1.一种抗干扰热释电传感器芯片支撑结构，其特征在于：包括导电柱(1)，所述导电柱(1)上端支撑有芯片(2)，所述导电柱(1)与所述芯片(2)的几何中心相对应；
所述导电柱(1)与所述芯片(2)相连接表面涂覆有导电银胶层，所述导电柱(1)下端与底座(3)相连接，所述底座(3)上还设置有至少两个稳定柱(4)，所述稳定柱(4)与所述芯片(2)连接一面设置有绝缘层。
2.根据权利要求1所述的抗干扰热释电传感器芯片支撑结构，其特征在于：所述至少两个稳定柱(4)对称分布。
3.根据权利要求1或2所述的抗干扰热释电传感器芯片支撑结构，其特征在于：所述稳定柱(4)与芯片(2)的连接点分布在所述芯片(2)边缘。
4.根据权利要求3所述的抗干扰热释电传感器芯片支撑结构，其特征在于：所述底座(3)下端通过至少两个底座支脚(5)与电路板基板相连接，所述底座(3)下端、所述底座支脚(5)与所述电路板基板之间构成空腔状的底座凹槽(6)。
5.根据权利要求4所述的抗干扰热释电传感器芯片支撑结构，其特征在于：所述底座支脚(5)均匀对称分布。
6.根据权利要求4或5所述的抗干扰热释电传感器芯片支撑结构，其特征在于：所述底座支脚(5)与所述底座(3)边缘连接。
7.根据权利要求6所述的抗干扰热释电传感器芯片支撑结构，其特征在于：所述底座(3)面积大于或等于所述芯片(2)。