填充方法及填充装置与流程

本发明涉及一种填充方法及填充装置，尤其涉及将填充材料填充至晶片的微细空间的填充方法及填充装置。

背景技术：

以往，已知有将填充材料填充至晶片的微细空间的填充方法。这种填充方法例如公开在日本专利第4130649号公报。

在日本专利第4130649号公报中，公开有将浆料填充至设置于晶片的通孔(微细空间)的通孔的填充方法。该通孔的填充方法具备：在腔室内，将o环所包围的内侧表面配置有浆料的活塞配置于晶片的上表面的工序；使腔室内及o环所包围的规定空间成为真空的减压工序；以及使浆料流入至晶片侧并利用活塞的加压而将浆料推入至设置于晶片的通孔内部的填充工序。另外，在该通孔的填充方法中，o环以覆盖晶片的一部分的方式配置。

并且，作为一般的技术，有一种通过进行电镀而将绝缘材料等填充材料填充至微细空间的方法。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利4130649号公报

技术实现要素：

发明要解决的技术课题

在日本专利第4130649号公报的通孔的填充方法中，由于o环以覆盖晶片的一部分的方式配置，因此为了将浆料填充至遍及晶片的整面而设置的通孔，必须进行多次上述一连串的工序。由此，会有为了将浆料填充至晶片内的所有通孔(微细空间)而耗费时间的问题点。在此情况下，在填充工序中或填充工序后的工序中，会有因在先填充的浆料中产生挥发或反应而造成浆料的局部性固化的可能性。并且，在日本专利第4130649号公报的通孔的填充方法中，由于通过加压进行填充，因此通孔的宽度(直径)越小通孔的深度越大，则力就不会充分传达至通孔的底面，结果也有产生浆料无法充分被填充的通孔的问题点。

并且，作为其他的通孔的填充方法，有以下的方法：以刮刀方式(在使抹刀等刮刀与晶片的表面接触的状态下，通过刮刀来刮取二氧化硅微粉体的方式)将通过分散介质而成为浆料状的二氧化硅微粉体填充至晶片内的通孔后，使分散介质蒸散，且使液体玻璃在所产生的间隙含浸的方法。然而，在该填充方法中，会有难以使液体玻璃充分含浸至通孔底(无法充分地填充至通孔)的问题点。因此，在含浸后使液体玻璃煅烧/固化时，会在通孔产生空隙或沟槽(凹陷)等。

并且，通过进行电镀而将填充材料填充至微细空间时，若微细空间的深度与宽度(直径)的纵横比(深度/宽度(直径))为5以上时，则会有无法充分电镀至底面而无法充分填充填充材料的问题点。并且，也会有随着微细空间的宽度(直径)变大而造成填充耗费时间的问题点。其结果，在晶片中混杂有宽度(直径)或深度不同的各种形状的微细空间时，可能无法将填充材料迅速且充分地填充至微细空间。

本发明为了解决上述课题而完成，本发明的一目的在于提供一种即使在晶片中混杂有各种形状的微细空间，也可以在同一条件下将填充材料迅速且充分地填充至微细空间的填充方法及填充装置。

用于解决技术课题的手段

为了实现上述目的，本发明的填充方法将填充材料填充至设置于晶片的微细空间，该填充方法具备：对载置有晶片的处理室内进行减压的减压工序；在经减压的处理室内，使填充材料与晶片的表面接触的接触工序；通过对填充材料的与晶片相反侧的面的整面进行加压，而将填充材料差压填充至晶片的微细空间的填充工序；以及遍及晶片的整体而煅烧填充材料的煅烧工序。另外，“微细空间”是指主要通过蚀刻处理而形成于晶片的具有100μm以下的宽度的微细的沟、具有100μm以下的孔直径的微细的贯穿孔及非贯穿孔。

在本发明的填充方法中，如上所述，具备：在经减压的处理室内，使填充材料与晶片的表面接触的接触工序；以及通过对填充材料的与晶片相反侧的面的整面进行加压，而将填充材料差压填充至晶片的微细空间的填充工序。由此，由于能够遍及晶片的微细空间的形成面的整面同时将填充材料填充至微细空间内，因此能够在不会产生大幅的时间差的情况下将填充材料迅速且充分地填充至晶片内的所有微细空间。并且，在本填充方法中，即使晶片中混杂有包含纵横比(深度/宽度(直径))为5以上的微细空间的各种形状的微细空间，也能够在同一条件下将填充材料迅速且充分地填充至微细空间。此已通过实验所确认过。

并且，在本发明的填充方法中，具备对填充材料的与晶片相反侧的面的整面进行加压的填充工序；以及遍及晶片的整体而煅烧填充材料的煅烧工序。由此，不仅能够迅速地将填充材料填充至微细空间，也能够遍及晶片的整体而在1次的煅烧工序中煅烧填充材料，因此能够迅速地进行填充材料的填充至煅烧的工序。由此，由于能够抑制因填充至所有微细空间而产生时间差而造成的填充材料的局部性固化，因此能够在微细空间内均匀地填充所煅烧的填充材料。其结果，能够抑制微细空间内的被煅烧的填充材料的特性产生偏差的情况。

并且，在本发明的填充方法中，如上所述，通过对填充材料的与晶片相反侧的面的整面进行加压，而将填充材料差压填充至晶片的微细空间，由此，即使不使用用于分割作成真空的空间的o环，也能够将填充材料填充至晶片的微细空间。在此，为了对由o环所包围的规定空间进行减压，必须使o环与晶片粘合。然而，在与o环接触的晶片的表面形成有凹凸时，由于晶片的凹凸，因此无法使o环与晶片充分地粘合。相对于此，在本发明中，由于无需使o环与晶片相粘合，因此即使晶片形成有凹凸时，也能够可靠地将填充材料填充至晶片的微细空间。

在上述发明的填充方法中，减压工序优选包含将处理室内减压成100pa以上且2000pa以下的工序。如此构成时，通过将处理室内减压成2000pa以下，能够在减压工序后的填充工序中可靠地使差压产生，以将填充材料差压填充至微细空间。并且，通过将处理室内减压成100pa以上，与大幅减压至低于100pa的情况相比较，能够使处理室的密封结构简易化，也能够使设置于处理室内的设备类的结构简单化。

在上述发明的填充方法中，优选填充材料包含在高于常温且250℃以下的处理温度下交联的热固性树脂。如此构成时，在煅烧工序中，能够抑制形成于晶片的配线等因超过250℃的高温而劣化。

在上述发明的填充方法中，优选煅烧工序包含通过从常温至处理温度阶段性地进行升温，并在各个阶段中控制处理时间，从而煅烧填充材料的工序。如上所述构成时，能够配合填充材料的含有成分精细地调整温度及处理时间，因此与不阶段性升温而一次升温至处理温度的情况相比较，能够随着填充材料的变化来进行煅烧。

