技术特征：
技术总结
在方向偏置施加状态下防止半导体开关开启。包括：半导体开关SW，具有集电极C、发射极E、以及栅电极G；齐纳二极管5A，其一端与集电极C电气连接，其另一端与栅电极G电气连接，并且为N型半导体层与P型半导体层交互地相邻配置的结构；以及齐纳二极管5B，其一端与栅电极G电气连接，其另一端与发射极E电气连接，并且为N型半导体层与P型半导体层交互地相邻配置的结构，其中，齐纳二极管5A以及齐纳二极管5B被构成为：在反向偏置施加状态下，栅电极G的电压不会上升至半导体开关SW的开启阀值电压。
技术研发人员：小谷凉平;松原寿树;石塚信隆;三川雅人;押野浩
受保护的技术使用者：新电元工业株式会社
技术研发日：2016.12.22
技术公布日：2018.08.31