显示设备的制作方法

本发明涉及一种显示设备，且特别涉及一种具有反射结构的显示设备。

背景技术：

由于发光二极管(lightemittingdiode，led)显示设备具有主动式发光、高亮度、高对比度、低功耗等优势，且相较于有机发光二极管(organiclightemittingdiode，oled)显示设备具有较长寿命等优点，因此近年来成为新型显示器大力发展的技术之一。为了满足高分辨率的需求，发光二极管显示设备正朝向由主动组件数组衬底与数组排列的微米尺寸的发光二极管组成的方向发展。

技术实现要素：

本发明提供一种显示设备，可应用于大面积的显示设备或双面显示器。

本发明的显示设备包括第一衬底、发光组件以及第一反射结构。发光组件配置于第一衬底上，其中发光组件的高度大于等于1μm且小于等于20μm。第一反射结构对应发光组件配置，其中发光组件所发出的光经由第一反射结构反射后由第一衬底射出。

基于上述，在本发明的显示设备中，可通过反射结构控制发光组件的发光方向，以使发光组件所发出的光经由第一反射结构反射后由第一衬底射出。

为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所示附图作详细说明如下。

附图说明

图1是本发明的一实施例的显示设备的局部剖面示意图；

图2是本发明的另一实施例的显示设备的局部剖面示意图；

图3是本发明的再一实施例的显示设备的局部剖面示意图；

图4是本发明的再一实施例的显示设备的局部剖面示意图；

图5是本发明的再一实施例的显示设备的局部剖面示意图；

图6是本发明的再一实施例的显示设备的局部剖面示意图；

图7是本发明的再一实施例的显示设备的局部剖面示意图；

图8是本发明的再一实施例的显示设备的局部剖面示意图；

图9是本发明的再一实施例的显示设备的局部剖面示意图；

图10是本发明的再一实施例的显示设备的局部剖面示意图；

图11是本发明的再一实施例的显示设备的局部剖面示意图；

图12是本发明的再一实施例的显示设备的局部剖面示意图；

图13是本发明的再一实施例的显示设备的局部剖面示意图；

图14是本发明的再一实施例的显示设备的局部剖面示意图；

图15是本发明的再一实施例的显示设备的局部剖面示意图；

图16是本发明的再一实施例的显示设备的局部剖面示意图；

图17是本发明的再一实施例的显示设备的局部剖面示意图；

图18是本发明的再一实施例的显示设备的局部剖面示意图；

图19是本发明的再一实施例的显示设备的局部剖面示意图；

图20是本发明的再一实施例的显示设备的局部剖面示意图；

图21是本发明的再一实施例的显示设备的局部剖面示意图；

图22是本发明的再一实施例的显示设备的局部剖面示意图；

图23是本发明的再一实施例的显示设备的局部剖面示意图；

图24是本发明的再一实施例的显示设备的局部剖面示意图；

图25是本发明的再一实施例的显示设备的局部剖面示意图；

图26是本发明的再一实施例的显示设备的局部剖面示意图；

图27是本发明的再一实施例的显示设备的局部剖面示意图；

图28是本发明的再一实施例的显示设备的局部剖面示意图。

具体实施方式

以下实施例中所提到的方向用语，例如：上、下、左、右、前或后等，仅是参考附加附图的方向。因此，使用的方向用语是用来说明并非用来限制本发明。举例而言，在以下描述中，当叙述第一对象在第二对象之上时，可包含第一对象及第二对象直接接触的实施例，也可包含第一对象及第二对象未直接接触的实施例。此外，在第一对象及第二对象未直接接触的实施例中，第一对象及第二对象之间还有可能有其他对象或只是单纯的空间。

图1是依照本发明的一实施例的显示设备的剖面示意图。请参照图1，本实施例的显示设备50a包括第一衬底102、发光组件118以及第一反射结构122。发光组件118配置于第一衬底102上，其中发光组件118的高度h1大于等于1μm且小于等于20μm。若发光组件118的高度h1小于1μm，则可能减弱发光组件118的结构强度且产生较多的缺陷。若发光组件118的高度h1大于20μm，则可能降低发光组件118的发光效率或其散热的效率。在另一实施例中，发光组件118的高度h1可大于等于2μm且小于等于12μm，或可大于等于5μm且小于等于10μm。第一反射结构122对应于发光组件118配置。在本实施例中，发光组件118可配置于第一衬底102与第二衬底120之间，且第一反射结构122可配置于第二衬底120的面对发光组件118的一侧。