在上述发明的填充方法中，优选接触工序包含：在晶片的厚度方向，以使从晶片的微细空间的形成面至与填充材料的与晶片相反侧的面为止的填充材料的厚度成为微细空间的深度以上的方式，将填充材料配置在晶片的工序。如此构成时，即使在煅烧工序中，填充至微细空间内的填充材料的体积减少，也能够通过以微细空间的深度以上的厚度而配置于比晶片的微细空间的形成面更靠近与晶片相反侧的位置的填充材料来填补。由此，能够靠地在微细空间内的整体填充被煅烧的填充材料。

在上述发明的填充方法中，优选填充材料为绝缘性材料。如此构成时，能够将绝缘性材料填充至微细空间内，因此，例如在tsv(through-siliconvia，硅穿孔)技术中，能够轻松地将绝缘性材料填充至微细空间内。

在上述发明的填充方法中，优选填充材料为导电性材料。如此构成时，由于能够将导电性材料填充至微细空间内，因此，例如在tsv技术中，能够容易形成硅贯穿电极。

在上述发明的填充方法中，优选接触工序包含：一边使晶片旋转，一边使填充材料从晶片的微细空间的形成面侧滴下，由此使填充材料与晶片的表面接触的工序。如此构成时，能够通过所谓的旋涂将填充材料均匀地配置在晶片的微细空间的形成面侧。

在上述发明的填充方法中，优选接触工序包含：将填充材料供给至晶片的表面的工序；以及一边使晶片旋转，一边通过膜厚调整用部件，以大致一定的厚度将填充材料涂覆于晶片的微细空间的形成面侧的整面，由此使填充材料与晶片的表面接触的工序。如此构成时，能够在不浪费的情况下将所需最小限度的填充材料配置在晶片的微细空间的形成面侧。

在上述发明的填充方法中，优选接触工序包含：将填充材料供给至晶片的表面的工序；一边使晶片低速旋转，一边通过涂覆用的部件将填充材料涂覆于晶片的微细空间的形成面侧的整面，而使填充材料与晶片的表面接触的工序；以及使晶片高速旋转，而控制填充材料在晶片的表面的膜厚的工序。如此构成时，能够在不浪费的情况下将所需最小限度的填充材料配置在晶片的微细空间的形成面侧。

在上述发明的填充方法中，优选接触工序包含：在晶片的微细空间的开口朝下的状态下，将晶片浸渍在填充材料，而使填充材料与晶片的表面接触的工序。如此构成时，能够以简单的构成将填充材料配置在晶片的微细空间的形成面。

在上述发明的填充方法中，优选在将微细空间形成于晶片的微细空间的形成面上时的掩模残留的状态下，进行填充工序及煅烧工序，且在煅烧工序后，还具备剥离掩模的剥离工序。如此构成时，在剥离掩模时，掩模上的不需要的被煅烧的填充材料也能够一同被去除，因此能够缩短之后进行的晶片的残渣去除、研磨工序的时间，或者，能够省略残渣去除、研磨工序。由此，能够更迅速地获得在微细空间填充所煅烧的填充材料的晶片。

本发明的填充装置具备：可以对内部进行减压的处理室；在经减压的处理室内，使填充材料与设置有微细空间的晶片的表面接触的填充材料配置部；以及遍及晶片的整体而煅烧填充材料的煅烧部；在处理室中，构成为：通过对经接触的填充材料的与晶片相反侧的面的整面进行加压，而使填充材料差压填充至晶片的微细空间。

在本发明的填充装置中，如上所述，在处理室中，构成为：通过对经接触的填充材料的与晶片相反侧的面的整面进行加压，而使填充材料差压填充至晶片的微细空间。由此，与上述填充方法相同地，能够在不会产生大幅的时间差的情况下将填充材料迅速且充分地填充至晶片内的所有微细空间，而且即使在晶片混杂有各种形状的微细空间，也能够在同一条件下将填充材料迅速且充分地填充至微细空间。并且，由于能够抑制因从填充至煅烧为止耗费时间而造成的填充材料的局部性固化，因此能够在微细空间内均匀地填充所煅烧的填充材料。

发明效果

根据本发明，如上所述，即使在晶片上混杂有各种形状的微细空间，也能够在同一条件下将填充材料迅速且充分地填充至微细空间。

附图说明

图1是表示本发明第1及第2实施方式的填充装置的示意图。

图2的(a)是表示本发明第1及第2实施方式的填充装置的填充前(搬入时)的晶片的俯视图，(b)是沿着(a)的400-400线的剖视图。

图3的(a)是表示本发明第1实施方式的填充装置的填充部的纵剖视图，(b)是沿着(a)的410-410线的横剖视图。

图4是表示本发明第1实施方式的填充装置的煅烧部的纵剖视图。

图5是表示本发明第1实施方式的填充方法的煅烧工序中的温度控制的图。

图6是用于说明本发明第1及第2实施方式的填充方法的图。

图7的(a)是表示本发明第2实施方式的填充装置的填充部的纵剖视图，(b)是沿着(a)的420-420线的横剖视图。

图8是表示本发明第3实施方式的填充装置的示意图。

图9的(a)是表示本发明第3实施方式的填充装置的填充前(搬入时)的晶片的俯视图，(b)是沿着(a)的430-430线的剖视图。

图10是表示本发明第3实施方式的填充装置的填充部的纵剖视图。

图11是用于说明本发明第3实施方式的填充方法的图。

图12的(a)、(b)是为了确认本发明的效果而进行的确认实验中的晶片的非贯穿孔的剖视照片，(c)是环状沟的剖视照片。

具体实施方式

以下，根据附图说明本发明的实施方式。

[第1实施方式]

首先，参考图1至图5，针对第1实施方式的填充装置100进行说明。

(填充装置的构成)

第1实施方式的填充装置100是将填充材料3(参考图6)填充至形成于晶片1(参考图2)的环状沟等微细空间2(参考图2)并进行煅烧的装置。

如图1所示，填充装置100具备填充部10、煅烧部20、剥离部30、残渣去除/研磨部40、及清洗/干燥部50而作为晶片处理部。并且，填充装置100还具备搬入/搬出部60，所述搬入/搬出部60将已进行前工序的晶片1搬入至填充装置100内，且将已进行填充及煅烧之后的晶片1搬出至填充装置100外。并且，填充装置100还具备搬送部70，所述搬送部70通过机械臂70a将晶片1搬送至各个晶片处理部及搬入/搬出部60。在该填充装置100中，通过搬入/搬出部60搬入至填充装置100内的晶片1通过搬送部70依序搬送至填充部10、煅烧部20、剥离部30、残渣去除/研磨部40及清洗/干燥部50。由此，在煅烧的填充材料3b(图6参考)被填充至晶片1的微细空间2的状态下，使晶片1的微细空间2的形成面1a平滑化。并且，晶片1通过搬入/搬出部60而搬出至填充装置100外，以进行后序工序等。

