技术总结
本实用新型涉及一种抗干扰热释电传感器芯片支撑结构，包括圆柱形导电柱，所述导电柱上端支撑有芯片，所述导电柱与所述芯片的几何中心相对应；所述芯片与所述导电柱之间设置有导电银胶层，所述导电柱下端与底座相连接，所述底座上还设置有若干个稳定柱，所述稳定柱上端通过绝缘层与所述芯片相连接。本实用新型的有益之处在于该新型中的支撑结构，可以降低对芯片横向、纵向两个方向的应力，并通过空腔结构降低热效应的影响，从而可以有效地降低芯片的麦克风效应，提高传感器的性能稳定性。
技术研发人员：李龙
受保护的技术使用者：北立传感器技术（武汉）有限公司
文档号码：201621477933
技术研发日：2016.12.30
技术公布日：2017.07.07