在本实施例的显示设备50a中，发光组件118发出的光线可以由第一反射结构122反射而从第一衬底102向外射出(如图1的箭头所示)。更进一步来说，最终显示面是在显示设备50a中位于第一衬底102的一侧。因此，本实施例的设计可简单地改变发光组件118的发光方向，使得显示设备50a的显示方向较为容易符合不同的设计需求。

显示设备50a还可包括驱动组件t。驱动组件t可配置于第一衬底102上，且发光组件118可与驱动组件t错开。如此一来，发光组件118不需接合至驱动组件t上。因此，在将发光组件118接合至第一衬底102之前，可不需在发光组件118与第一衬底102之间设置平坦层。据此，在将发光组件118接合至第一衬底102时，不会造成发光组件118与第一衬底102之间的平坦层受热软化的问题，进而可提高接合的对位精准度。

本实施例的第一反射结构122上可以进行特殊的图案化处理，使得被反射的光线朝向较为一致的方向射出而易于提供高亮度的显示效果。举例而言，第一反射结构122例如是金属层或全方位反射镜(omnidirectionalreflectivemirror；odm)，其例如是金属层与氧化物层所构成的多层结构。金属层的材料可包含铝以及银，且氧化物层的材料可包含氧化硅。在一实施例中，显示设备50a还可包含导电通孔121以及电极123。电极123可配置于第一衬底102上，且导电通孔121可电性连接于第一反射结构122与电极123之间。电极123可传递共享信号，且此共享信号可依序经由导电通孔121以及第一反射结构122而传递至发光组件118的电极116。在一实施例中，导电通孔121以及电极123的材料可包括金属或其他导电材料。

本实施例的显示设备50a还可包含波长转换层124，配置于第一衬底102的一侧。在本实施例中，波长转换层124可设置于第一衬底102的远离发光组件118的一侧。在其他实施例中，波长转换层124亦可设置于第一衬底102的邻近发光组件118的一侧。在一实施例中，波长转换层124在第一衬底102上的正投影与发光组件118在第一衬底102上的正投影部分重叠。在其他实施例中，波长转换层124在第一衬底102上的正投影与发光组件118在第一衬底102上的正投影还可完全重叠。所述的正投影是指穿过投影物(例如在此为波长转换层124)上各点的相互平行的投射线在投影面(在此例如为第一衬底102的表面)上的投影点的组合，且上述多条相互平行的投射线垂直于上述投影面。如此一来，发光组件118提供的光线在向外射出前会先经过波长转换层124。波长转换层124可用以将发光组件118所发出的光线的波长改变。举例而言，发光组件118可提供不可见光，由波长转换层124将不可见光转换为所要的色光，例如红光、蓝光或绿光等等。或者，发光组件118也可提供可见光，再由波长转换层124将可见光转换为所要的色光，例如红光、蓝光或绿光等等。在本实施例中，波长转换层124可为量子点层。在其他实施例中，波长转换层124亦可为量子点层、磷光粉层、荧光粉层或其组合。

在其他实施例中，还可将上述的波长转换层124替换为彩色滤光层。换言之，可将波长转换层或彩色滤光层择一配置于第一衬底102的一侧。

本实施例的发光组件118是以垂直式发光二极管为例，但在其他实施例中也可采用覆晶式发光二极管或其他发光组件。发光组件118可以是微米等级的尺寸的发光二极管。在一实施例中，发光组件118的长宽可分别小于等于300μm且大于等于1μm。在其他实施例中，发光组件118的长宽还可分别小于等于100μm且大于等于2μm、小于等于20μm且大于等于3μm或小于等于10μm且大于等于5μm。