另外，晶片1由一般的硅等半导体材料所构成。并且，如图3(b)所示，晶片1为俯视观察时具有大约200mm的直径的大致圆形，可以切成多个晶片。并且，如图2所示，晶片1在通过前工序的蚀刻处理而形成多个微细空间2的状态下，搬入至填充装置100(参考图1)内。在此，在晶片1形成有约一百万个微细空间2。另外，微细空间2为环状沟，与厚度方向正交的水平方向的宽度w1为大约100μm以下。并且，微细空间2的厚度方向的深度l1优选：以使微细空间2的深度l1与宽度w1的纵横比(l1/w1)满足约2以上且约20以下的方式，根据宽度w1而决定。例如，微细空间2的宽度w1为大约2μm，深度l1为约20μm(纵横比(l1/w1)约＝10)。

在晶片1中，形成有微细空间2的开口2a的侧的形成面1a上，在蚀刻处理时所设置的由感光性树脂等所构成的掩模4在前工序中未被去除而残留。另外，掩模4的贯穿孔4a与微细空间2相连通。掩模4的厚度(掩模4的贯穿孔4a的厚度方向的长度)t1为根据由蚀刻处理所设置的微细空间2的宽度w1及深度l1、微细空间2的开口率而适当地调整。另外，掩模4可以利用nmp(n-甲基吡咯啶)、dmso(二甲基亚砜)与koh(氢氧化钾)的混合物、dmso与mea(醇胺)的混合物、claeiant公司制造的az100remover等一般剥离剂而从晶片1上剥离。

(填充部的结构)

填充部10为所谓的真空旋涂机。即，如图3所示，填充部10包含：外观为圆柱状的处理室11；用于使处理室11内的压力降低的真空泵12；配置在处理室11内的晶片支撑部13及填充材料滴下部14。另外，填充材料滴下部14为本发明的“填充材料配置部”的一例。处理室11构成为可开闭，并且通过使真空泵12驱动而可以将内部空间设为约100pa以上且比大气压更低的减压环境。

晶片支撑部13为可以使所载置的晶片朝向与z方向正交的水平方向旋转。填充材料滴下部14具有：滴下喷嘴14a、及储存有填充材料3的储存部14b。滴下喷嘴14a具有将填充材料3滴下至晶片1的中心部分的功能。另外，通过调整填充材料3的滴下速度与晶片1的旋转速度，可以将填充材料3均匀且成为规定厚度地涂覆(旋涂)在晶片1。并且，填充材料滴下部14中，构成为将填充材料3从安装在滴下喷嘴14a的上部的储存部14b的底部侧(z2侧)供给至滴下喷嘴14a。由此，可以抑制储存部14b的液面附近的气泡进入被滴下的填充材料中。

并且，填充材料3由热固性树脂等绝缘性材料、或金属浆料等导电性材料、溶剂等构成。由热固性树脂所构成的绝缘性材料为在比常温高且约250℃以下的处理温度下交联而固化的热固性树脂(结合剂)。并且，就热固性树脂而言，例如有氟树脂、聚酰亚胺树脂、酚醛树脂、硅树脂、及环氧树脂。具体而言，氟树脂为例如asahiglassco.,ltd.制造的al-x2003、al-x2010等al-x2000系列。并且，聚酰亚胺树脂为例如asahikaseie-materialscorp.制造的pimel(注册商标)bm302、bl301。并且，酚醛树脂为例如jsrcorporation制造的elpac(注册商标)wpr1201、wpr5100。

另外，由金属浆料所构成的导电性材料，除了作为导体的金属粉末材料以外包含，在比常温高且约250℃以下的处理温度下交联而固化的热固性树脂(结合剂)。另外，金属浆料也可以包含在约250℃以下挥发的热干燥树脂以取代热固性树脂。此时，金属浆料所包含的金属粉末材料优选使用在约250℃以下的处理温度下熔融的焊料等。

(煅烧部的结构)

煅烧部20为可以将内部的空气清洁度维持在高的状态的无尘烤箱。如图4所示，煅烧部20包含处理室21、用于使处理室21内的压力提升的加压器22、及配置在处理室21内的晶片支撑部23与加热器24。处理室21构成为可开闭，并且通过使加压器22驱动将气体导入至处理室21内，而可以将内部空间设为比大气压更高的高压环境。另外，通过加压器22而导入至处理室21内的气体优选氮气等惰性气体。加热器24可以使晶片1升温至约250℃以下的温度。并且，加热器24具有未图示的温度传感器、cpu等，其结果，如图5所示的煅烧工序中的温度控制，构成为可以进行升温速度的控制、规定的温度的维持等。另外，针对图5的煅烧工序中的温度控制的详细内容，进行后述。

(填充装置的其他结构)

在剥离部30中，使用剥离剂来去除晶片1上的掩模4(参考图2(b))。另外，填充材料3中，经交联固化的al-x2000系列并不太会溶解于az100remover，因此在使用al-x2000系列作为填充材料3时，优选使用az100remover作为剥离剂。并且，填充材料3中，经交联固化的bm302及bl301为大致上不会溶解于nmp，因此在使用bm302及bl301作为填充材料3时，优选使用nmp作为剥离剂。在残渣去除/研磨部40中，通过cmp(化学机械研磨)或抛光机等机械研磨而研磨晶片1的形成面1a。清洗/干燥部50为一般的旋转清洗机。在清洗/干燥部50中，通过一边使晶片1旋转，一边使纯水滴下，而清洗晶片1的形成面1a整面。然后，在清洗/干燥部50中，通过一边喷吹氮气一边使晶片1高速旋转，而均匀地使晶片1的形成面1a干燥。

(填充方法的说明)

接着，参考图1至图6，说明第1实施方式的填充装置100中的填充步骤。

<填充部中的步骤说明>

首先，通过搬送部70将搬入/搬出部60所搬入的晶片1搬送至填充部10的处理室11内。此时，晶片1以形成面1a成为上表面(z1侧的面)的方式载置于晶片支撑部13(参考图3)的规定位置。并且，如图3(a)所示，在将晶片1收容于处理室11的内部的状态下，使处理室11内成为气密状态。然后，利用真空泵12使处理室11内成为减压环境(减压工序)。由此，晶片1的微细空间2内也会被减压。另外，处理室11内的减压环境为约100pa以上且约2000pa以下的减压环境即可，优选为约700pa以上约1000pa以下的减压环境。另外，约100pa以上且约2000pa以下的减压(低压)包含在jisz8126-1真空技术用语所记载的低真空领域。

