本实用新型涉及一种太阳能电池，更具体的说，涉及一种高效多结太阳能电池。
背景技术：
太阳能光伏发电是利用半导体的光生伏打效应，利用PN结的内建电场的作用将光子产生出的光生不平衡载流子收集起来产生电流。太阳能光伏发电的核心部件就是太阳能电池片。太阳能电池片是在硅片衬底上扩散一定浓度的三族元素硼铝镓铟，然后再扩散一定浓度的五族元素氮磷砷碲，三五族与硅化合物之间形成特定厚度的PN结。影响太阳能电池片转换效率的因素主要有：电池片反射率、PN结扩散深度、扩散方块电阻、硅衬底电阻率、硅衬底少子寿命、电极欧姆接触势垒。针对于传统晶硅电池的效率低的问题，为提高电池片的光吸收率、提高少子产生率和迁移率，成为本领域技术人员急待解决的技术问题。
技术实现要素：
本实用新型的技术目的是克服现有技术中太阳能电池片存在着光线吸收率低而转换效率不高的技术问题；提供一种具备3结以上结构的的高效多结太阳能电池。
为实现以上技术目的，本实用新型的技术方案是：
高效多结太阳能电池，所述太阳能电池的的发电结构，包括有硅片，所述硅片上设有镀层自上而下分别是：N型层、N+型层、P+型层、P型层、P+型层、N+型层、N型层；分别形成PN结层，所述PN结层上方形成N+N高低结层，所述PN结层下方形成P+P高低层；往下依次形成P+P高低结层、PN结层、N+N高低结层。
本实用新型的有益技术效果是：本发明将晶硅太阳能电池片的单个PN结工艺改为多PN结工艺。并在硅片表面制造一种倒金字塔陷光结构；采用H钝化工艺修补硅片表面复合中心。采用六段式扩散工艺。采用预钝化PECVD工艺，在电池片表面形成氢钝化层。本发明太阳能电池片双面受光发电。本发明电池片有倒金字塔陷光结构。本实用新型太阳能电池片内部PN结为3结以上结构。本发明电池片制造工艺有预钝化工艺。本发明电池片转换效率36%以上。本发明光波吸收范围为300-1100纳米。
附图说明
图1是本实用新型一个实施例的结构示意图。
具体实施方式
结合图1，详细说明本实用新型的具体实施方式，但不对权利要求作任何限定。
本实用新型的高效多结太阳能电池，所述太阳能电池的的发电结构，包括有硅片，所述硅片上设有镀层自上而下分别是：N型层100、N+型层101、P+型层102、P型层103、P+型层102、N+型层101、N型层100；分别形成PN结层，所述PN结层上方形成N+N高低结层，所述PN结层下方形成P+P高低层；往下依次形成P+P高低结层、PN结层、N+N高低结层。
本实用新型在实施中，在硅片表面制造一种倒金字塔陷光结构；采用H钝化工艺修补硅片表面复合中心。在实施时采用六段式扩散工艺，并采用预钝化PECVD工艺在电池片表面形成氢钝化层。本发明太阳能电池片双面受光发电。本发明电池片有倒金字塔陷光结构。本实用新型太阳能电池片内部PN结为3结以上结构。本发明电池片制造工艺有预钝化工艺。本发明电池片转换效率36%以上。本发明光波吸收范围为300-1100纳米。