本实施例的第一衬底102上可配置有第一绝缘层127。在本实施例中，第一绝缘层127可为多层结构，其包括依序配置于第一衬底102上的绝缘层126与绝缘层128。绝缘层126与绝缘层128具有开口p10，而发光组件118配置于开口p10。在其他实施例中，第一绝缘层127也可为单层结构，第一绝缘层127具有开口p10，而发光组件118配置于开口p10。绝缘层126与绝缘层128的至少一个例如可选用遮光的材质，可作为(但不限于)黑色矩阵(blackmatrix；bm)。因此，可在显示设备50a设置有多个发光组件时遮挡邻近的发光组件所发出的光线，进而达成相邻的发光组件不互相干扰的目的以提升显示质量。此外，遮光材质的绝缘层126或绝缘层128还可覆盖驱动组件t，以避免驱动组件t反射外界光线而被用户观察到，影响显示质量。再者，绝缘层126还可保护驱动组件t。绝缘层126与绝缘层128的开口p10的侧壁与第一衬底102的夹角θ例如小于等于150°且大于等于60°。在另一实施例中，开口p10的侧壁与第一衬底102的夹角θ例如小于等于135°且大于等于90°。第一反射结构122例如是大致覆盖开口p10靠近第二衬底120的一侧。波长转换层124可设置于第一衬底102的相对于发光组件118的一侧，且可大致覆盖开口p10。第一衬底102上还可配置有第二绝缘层132，其填满开口p10且覆盖发光组件118以及绝缘层128。在一实施例中，第二绝缘层132可为平坦层。另外，第一反射结构122例如是形成于第二绝缘层132上。在本实施例中，还可将第三绝缘层133配置于第二衬底120与第二绝缘层132之间。第三绝缘层133可位于第一反射结构122的同一侧，以使相邻的第一反射结构122可彼此隔离。在一实施例中，第三绝缘层133的材料可选用遮光的材质，以作为(但不限于)黑色矩阵，进一步避免相邻的发光组件之间的互相干扰。

驱动组件t包括栅极g、栅绝缘层gi、通道层ch、源极s与漏极d。通道层ch的材质包括(但不限于)：非晶硅、或氧化物半导体材料，其中氧化物半导体材料例如包括(但不限于)：铟镓锌氧化物(indium-gallium-zincoxide，igzo)、氧化锌、氧化锡(sno)、铟锌氧化物、镓锌氧化物(gallium-zincoxide，gzo)、锌锡氧化物(zinc-tinoxide，zto)或铟锡氧化物等。也就是说，在本实施方式中，驱动组件t例如是非晶硅薄膜晶体管、或氧化物半导体薄膜晶体管。然而，本发明并不限于此。在其他实施方式中，驱动组件t也可以是低温多晶硅薄膜晶体管、硅基式薄膜晶体管或微晶硅薄膜晶体管。另外，在本实施方式中，驱动组件t属于底栅极(bottomgate)晶体管。然而，本发明并不限于此。在其他实施方式中，驱动组件t也可属于顶栅极(topgate)晶体管。

另外，栅极g与通道层ch之间设置有栅绝缘层gi，其中栅绝缘层gi共形地(conformally)形成在第一衬底102上且覆盖栅极g。栅绝缘层gi的材质可为(但不限于)：无机材料、有机材料或其组合，其中无机材料例如是(但不限于)：氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、或上述至少二种材料的堆栈层；有机材料例如是(但不限于)：聚酰亚胺系树脂、环氧系树脂或压克力系树脂等高分子材料。另外，源极s与漏极d位于通道层ch的上方，且源极s与数据线dl电性连接。另外，在本实施方式中，在驱动组件t的上方还覆盖有第四绝缘层bp，可保护驱动组件t。第四绝缘层bp共形地形成在第一衬底102上，且第四绝缘层bp的材质可为(但不限于)：无机材料、有机材料或其组合，其中无机材料例如是(但不限于)：氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、或上述至少二种材料的堆栈层；有机材料例如是(但不限于)：聚酰亚胺系树脂、环氧系树脂或压克力系树脂等高分子材料。在本实施方式中，显示设备60a还可包括电路储存电容器cst，其包括上电极106a及下电极106b，上电极106a例如与漏极d连接，下电极106b是共享电极。