并且，如图3(b)所示，一边使晶片1以约1500rpm以上且约3000rpm以下的旋转速度高速旋转，一边通过填充材料滴下部14，从晶片1的形成面1a侧(z1侧)将填充材料3滴下至掩模4上。此时，以规定的滴下速度将填充材料3滴下至晶片1的中心部分。由此，如图6所示，通过旋涂将填充材料3涂覆而与晶片1的表面接触(微细空间2的内侧面2b)(接触工序)。

在此，通过旋涂而涂覆在掩模4上的填充材料3的厚度(从填充材料3的与晶片1相反侧的液面3a至掩模4的上表面4b为止的厚度方向的距离)t2，取决于微细空间2的深度l1及掩模4的厚度t1。具体而言，厚度t2以满足式t2＝α×l1-t1的方式决定。在此，α为约1以上且约2以下的常数。即，可以根据掩模4的厚度t1来调整填充材料3的使用量。另外，如上所述，掩模4的厚度t1由于根据图2(b)所示的微细空间2的宽度w1及深度l1、微细空间2的开口率而适当地调整，因此厚度t2根据微细空间2的宽度w1及深度l1、微细空间2的开口率而间接地决定。在此，此时，容易因作用于微细空间2的表面的表面张力、晶片1或掩模4的湿润性，而产生在底面2c上未配置有填充材料3的非填充空间2d。

因此，在第1实施方式中，在晶片1的表面涂覆填充材料3之后，将被减压的处理室11内开放成大气压。由此，对填充材料3的与晶片1相反侧的液面3a的整面朝下方加压的力(图6的实线箭头)将会作用。由此，填充材料3也充分地填充(差压填充)在形成有非填充空间2d的微细空间2，其结果，将填充材料3均匀且充分地填充至各个晶片1的整体的约一百万个的微细空间2(填充工序)。另外，填充材料3也填充至晶片1上的掩模4的贯穿孔4a内。另外，在填充部10中，也可以使处理室11内从减压环境不回到大气压，而是使处理室11内从减压环境回到比该减压环境高的压力、且为比大气压低的规定压力，由此进行差压填充。

<煅烧部中的步骤说明>

然后，晶片1通过搬送部70从开放成大气压的处理室11内，在煅烧部20的处理室21内，载置至晶片支撑部23。并且，如图4所示，在将晶片1收容于处理室21内的状态下，将处理室21内设为气密状态。然后，利用加压器22使处理室21内成为比大气压更大的约0.5mpa以下的高压环境。由此，更可靠地将填充材料3填充至非填充空间2d，并且填充材料3的液面3a进一步被加压，快速地进行相当于体积减少分量的填充材料3的补充。

并且，在高压环境下，将处理室21内从常温阶段性地升温至处理温度，在各个阶段中控制处理时间，将填充材料3遍及晶片1的整体进行煅烧(煅烧工序)。另外，作为具体的温度控制的一例，如图5所示，首先，以每分钟约10℃的一定的升温速度，使处理室21内的温度从常温升温至约100℃。并且，将处理室21内，在约100℃下维持约5分钟。在这些的第一次烘烤中，主要进行使填充材料3的热固性树脂的形状稳定的多余溶剂的去除。然后，以每分钟约10℃的一定升温速度，使处理室21内的温度从约100℃升温至约180℃。然后，将处理室21内，在约180℃下维持约5分钟。在这些的第二次烘烤中，在填充材料3的热固性树脂均匀地分散的状态下，溶剂会完全地被去除。

然后，以每分钟约10℃的一定升温速度，使处理室21内的温度从约180℃升温至约250℃(处理温度)。并且，通过将处理室21内，在250℃下维持约30分钟以上且约1小时以下的处理时间，从而进行煅烧(固化)。在该固化中，填充材料3由热固性树脂所构成时，通过进行交联而使填充材料3固化，填充材料3成为被煅烧的填充材料3b。并且，在该固化中，填充材料3由包含热干燥树脂的金属浆料所构成时，热干燥树脂会完全地蒸发且填充材料3(焊料等)会熔融。然后，填充材料3通过之后的冷却而固化，成为被煅烧的填充材料3b。另外，煅烧工序中的温度及处理时间(煅烧条件)可以根据填充材料3的材质(含有成分)而调整成适当的不同煅烧条件。

并且，在第1实施方式中，如图6所示，在填充工序中除了将填充材料3充分地填充至微细空间2的整体，也将填充材料3填充至晶片1上的掩模4的贯穿孔4a内。因此，即使微细空间2中的填充材料3的体积因煅烧(挥发)而减少，该填充材料3的减少分量会从填充至掩模4的贯穿孔4a的填充材料3及掩模4的上表面4b上的填充材料3填补于微细空间2，由此填充煅烧在微细空间2的整体的填充材料3b。在此，通过掩模4的贯穿孔4a的厚度方向的长度t1与填充材料3的厚度t2的总计为微细空间2的深度l1的约1倍以上且约2倍以下，可以将充分量的填充材料3填补于微细空间2。

另外，煅烧工序中的处理温度，根据填充材料3的热固性树脂的性质等，也可以设定在约250℃以下的温度，也可以调整处理时间。例如，属于热固性树脂的bm302、bl301在约180℃下进行交联固化，因此也可以将约180℃设为处理温度。此时，由于处理温度低，因此在第一次烘烤及第二次烘烤的任一次烘烤或两次烘烤，也可以不设置维持一定温度的期间而连续地进行升温。

另外，在煅烧部20中，也可以不在高压环境中进行煅烧工序，而在大气压环境下进行煅烧。此时，可以利用未具有加压器的无尘烤箱来进行煅烧。并且，只要在无尘室内等充分清洁的环境下，则也可以不利用无尘烤箱而利用加热板来进行煅烧。并且，在煅烧部20中，也可以在比大气压更低的减压环境下进行煅烧。

<煅烧部之后的步骤说明>

在将处理室21内开放成大气压之后，通过搬送部70将晶片1从煅烧部20搬送至剥离部30。并且，如图6所示，在剥离部30中利用剥离剂来去除晶片1上的掩模4(剥离工序)。此时，将掩模4上的被煅烧的填充材料3b与掩模4一同被去除。然后，搬送至残渣去除/研磨部40，研磨晶片1的形成面1a(残渣去除/研磨工序)。由此，从微细空间2溢出而煅烧的填充材料3b会被去除而使形成面1a平滑化。然后，被搬送至清洗/干燥部50，清洗及干燥晶片1(清洗/干燥工序)。最后，晶片1通过搬入/搬出部60被搬出。

