技术特征：
技术总结
提供一种能够通过抑制从电流感测部向与感测侧表面电极接合的布线材料的热的逸出来提高电流感测部的主电流的电流值的检测精度的SiC半导体装置。提供半导体装置1，所述半导体装置1包含：SiC半导体基板、包含主电流侧单位单元34的源极部27、包含感测侧单位单元40的电流感测部26、配置在源极部27的上方的源极侧表面电极5、以及配置在电源感测部26的上方且具有接合有感测侧线的感测侧焊盘15的感测侧表面电极6，感测侧单位单元40被配置于避开了感测侧焊盘15的正下部的位置。
技术研发人员：长尾胜久
受保护的技术使用者：罗姆股份有限公司
技术研发日：2016.12.07
技术公布日：2018.08.31