本实施例的发光组件118可包含电极108、p型半导体层110、多重量子井结构112、n型半导体层114以及电极116，其中电极108可配置于第四绝缘层bp上，且可与驱动组件t错开。p型半导体层110、多重量子井结构112以及n型半导体层114位于电极108与电极116之间，且多重量子井结构112位于n型半导体层114与p型半导体层110之间。在本实施例中，发光组件118的高度h代表电极108的底面至电极116的顶面的距离。另外，显示设备50a还可包含透明导电结构104，其配置于第四绝缘层bp与发光组件118之间，且电性连接发光组件118的电极108与驱动组件t的漏极d。在一实施例中，透明导电结构104可为多层结构。再者，电极116可与第一反射结构122电性连接，使得共享信号可经由电极123、导电通孔121与第一反射结构122依序传递至电极116。在一实施例中，电极123可位于第四绝缘层bp上。在其他实施例中，电极123可与驱动组件t的栅极g、源极s、漏极d、上电极106a或下电极106b中的至少一个位于同一层上，也就是由同一材料层经同一道图案化制程形成。

请同时参照图1与图2，图2所示的显示设备50b与图1的显示设备50a相似。图2的第一衬底102具有凹陷r，且波长转换层124配置于凹陷r中，以形成嵌入式的波长转换层。在本实施例中，波长转换层124可经形成以切齐第一衬底102的底面(如图2所示)。在其他实施例中，波长转换层124亦可不切齐第一衬底102的底面，亦即波长转换层124可经形成以凸出或凹陷于第一衬底102的底面。

请同时参照图1与图3，图3所示的显示设备50c与图1的显示设备50a相似。图3的显示设备50c还包括彩色滤光层125，其中波长转换层124配置于第一衬底102与彩色滤光层125之间。另外，彩色滤光层125在第一衬底102上的正投影与发光组件118在第一衬底102上的正投影至少部分重叠。在本实施例中，波长转换层124例如可为磷光粉层，但不以此为限。

请同时参照图2与图4，图4所示的显示设备50d与图2的显示设备50b相似。图4的显示设备50d还包括彩色滤光层125，其中波长转换层124配置于第一衬底102与彩色滤光层125之间。另外，彩色滤光层125在第一衬底102上的正投影与发光组件118在第一衬底102上的正投影至少部分重叠。在本实施例中，波长转换层124例如可为磷光粉层，但不以此为限。

图5至图8是依照本发明的数个实施例的显示设备的剖面示意图。

请同时参照图1与图5，图5的显示设备50e与图1的显示设备50a相似。图5的发光组件144为覆晶式发光二极管。在本实施例中，发光组件144包含电极134、p型半导体层136、多重量子井结构138、n型半导体层140以及电极142，其中电极134与电极142可配置于第四绝缘层bp上，且可与驱动组件t错开。n型半导体层140配置于电极132与电极142上，且p型半导体层136配置于n型半导体层140与电极134之间。另外，透明导电结构104电性连接电极134与漏极d，且显示设备50e还包括透明导电结构105，其与电极142电性连接。在本实施例中，高度h2代表电极134或电极142的底面至n型半导体层140的顶面之间的距离。发光组件144发出的光线可以由第一反射结构122反射而从第一衬底102向外射出(如图5的箭头所示)。

请同时参照图5与图6，图6所示的显示设备50f与图5的显示设备50e相似。图6的第一衬底102具有凹陷r，且波长转换层124配置于凹陷r中，以形成嵌入式的波长转换层。在本实施例中，波长转换层124可经形成以切齐第一衬底102的底面(如图6所示)。在其他实施例中，波长转换层124亦可不切齐第一衬底102的底面，亦即波长转换层124可经形成以凸出或凹陷于第一衬底102的底面。

请同时参照图5与图7，图7所示的显示设备50g与图5的显示设备50e相似。图7的显示设备50g还包括彩色滤光层125，其中波长转换层124配置于第一衬底102与彩色滤光层125之间。另外，彩色滤光层125在第一衬底102上的正投影与发光组件144在第一衬底102上的正投影至少部分重叠。在本实施例中，波长转换层124可为磷光粉层，但不以此为限。

请同时参照图8与图6，图8所示的显示设备50h与图6的显示设备50f相似。图8的显示设备50h还包括彩色滤光层125，其中波长转换层包124配置于第一衬底102与彩色滤光层125之间。另外，彩色滤光层125在第一衬底102上的正投影与发光组件144在第一衬底102上的正投影至少部分重叠。在本实施例中，波长转换层124可为磷光粉层，但不以此为限。

