所述沉积环本体的圆心均匀布置。

可选的，所述刻度件的数量为偶数个，且若干所述刻度件中呈对关于所述沉积环本体的圆心中心对称。

可选的，所述刻度件的数量为四个。

本实用新型在沉积环本体上布置了刻度结构，当腔体做位置校准的时候装上本实用新型提供的沉积环装置，通过刻度结构可以用来来判断硅片的位置，提高了校准的精度与效率。

附图说明

图1是本实用新型一实施例中沉积环装置的结构示意图；

图中，1-沉积环本体；2-刻度件；3-硅片。

具体实施方式

以下将结合图1对本实用新型提供的沉积环装置进行详细的描述，其为本实用新型可选的实施例，可以认为，本领域技术人员在不改变本实用新型精神和内容的范围内，能够对其进行修改和润色。

本实用新型提供了一种沉积环装置，包括沉积环本体1，所述沉积环本体1上表面设有刻度结构。进一步来说，所述刻度结构包括若干刻度件2，若干所述刻度件2环绕所述沉积环本体1的圆心均匀布置。

为了更好地实现对准，本实用新型可选的实施例中，所述刻度件2的数量为偶数个，且若干所述刻度件2中呈对关于所述沉积环本体1的圆心中心对称。所述刻度件2的数量为四个。

综上所述，本实用新型在沉积环本体上布置了刻度结构，当腔体做位置校准的时候装上本实用新型提供的沉积环装置，通过刻度结构可以用来来判断硅片的位置，提高了校准的精度与效率。