技术特征：
技术总结
本发明公开了一种形成存储器设备的方法，该方法包括在衬底上形成第一绝缘层、第一导电层、第二绝缘层、第二导电层、第三绝缘层。第一沟槽穿过第三绝缘层、第二导电层、第二绝缘层和第一导电层形成，从而使第一导电层的侧面部分暴露。第四绝缘层形成在第一沟槽的底部处，第四绝缘层沿着第一导电层的暴露部分延伸。第一沟槽填充有导电材料。第二沟槽穿过第三绝缘层、第二导电层、第二绝缘层和第一导电层形成。漏极区形成在第二沟槽下方的衬底中。产生一对存储器单元，其中单个连续沟道区在所述对存储器单元的漏极区之间延伸。
技术研发人员：N.杜;X.刘;V.蒂瓦里;H.V.陈
受保护的技术使用者：硅存储技术公司
技术研发日：2016.01.19
技术公布日：2017.09.26