图9是依照本发明的一实施例的显示设备的剖面示意图。请同时参照图1、图5与图9，图9的显示设备50i具有多个子像素区，包含子像素区50ia、子像素区50ib以及子像素区50ic。子像素区50ia相似于图1所示的显示设备50a，且子像素区50ib及子像素区50ic相似于图5所示的显示设备50e，惟图9的显示设备50i的多个发光组件可分别发出不同波段的光，故图9的显示设备50i可不包含波长转换层。在结构上，多个发光组件可为垂直式发光二极管、覆晶式发光二极管或其组合。然而，本发明并不以多个发光组件的类型为限，所属领域中具有通常知识者可依需求自行调整。

图10至图17是依照本发明的数个实施例的显示设备的剖面示意图。

请参照图1与图10，图10的显示设备50j与图1的显示设备50a相似。图10的显示设备50j可包含多个发光组件，且部分发光组件朝向第一衬底202发光，而其他发光组件朝向第二衬底220发光，而形成双面发光的显示设备。在一实施例中，显示设备50j还可包括如图1所示的第一绝缘层127与第二绝缘层132，在此省略显示。

图10的显示设备50j包括第一衬底202、发光组件210a、发光组件210b、第一反射结构216以及第二衬底220。第一衬底202具有驱动组件t1与驱动组件t2，且发光组件210a与发光组件210b配置于第一衬底202与第二衬底220之间。

第一衬底202可为透明材料层，例如玻璃。驱动组件t1可为晶体管，其包含栅极g1、栅绝缘层gi1、通道层ch1、源极s1以及漏极d1。相似地，驱动组件t2可为晶体管，其包含栅极g2、栅绝缘层gi2、通道层ch2、源极s2以及漏极d2。栅极g1与栅极g2可配置于第一衬底202上，且栅绝缘层gi1与栅绝缘层gi2位于第一衬底202上，并位于栅极g1与通道层ch1之间以与门极g2与通道层ch2之间。

发光组件210a与发光组件210b分离地配置于第一衬底202，且可分别与驱动组件t1及驱动组件t2错开。在结构上，本实施例的发光组件210a与发光组件210b可为垂直式的发光二极管。

发光组件210a可包含电极204a、发光结构206a以及电极208a，其中电极204a可与驱动组件t1电性连接。发光结构206a位于电极204a与电极208a之间，且可包含如图1所示的p型半导体层、多重量子井结构以及n型半导体层，其在此省略显示。显示设备50j还可包含透明导电结构212a，其配置于电极204a与驱动组件t1之间，且延伸以电性连接电极204a与漏极d1。另外，显示设备50j亦可包含透明导电结构214a，其配置于第二衬底220，且与电极208a电性连接。

相似地，发光组件210b可包含电极204b、发光结构206b以及电极208b，其中电极204b可与驱动组件t2电性连接，且可与驱动组件t2错开。发光结构206b位于电极204b与电极208b之间，且亦可包含如图1所示的p型半导体层、多重量子井结构以及n型半导体层，其在此省略显示。显示设备50j还可包含透明导电结构212b，其配置于电极204b与驱动组件t2之间，且延伸以电性连接电极204b与漏极d2。另外，显示设备50j亦可包含透明导电结构214b，其配置于第二衬底220，且与电极208b电性连接。

第一反射结构216包含第一反射结构216a与第一反射结构216b。第一反射结构216a可覆盖发光组件210a，而仅露出发光组件210a朝向第一衬底202的发光面218a。另一第一反射结构216b可覆盖发光组件210b，而仅露出发光组件210b朝向第二衬底220的发光面218b。在本实施例中，第一反射结构216a与第一反射结构216b可为金属层。根据配置第一反射结构216a与第一反射结构216b，发光组件210a与发光组件210b所发出的光可经导向以分别朝向第一衬底202与第二衬底220射出。