在第1实施方式中，能够获得以下的效果。

在第1实施方式中，如上所述，具备：在经减压的处理室11内使填充材料3与晶片1的表面接触的接触工序；以及通过对填充材料3的与晶片1相反侧的液面3a的整面进行加压，而将填充材料3差压填充至晶片1的微细空间2的填充工序。由此，由于能够在遍及晶片1的微细空间2的形成面1a的整面，同时将填充材料3填充至微细空间2内，因此能够在不会产生大幅的时间差的情况将填充材料3迅速且充分地填充至晶片1内的所有微细空间2。并且，即使晶片1中混杂有包含纵横比(深度/宽度)为5以上的微细空间2的各种形状的微细空间2，也能够在同一条件下将填充材料3迅速且充分地填充至微细空间2。

并且，在第1实施方式中，如上所述，具备：对填充材料3的液面3a的整面进行加压的填充工序；以及遍及晶片1的整体而煅烧填充材料3的煅烧工序。由此，不仅能够迅速地将填充材料3填充至微细空间2，也能够遍及晶片1的整体而在一次的煅烧工序中煅烧填充材料，因此能够迅速地进行填充材料3的填充至煅烧的工序。其结果，由于能够抑制因在对所有微细空间2进行填充时产生时间差而造成填充材料3局部性固化，因此能够在微细空间2内均匀地填充所煅烧的填充材料3b。因此，能够抑制微细空间2内的煅烧的填充材料3b的特性(绝缘性等)产生偏差。

并且，在第1实施方式中，如上所述，在减压工序中，通过将处理室11内减压至约2000pa以下，能够在减压工序后的填充工序中可靠地使差压产生，而将填充材料3差压填充至微细空间2。并且，在减压工序中，通过将处理室11内减压成约100pa以上，与大幅减压至约低于100pa的情况相比较，能够使处理室11的密封结构简易化，也能够使设置于处理室11内的设备类(晶片支撑部13及填充材料滴下部14)的构成简单化。

并且，在第1实施方式中，如上所述，填充材料3包含比常温高且在约250℃以下的处理温度下交联的热固性树脂。由此，在煅烧工序中，能够抑制形成于晶片1的配线等因超过约250℃的高温而劣化。

并且，在第1实施方式中，如上所述，在煅烧工序中，从常温阶段性升温至处理温度，并且在各个阶段中控制处理时间，由此煅烧填充材料3。由此，由于能够根据填充材料3的含有成分而精细地调整温度及处理时间，因此，与不阶段性升温而一次升温至处理温度的情况相比较，能够随着填充材料3的变化(溶剂的挥发、填充材料3的软化等)进行煅烧。并且，通过调整各个阶段的处理时间，而能够在各个阶段中使晶片1整体的温度趋近于固定，因此能够更可靠地于微细空间2内填充所煅烧的填充材料3b。

并且，在第1实施方式中，如上所述，在接触工序中，使晶片1的形成面1a至液面3a的填充材料3的厚度t3(＝t1+t2)成为微细空间2的深度l1的约1倍以上且约2倍以下。由此，在煅烧工序中，即使填充至微细空间2内的填充材料3的体积减少，也能够通过以微细空间2的深度l1以上的厚度t3而配置于比晶片1的形成面1a更靠近与晶片1相反侧的位置的填充材料3来填补。由此，能够可靠地在微细空间2内的整体填充所煅烧的填充材料3b。

并且，在第1实施方式中，如上所述，当填充材料3为绝缘性材料时，由于能够将绝缘性材料填充至微细空间2内，因此例如在tsv技术中，能够轻松地将绝缘性材料填充至微细空间2内。并且，当填充材料3为导电性材料时，由于能够将导电性材料填充至微细空间2内，因此例如在tsv技术中，能够容易形成硅贯穿电极。

并且，在第1实施方式中，如上所述，在接触工序中，一边使晶片1高速旋转，一边使填充材料3从晶片1的形成面1a侧滴下，由此使填充材料3与晶片1的表面接触。由此，能够通过旋涂将填充材料3均匀地配置在晶片1的形成面1a侧。

并且，在第1实施方式中，如上所述，在将微细空间2形成于晶片1的形成面1a上时的掩模4残留的状态下，进行填充工序及煅烧工序，在煅烧工序后，在剥离工序中剥离掩模4。由此，在剥离掩模4时，由于掩模4上的不需要的被煅烧的填充材料3b也一同被去除，因此能够缩短之后进行的晶片1的残渣去除、研磨工序的时间。由此，能够更迅速地获得被煅烧的填充材料3b填充于微细空间2的晶片1。

[第2实施方式]

接着，参考图1、图2、图6及图7，说明第2实施方式的填充装置200。该填充装置200与上述第1实施方式的填充装置100不同，对在填充部110中，利用辊114将填充材料3涂覆于晶片1的例子进行说明。另外，对于与第1实施方式相同的构成，标注相同的符号，并省略说明。

(填充装置的构成)

如图1所示，第2实施方式的填充装置200具备填充部110、煅烧部20、剥离部30、残渣去除/研磨部40、及清洗/干燥部50而作为晶片处理部。如图7所示，填充部110包含处理室11、真空泵12、及配置在处理室11内的晶片支撑部13与辊114。另外，辊114为本发明的“填充材料配置部”及“膜厚调整用部件”的一例。

辊114具有圆柱状的辊部114a、及轴部114b。圆柱状的辊部114a以比晶片1的半径略长且沿水平方向延伸的方式配置在晶片1上。并且，辊部114a构成为：在配置于晶片1上时，以轴部114b为旋转轴进行旋转，并且将沿着辊部114a的延伸方向配置成一列的填充材料3涂覆(扩展涂覆)于晶片1。另外，构成为：通过填充材料供给部件(未图示)，将用于1片晶片1的量的填充材料3供给至晶片1上。并且，第2实施方式的晶片1的结构(参考图2及图6)、填充材料3的特性、及填充装置200的其他构成与上述第1实施方式相同。

(填充方法的说明)

接着，参考图1、图6及图7，说明第2实施方式的填充装置200的填充步骤。

在第2实施方式的填充装置200中，与上述第1实施方式的填充装置100的填充步骤相同地，如图7(a)所示，使收容有晶片1的处理室11内成为减压环境(减压工序)。并且，如图7(b)所示，在晶片1的形成面1a上的规定位置配置辊114的辊部114a，并通过填充材料供给部件(未图示)，供给用于1片晶片1的量的填充材料3。然后，以约1rpm以上且约60rpm以下的旋转速度使晶片1低速旋转。由此，辊部114a会绕着轴部114b旋转，同时通过在晶片1的形成面1a侧的掩模4的上表面4b(图6参考)上进行相对移动，从而以大致一定的厚度，将填充材料3涂覆在掩模4的上表面4b的整面，且将填充材料3涂覆并接触在晶片1的表面(微细空间2的内侧面2b)(接触工序)。

