用于原子层次分辨率与等离子体处理控制的方法与流程

技术特征：

1.一种在基板处理腔室的处理容积内处理基板的方法，所述方法包含下列步骤：

(a)在所述处理容积内的第一电极与第二电极之间提供处理气体，所述处理气体包含聚合物形成气体和蚀刻气体，其中所述第一电极在所述第二电极对面；

(b)从第一RF电源施加第一电压波形至所述第二电极，以由所述处理气体形成等离子体，其中所述等离子体具有第一离子能量以直接在所述基板的介电层顶上沉积聚合物层；及

(c)将所述第一电压波形调整成第二电压波形，以使所述等离子体的离子能量从所述第一离子能量提高至第二离子能量，其中所述等离子体在所述第二离子能量下停止沉积所述聚合物层，并开始蚀刻所述聚合物层和所述介电层。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述聚合物形成气体包含氟碳气体。

3.如权利要求2所述的方法，其中所述蚀刻气体包含稀有气体。

4.如权利要求1所述的方法，其中所述处理气体进一步包含含氧气体。

5.如权利要求1至4中任一项所述的方法，其中所述等离子体的所述第一离子能量为约0.1eV至约100eV。

6.如权利要求1至4中任一项所述的方法，其中所述等离子体的所述第二离子能量为约50eV至约3000eV。

7.如权利要求1至4中任一项所述的方法，其中所述第二电极设在基板支撑基座内。

8.如权利要求1至4中任一项所述的方法，进一步包含从第二RF电源施加能量至所述第一电极。

9.如权利要求8所述的方法，其中所述第二RF电源提供约50瓦至约2000瓦的功率至所述第一电极。

10.如权利要求1至4中任一项所述的方法，进一步包含以下步骤：重复步骤(b)-(c)，以将所述介电层蚀刻至预定厚度。

11.如权利要求1至4中任一项所述的方法，其中将所述第一电压波形调整成所述第二电压波形的步骤包含以下步骤：利用波形调整器来改变所述第一电压波形与所述第二电压波形之间的波形形状和相位，所述波形调整器耦接于所述第一RF电源与所述第二电极之间。

12.如权利要求1至4中任一项所述的方法，其中所述处理容积内的压力为约20毫托耳至约200毫托耳。

13.一种基板处理设备，包含：

基板处理腔室，具有基板处理容积；

基板支撑基座，设在所述基板处理容积内；

第一电极，设在所述基板支撑基座内；

第二电极，设在所述基板处理容积中且在所述第一电极对面；

第一波形调整器，耦接至所述第一电极；

第一RF电源，耦接至所述第一波形调整器；

第二波形调整器，耦接至所述第二电极；及

第二RF电源，耦接至所述第二波形调整器。

14.如权利要求13所述的基板处理设备，其中所述基板支撑基座在较低位置与可选的较高位置之间是可移动的。

15.如权利要求13至14中任一项所述的基板处理设备，进一步包含以下各项中的至少一者：

耦接至所述第一电极的第一脉冲调整器，以及耦接至所述第一脉冲调整器的第三RF电源；或者

耦接至所述第二电极的第二脉冲调整器，以及耦接至所述第二脉冲调整器的第四RF电源。