显示设备50j还可包含遮光层222a，配置于第二衬底220的一侧，配置于第二衬底220上，且遮光层222a在第一衬底202上的正投影与发光组件210a在第一衬底202上的正投影重叠。遮光层222a是黑色矩阵或反射材料。据此，遮光层222a可阻挡发光组件210a发出的光由第二衬底220射出。相似地，显示设备50j还可包含遮光层222b，配置于第一衬底202的一侧，配置于第一衬底远离发光组件210b的一侧，且遮光层222b在第一衬底202上的正投影与发光组件210b在第一衬底202上的正投影重叠。因此，根据设置遮光层222a与遮光层222b，可避免相邻的发光组件210a及发光组件210b相互干扰的问题。

请同时参照图10与图11，图10的显示设备50j与图11的显示设备50k的主要差异在于发光组件的发光方向不同，但其均属于双面发光的显示设备。

具体而言，显示设备50k的第一反射结构216c可配置于第二衬底220，且第一反射结构216c在第一衬底202上的正投影与发光组件210b在第一衬底202上的正投影重叠。具体来说，第一反射结构216c可位于第二衬底220与透明导电结构214b之间。显示设备50k包括第二反射结构224a与第二反射结构224b。第二反射结构224a覆盖发光组件210a而仅露出发光组件210a朝向第二衬底220的发光面218a，且第二反射结构224b覆盖发光组件210b而仅露出发光组件210b朝向第二衬底220的发光面218b。在本实施例中，发光组件210a与发光组件210b的发光方向均朝向第二衬底220，而发光组件210b所发出的光经由第一反射结构216c反射以由第一衬底202射出。如此一来，显示设备50k亦为双面发光的显示设备。

另外，遮光层222a配置于第一衬底202的一侧，例如配置于第一衬底202远离发光组件210a的一侧，且遮光层222a在第一衬底202上的正投影与发光组件210a在第一衬底202上的正投影重叠，以阻挡发光组件210a朝向第一衬底202所发出的光。遮光层222b配置于第二衬底220的一侧，例如配置于第二衬底220上，且遮光层222b在第一衬底202上的正投影与发光组件210b在第一衬底202上的正投影重叠，以阻挡发光组件210b朝向第二衬底220所发出的光。根据遮光层222a与遮光层222b的设置，可避免发光组件210a与发光组件210b之间互相干扰的问题。

据此，显示设备50k所发出的一部分光朝第二衬底220的方向射出，且另一部分的光朝第一衬底202的方向射出，故显示设备50k亦可双面发光。

请同时参照图10与图12，图12所示的显示设备50l与图10的显示设备50j相似，均属于双面发光的显示设备。图12的第一反射结构216a覆盖发光组件210a而仅露出发光组件210a朝向第二衬底220的发光面218a，且第一反射结构216b覆盖发光组件210b而仅露出发光组件210b朝向第一衬底202的发光面218b。以简洁起见，图12省略显示如图10所示的驱动组件t1、驱动组件t2、透明导电结构212a以及透明导电结构212b。另外，图12的发光组件210a与发光组件210b共享透明导电结构214c。换言之，透明导电结构214c可一并地与发光组件210a以及发光组件210b电性连接。

显示设备50l的遮光层的遮光层222a配置于第一衬底202的一侧，例如配置在第一衬底202远离发光组件210a的一侧，且遮光层222a在第一衬底202上的正投影与发光组件210a在第一衬底202上的正投影重叠。另一方面，显示设备50l的遮光层的遮光层222b配置于第二衬底220的一侧，配置于第二衬底220上，且遮光层222b在第一衬底202上的正投影与发光组件210b在第一衬底202上的正投影重叠。

请同时参照图11与图13，图13所示的显示设备50m与图11的显示设备50k相似。上述两者的主要差异在于第一反射结构216c的位置，且图13的显示设备50m还包含波长转换层226。

在本实施例中，第二衬底220可为彩色滤光层，且第二衬底220可位于第一反射结构216c与发光组件210b之间。另外，若第一反射结构216c的穿透率相当低，例如是穿透率低于5％时，则可不额外配置遮光层于第二衬底220与第一反射结构216c的外侧。

波长转换层226可位于透明导电结构214c与第二衬底220之间。据此，可改变发光组件210a与发光组件210b所发出的光的波段。

除此之外，图13省略显示如图11所示的驱动组件t1、驱动组件t2、透明导电结构212a以及透明导电结构212b。另外，图13的透明导电结构214c可一并地与发光组件210a以及发光组件210b电性连接。

