技术总结
本实用新型涉及图像传感器像素的阵列和系统。所述图像传感器像素阵列包括：半导体衬底，所述半导体衬底具有相对的第一侧和第二侧；第一光电二极管区，所述第一光电二极管区通过所述第一侧注入在所述半导体衬底中；以及第二光电二极管区，所述第二光电二极管区通过所述第二侧注入在所述半导体衬底中，其中所述第二光电二极管区与所述第一光电二极管区在所述半导体衬底中重叠。本实用新型解决的一个技术问题是在衬底表面下的更深处注入光电二极管以便增加传感器的集光效率。本实用新型实现的一个技术效果是从衬底的顶表面和底表面两者注入光电二极管以增加光电二极管在衬底中的有效深度。
技术研发人员：S·伯萨克;U·博提格;R·莫里兹森
受保护的技术使用者：半导体元件工业有限责任公司
文档号码：201621380235
技术研发日：2016.12.16
技术公布日：2017.07.11