因此，在第2实施方式中也与上述第1实施方式相同地，在填充材料3涂覆于晶片1的表面之后，将经减压的处理室11内开放成大气压。由此，即使产生非填充空间2d，填充材料3也会充分地填充(差压填充)于微细空间2的整体(填充工序)。然后，与上述第1实施方式相同地，遍及晶片1的整体而进行煅烧(煅烧工序)，且进行剥离工序、残渣去除/研磨工序及清洗/干燥工序之后，将晶片1搬出。

在第2实施方式中，能够获得以下的效果。

在第2实施方式中，如上所述，具备：通过对填充材料3的液面3a的整面进行加压，将填充材料3差压填充至晶片1的微细空间2的填充工序；以及遍及晶片1的整体而煅烧填充材料3的煅烧工序。由此，能够在不会产生大幅的时间差的情况下将填充材料3迅速且充分地填充至晶片1内的所有微细空间2，而且即使在晶片1内混杂有各种形状的微细空间2，也能够在同一条件下将填充材料3迅速且充分地填充至微细空间2。并且，能够在微细空间2内均匀地填充所煅烧的填充材料3b。

并且，在第2实施方式中，如上所述，在接触工序中，通过填充材料供给部件供给用于1片晶片1的量的填充材料3。然后，一边使晶片1低速旋转，一边通过辊114以大致一定的厚度将填充材料3涂覆在掩模4的上表面4b的整面，由此使填充材料3与晶片1的表面接触。由此，与仅通过上述第1实施方式的旋涂而将填充材料3涂覆于晶片1的情况相比较，能够使因晶片1的旋转而从晶片1上飞溅的填充材料3的量减少。另外，第2实施方式的其他效果与第1实施方式相同。

[第3实施方式]

接着，参考图8至图11，针对第3实施方式的填充装置300进行说明。

(填充装置的构成)

如图8所示，第3实施方式的填充装置300具备填充部210、煅烧部20、残渣去除/研磨部40、及清洗/干燥部50而作为晶片处理部。即，与上述第1实施方式的填充装置100不同，并未设置剥离部。在该填充装置300中，晶片201(图9参考)通过搬送部70而依序搬送至填充部210、煅烧部20、残渣去除/研磨部40及清洗/干燥部50。

另外，如图9所示，晶片201，除了蚀刻处理时所设的掩模在前工序中被去除的点以外，具有与上述第1实施方式的晶片1(参考图2(b))相同的构成。即，微细空间202具有宽度w1及深度l1。

如图10所示，填充部210构成为：包含处理室11、真空泵12、及配置在处理室11内的晶片支撑部213及填充材料储存部214。晶片支撑部213在支撑晶片201的状态下沿z方向移动。由此，构成为：通过晶片支撑部213可以使晶片201与配置在z2侧的填充材料储存部214所储存的填充材料3接触。另外，填充材料储存部214为本发明的“填充材料配置部”的一例。并且，在填充部210设置有未图示的刷子等。通过该刷子等，可以调整配置在晶片201上的填充材料3的厚度(形成面1a至填充材料3的与晶片201相反侧的液面3a的距离)t4(参考图11)。另外，填充材料3的厚度t4优选为微细空间202的深度l1的约50％以上且约2倍以下。另外，填充装置300的其他构成与上述第1实施方式相同。

(填充方法的说明)

接着，参考图11，说明第3实施方式的填充装置300的填充步骤。

首先，在以微细空间202的开口2a朝向下(z2方向)的方式而将形成面1a设为下表面(z2侧的面)的状态下，通过晶片支撑部213来支撑晶片201。并且，与上述第1实施方式的填充装置100的填充步骤相同地，使收容有晶片201的处理室11内成为减压环境(减压工序)。并且，通过使晶片支撑部213(参考图10)朝下方移动，使晶片201浸渍于填充材料储存部214内的填充材料3。此时，通过浸渍到晶片201的与形成面1a相反侧的面的近前，而能够抑制填充材料3进入与形成面1a相反侧的面，因此能够抑制填充材料3不必要地配置在与形成面1a相反侧的面上。并且，此时也能够使晶片201的整体浸渍在填充材料储存部214内的填充材料3。由此，填充材料3会与晶片201的表面(微细空间202的内侧面2b及形成面1a)接触(接触工序)。然后，从填充材料储存部214拉起晶片201。

因此，即使在第3实施方式中也与上述第1实施方式相同地，将经减压的处理室11内开放成大气压。由此，对填充材料3的与晶片201相反侧的液面3a的整面朝上方加压的力(图11的实线箭头)将会作用。因此，即使产生非填充空间2d，也会在微细空间202的整体充分地填充(差压填充)有填充材料3(填充工序)。然后，以使形成面1a成为上表面(z1侧的面)的方式使晶片201的上下颠倒之后，通过未图示的刷子等，将晶片201的形成面1a上的填充材料3的厚度t4调整成微细空间202的深度l1的约50％以上且约2倍以下(平整工序)。由此，可以减少填充材料3的使用量。另外，也可以省略该平整工序。

然后，与上述第1实施方式相同地，对晶片201进行煅烧工序。此时，即使微细空间202中的填充材料3的体积因煅烧(挥发)而减少，该填充材料3的减少的分量会从晶片201的形成面1a上的填充材料3填补于微细空间202。并且，由于在晶片201未残留有掩模，因此在晶片201的形成面1a上将会填充直接被煅烧的填充材料3b。然后，对晶片201进行残渣去除/研磨工序，以去除形成面1a上的被煅烧的填充材料3b，并且使形成面1a平滑化。然后，进行清洗/干燥工序，而将晶片201搬出。

在第3实施方式中，能够获得以下的效果。

在第3实施方式中，如上所述具备有：通过对填充材料3的液面3a的整面进行加压，将填充材料3差压填充至晶片201的微细空间202的填充工序；以及遍及晶片201的整体而煅烧填充材料3的煅烧工序。由此，在不会产生大幅的时间差的情况下将填充材料3迅速且充分地填充至生晶片201内的所有微细空间202，并且即使在晶片201内混杂有各种形状的微细空间202，也能够在同一条件下将填充材料3迅速且充分地填充至微细空间202。并且，能够在微细空间202内均匀地填充所煅烧的填充材料3b。

并且，在第3实施方式中，如上所述，在接触工序中，在晶片201的微细空间202的开口2a朝下的状态下，使晶片201浸渍于填充材料3，而使填充材料3与晶片201的表面接触。由此，能够以简单的构成将填充材料3填充至晶片201的微细空间202的形成面1a。

并且，在第3实施方式中，如上所述，通过刷子等将晶片201的形成面1a上的填充材料3的厚度t4调整成微细空间202的深度l1的约50％以上且约2倍以下。由此，能够填补填充材料3的体积减少分量，并且抑制填充材料3的使用量变多。另外，第3实施方式的其他效果与第1实施方式相同。

[实施例]

