技术总结
本实用新型涉及一种含有氮镓铝和氮镓铟的缓存层的半导体器件。该半导体器件包括衬底、设在该衬底上部的籽晶层、设在该籽晶层的上部的包括氮镓铝层和氮镓铟层的缓冲层以及设在该缓存层上部的Ⅲ族氮化物外延层。本实用新型通过设置包括氮镓铝层和氮镓铟层的缓冲层，有效缓解Ⅲ族氮化物外延层与衬底之间的晶格失配和热失配，而且因为在缓冲层中层叠设置氮镓铟层，使缓冲层中生长的氮镓铝层处于压应变状态，抑制了氮镓铝层随着厚度增加产生的较多的位错缺陷和较大的内应力，进而可以得到高质量的Ⅲ族氮化物外延层。
技术研发人员：金荣善;李东键;骆薇薇;孙在亨
受保护的技术使用者：英诺赛科（珠海）科技有限公司
文档号码：201621439525
技术研发日：2016.12.26
技术公布日：2017.09.22