接着，参考图5、图9、图10及图12，对用于确认本发明的效果而进行的填充状态的确认实验进行说明。

(实施例及比较例的填充方法)

在该确认实验中，准备图9所示的形成有多个微细空间202的晶片201。具体而言，准备作为多个微细空间202而形成有以下部分的晶片201：具有2μm的直径w1及20μm的深度l1的非贯穿孔(纵横比＝10)；具有10μm的直径w1及50μm的深度l1的非贯穿孔(纵横比＝5)；具有1μm的宽度w1及17μm的深度l1的环状沟(纵横比＝17)；具有4μm的宽度w1及24μm的深度l1的环状沟(纵横比＝6)；及具有2μm的宽度w1及20μm的深度l1的环状沟(纵横比＝10)。

在此，在实施例中，使处理室11内成为600pa的减压环境(减压工序)。并且，使晶片201的整体浸渍于填充材料储存部214内的填充材料3(参考图10)(接触工序)。此时，利用属于氟树脂的asahiglassco.,ltd.制造的al-x2000系列来作为填充材料3。然后，将被减压的处理室11内开放成大气压(填充工序)。并且，在不进行平整工序的情况下，通过进行图5所示的温度控制，在大气压环境下进行煅烧(煅烧工序)。然后，观察煅烧工序后的晶片201的截面。

另一方面，在比较例中，使晶片201的整体浸渍于填充材料储存部214内的填充材料3(接触工序)后，使处理室11内成为600pa的减压环境(减压工序)。然后，将经减压的处理室11内开放成大气压。并且，与实施例相同地进行煅烧工序之后，观察煅烧工序后的晶片201的截面。即，与实施例不同地，比较例中将减压工序在接触工序之后进行。

(实验结果)

作为图12所示的截面观察的结果，在实施例中，形成于1片晶片201中的多个非贯穿孔及环状沟的各个中，可以确认经煅烧的填充材料被充分地填充。并且，在各个非贯穿孔内及环状沟内，在从底面至开口为止的整体，充分地填充了所煅烧的填充材料，而未观察到空隙的产生。由于，在实施例的填充方法中，即使在晶片中混杂有宽度(直径)、深度不同的各种形状的微细空间，也可以在相同条件下将填充材料迅速且充分地填充至微细空间。并且，由于各个非贯穿孔及环状沟的开口填充有煅烧的填充材料，因此，可以认为是在煅烧工序中，填充材料以填补非贯穿孔内、环状沟内的填充材料的减少分量的方式，从晶片的形成面来填补。

另一方面，在比较例中，特别是在各个具有10μm的直径的非贯穿孔及3种环状沟中，确认了未充分地填充被煅烧的填充材料而产生空隙(颜色较浓的部分)。由此认为，在比较例的填充方法中，填充材料并未在填充工序中充分地被填充至非贯穿孔、环状沟，其结果，会在煅烧工序后观察到空隙。

[变形例]

另外，本次公开的实施方式皆为例示，应视为没有限制性。本发明的范围并非由上述的实施方式的说明而是由权利要求所示，且包含与权利要求均等的意义及范围内的所有变化(变形例)。

例如，上述第1至在第3实施方式中，虽例示使处理室11内的减压环境成为约100pa以上且约2000pa以下的减压环境的例子，但本发明并不限于此。在本发明中，也可以使处理室内的减压环境成为约低于100pa，也可以比约2000pa大且低于大气压。即，只要以使差压产生的方式对处理室内进行减压即可。并且，关于填充材料中容易产生气泡，通过将处理室内的压力设定为较高，即可以抑制气泡的产生。

并且，上述第1至在第3实施方式中，虽例示分别设置填充部10(110、210)与煅烧部20的例子，但本发明并不限于此。在本发明中，也可以在填充部设置加热器，而在填充部内总括地进行从填充材料的填充至煅烧为止的工序。由此，可以更迅速地进行从填充材料的填充至煅烧为止的工序。

并且，上述第1及第2实施方式中，虽例示在晶片1上残留掩模4的状态下，将填充材料3通过旋涂及辊114涂覆在晶片1的例子，但本发明并不限于此。在本发明中，也可以在晶片上未残留掩模的状态(第3实施方式的晶片201的状态)下，通过旋涂或辊等将填充材料涂覆在晶片。在此，在通过旋涂将填充材料涂覆在晶片的情况下，即使在将涂覆后的填充材料进行煅烧之后，也能够使晶片的表面充分地平滑化，因此可以不进行残渣去除而将所煅烧的填充材料直接作为绝缘膜来使用。

并且，上述第3实施方式中，虽例示在晶片201上未残留掩模4的状态下，使晶片201浸渍于填充材料3的例子，但本发明并不限于此。在本发明中，也可以在晶片上残留掩模的状态(第1及第2实施方式的晶片1的状态)下，使晶片浸渍于填充材料。

并且，上述第1及第2实施方式中，虽例示在剥离工序之后进行残渣去除及研磨工序的例子，但本发明并不限于此。在本发明中，若在剥离掩模时可以将不需要的所煅烧的填充材料充分地去除，则也可以省略残渣去除及研磨工序。

并且，上述第1实施方式中，虽例示使晶片1高速旋转的情况下通过填充材料滴下部14使填充材料3从晶片1的形成面1a侧(z1侧)滴下至晶片1的中心部分，将填充材料3涂覆于晶片1的例子，但本发明并不限于此。在本发明中，也可以在减压环境下，使储存有晶片1片份的填充材料的填充材料储存部倾斜，而将填充材料从晶片的形成面侧配置在晶片的中心部分。然后，使晶片高速旋转，而将填充材料涂覆于晶片。并且，也可以在减压环境下，使填充材料储存部倾斜并且使晶片低速旋转，而将填充材料涂覆在晶片。

并且，上述第2实施方式中，虽例示在减压环境下，通过辊114将沿辊部114a的延伸方向配置成一列的填充材料3涂覆(扩展涂覆)在晶片1的例子，但本发明不限于此。在本发明中，也可以将填充部构成为：在减压环境下，利用作为涂覆手段的抹刀来取代辊，将沿抹刀的延伸方向配置成一列的填充材料涂覆(扩展涂覆)于晶片。此时，通过适当地调整作为涂覆手段的抹刀与晶片的间隙(缝隙)，而可以任意地设定形成的填充材料的厚度。另外，涂覆手段是指在不会与晶片的表面接触的情况下，与晶片的表面保持大致一定的缝隙而将填充材料推散，由此扩展涂覆填充材料的部件。即，作为涂覆手段的抹刀与在与晶片的表面接触的状态下刮取填充材料的作为刮刀的抹刀不同。并且，也可以使用割刀或刮铲来作为涂覆手段，以取代抹刀。

并且，上述第2实施方式中，虽例示通过填充材料供给部件而供给1片晶片1所用的量的填充材料3后，使晶片1低速旋转并且利用辊114将填充材料3涂覆于晶片1的例子，但本发明并不限于此。在本发明中，也可以通过填充材料供给部件，供给用于1片晶片的分量的填充材料，且一边使晶片低速旋转一边利用作为涂覆手段的辊而将填充材料扩展涂覆于晶片之后，作为后序工序追加如图3所示的上述第1实施方式中，使晶片高速旋转，并控制扩展涂覆于晶片的表面的填充材料的膜厚的工序。另外，在后序工序中，优选将填充材料的膜厚控制成大致一定的厚度。并且，作为涂覆手段的辊为本发明的“填充材料配置部”及“涂覆用的部件”的一例。由此，由于以几乎没有在晶片高速旋转时从晶片上飞溅的填充材料的分量的方式，调整供给至晶片的表面的填充材料的分量，因此能够无浪费地将所需最小限度的填充材料配置在晶片的微细空间的形成面侧。并且，由于在后序工序中，能够使晶片高速旋转而调整填充材料的厚度，因此在使晶片低速旋转的情况下，利用辊将填充材料扩展涂覆于晶片时，无须以使厚度大致均匀的方式精确地将填充材料扩展涂覆于晶片。

并且，在上述第1至第3实施方式中，作为微细空间2(202)，示出例如宽度w1为约2μm、深度l1为约20μm的环状沟，在实施例中，示出规定大小的2种非贯穿孔及3个环状沟，但本发明并不限于此。在本发明中，微细空间为具有约100μm以下的宽度的微细的沟槽、具有约100μm以下的孔径的微细的贯穿孔及非贯穿孔即可。另外，本发明的填充方法及填充装置更适于将填充材料填充至具有约1μm以上且约10μm以下的宽度(孔径)的微细空间。

并且，在上述第1实施方式中，例示了通过旋涂进行接触工序，在上述第2实施方式中，例示了通过涂覆进行接触工序，在上述第3实施方式中例示了通过浸渍进行接触工序的例子，但本发明并不限于此。在本发明中，也可以通过旋涂、涂覆及浸渍以外的工序(方法)来进行接触工序。

符号说明

1、201-晶片，1a-形成面，2、202-微细空间，2a-开口，3-填充材料，4-掩模，11-处理室，14-填充材料滴下部(填充材料配置部)，100、200、300-填充装置，114-辊(填充材料配置部、膜厚调整用部件)，214-填充材料储存部(填充材料配置部)。

权利要求书(按照条约第19条的修改)

1.(补正后)一种填充方法，将填充材料填充至设置于晶片的微细空间，该填充方法具备：

减压工序，对载置有所述晶片的处理室内进行减压；

接触工序，在经减压的所述处理室内，使所述填充材料与所述晶片的表面接触；

填充工序，通过对所述填充材料的与所述晶片相反侧的面的整面进行加压，而将所述填充材料差压填充至所述晶片的所述微细空间；以及

煅烧工序，遍及所述晶片的整体而煅烧所述填充材料，

所述接触工序包含如下工序：在所述晶片的厚度方向上，以使从所述晶片的所述微细空间的形成面至所述填充材料的与所述晶片相反侧的面为止的距离成为所述微细空间的深度以上的方式，将所述填充材料配置在所述晶片。

2.根据权利要求1所述的填充方法，其中，

所述减压工序包含将所述处理室内减压成100pa以上且2000pa以下的工序。

3.根据权利要求1所述的填充方法，其中，

所述填充材料包含在高于常温且250℃以下的处理温度下交联的热固性树脂。

4.根据权利要求1所述的填充方法，其中，

所述煅烧工序包含：从常温阶段性地升温至所述处理温度，并在各个阶段中控制处理时间，从而煅烧所述填充材料的工序。

5.(删除)

6.根据权利要求1所述的填充方法，其中，

所述填充材料为绝缘性材料。

7.根据权利要求1所述的填充方法，其中，

所述填充材料为导电性材料。

8.根据权利要求1所述的填充方法，其中，

所述接触工序包含：一边使所述晶片旋转，一边使所述填充材料从所述晶片的所述微细空间的形成面侧滴下，由此使所述填充材料与所述晶片的表面接触的工序。

9.根据权利要求1所述的填充方法，其中，

所述接触工序包含：将所述填充材料供给至所述晶片的表面的工序；以及一边使所述晶片旋转，一边通过膜厚调整用部件，以大致一定的厚度将所述填充材料涂覆于所述晶片的所述微细空间的形成面侧的整面，由此使所述填充材料与所述晶片的表面接触的工序。

10.根据权利要求1所述的填充方法，其中，

所述接触工序包含：将所述填充材料供给至所述晶片的表面的工序；一边使所述晶片低速旋转，一边通过涂覆用的部件将所述填充材料涂覆于所述晶片的所述微细空间的形成面侧的整面，从而使所述填充材料与所述晶片的表面接触的工序；以及使所述晶片高速旋转，而控制所述填充材料在所述晶片的表面的膜厚的工序。

11.根据权利要求1所述的填充方法，其中，

所述接触工序包含：在所述晶片的所述微细空间的开口朝下的状态下，通过将所述晶片浸渍在所述填充材料，从而使所述填充材料与所述晶片的表面接触的工序。

12.根据权利要求1所述的填充方法，其中，

在将所述微细空间形成于所述晶片的所述微细空间的形成面上时的掩模残留的状态下，进行所述填充工序及所述煅烧工序，

且在所述煅烧工序后还具备剥离所述掩模的剥离工序。

13.(补正后)一种填充装置，具备：

处理室，可以对内部进行减压；

填充材料配置部，在经减压的所述处理室内，使填充材料与设置有微细空间的晶片表面接触；以及

煅烧部，遍及所述晶片的整体而煅烧所述填充材料；

在所述处理室中，构成为：通过对经接触的所述填充材料的与所述晶片相反侧的整面进行加压，而使所述填充材料差压填充至所述晶片的所述微细空间，

所述填充材料配置部在所述晶片的厚度方向上，以使从所述晶片的所述微细空间的形成面至所述填充材料的与所述晶片相反侧的面为止的距离成为所述微细空间的深度以上的方式，将所述填充材料配置在所述晶片。

14.(追加)根据权利要求12所述的填充方法，其中，

在将所述微细空间形成于所述晶片的所述微细空间的形成面上时的所述掩模残留的状态下，进行所述接触工序，

所述接触工序包含如下工序：在所述晶片的厚度方向上，以使从所述晶片的所述微细空间的形成面至所述填充材料的与所述晶片相反侧的面为止的所述填充材料的厚度及所述掩模的厚度的总计成为所述微细空间的深度以上且2倍以下的方式，将所述填充材料配置在所述晶片。