请同时参照图13与图14，图14所示的显示设备50n与图13的显示设备50m相似。上述两者的主要差异在于图14的第二衬底220可为透明衬底，其具有透明导电结构，以一并地电性连接于发光组件210a以及发光组件210b。此外，波长转换层226a与波长转换层226b可分离地配置于第二衬底220与第一衬底202，且波长转换层226a在第一衬底202上的正投影与发光组件210a在第一衬底202上的正投影重叠，而波长转换层226b在第一衬底202上的正投影与发光组件210b在第一衬底202上的正投影重叠。相似地，彩色滤光层228a与彩色滤光层228b可分离地配置于第二衬底220与第一衬底202，且彩色滤光层228a在第一衬底202上的正投影与发光组件210a在第一衬底202上的正投影重叠，而彩色滤光层228b在第一衬底202上的正投影与发光组件210b在第一衬底202上的正投影重叠。具体来说，波长转换层226a可位于彩色滤光层228a与第二衬底220之间，且波长转换层226b可位于彩色滤光层228b与第一衬底202之间。

请同时参照图13与图15，图15的显示设备50o与图13的显示设备50m相似，两者的差异主要在于图15的第二衬底220为保护玻璃，且在此实施例中，可不配置彩色滤光层。

请同时参照图15与图16，图16的显示设备50p与图15的显示设备50o相似。上述两者的主要差异在于图16的显示设备50p还包含遮光层222b，且第一反射结构216c位于第二衬底220与波长转换层226之间。

请同时参照图13与图17，图17的显示设备50q与图13的显示设备50m相似，上述两者的主要差异在于图17的显示设备50q还包含发光组件210c以及第二反射结构224c，其中发光组件210c与发光组件210b相邻，且第二反射结构224c覆盖发光组件210c而仅露出发光组件210c朝向第二衬底220的发光面218c。与发光组件210b及第二反射结构224b相似，发光组件210c所发出的光经第一反射结构216c反射而朝向第一衬底202的方向射出。根据同时设置发光组件210b与发光组件210c，可提高显示设备50q朝向第一衬底202方向的发光效率。

图18至图28是依照本发明的数个实施例的显示设备的剖面示意图。在此数个实施例中，发光组件234a与发光组件234b均为覆晶式发光二极管。

请参照图18，发光组件234a可包含电极228a、发光结构230a以及电极232a，其中电极228a与电极232a分离地配置于栅绝缘层gi1上，且发光结构230a配置于电极228a与电极232a上。发光结构230a可包含如图5所示的p型半导体层、多重量子井结构以及n型半导体层，其在此省略显示。相似地，发光组件234b可包含电极228b、发光结构230b以及电极232b，其中电极228b与电极232b分离地配置于栅绝缘层gi2上，且发光结构230b配置于电极228b与电极232b上。发光结构230b可包含如图5所示的p型半导体层、多重量子井结构以及n型半导体层，其在此省略显示。第二反射结构235a覆盖发光组件234a而仅露出发光组件234a的发光面237a，且第二反射结构235b覆盖发光组件234b而仅露出发光组件234b的发光面237b。

另外，显示设备50r还可包含透明导电结构236a与透明导电结构238a，其分离地配置于电极228a与栅绝缘层gi1之间以及电极232a与栅绝缘层gi1之间，其中透明导电结构236a延伸以电性连接漏极d1与电极228a。相似地，显示设备50r亦可包含透明导电结构236b与透明导电结构238b，其分离地配置于电极228b与栅绝缘层gi2之间以及电极232b与栅绝缘层gi2之间，其中透明导电结构236b延伸以电性连接漏极d2与电极228b。由于电极228a与电极232a均配置于第一衬底202，故在本实施例中可不在第二衬底220配置透明导电结构。相似地，由于电极228b与电极232b均配置于第一衬底202，故在本实施例中可不在第二衬底220配置透明导电结构。

请同时参照图18与图19，图19的显示设备50s与图18的显示设备50r相似。上述两者的差异在于图19的显示设备50s可不包含图18所示的第二反射结构235a与第二反射结构235b。此外，以简洁起见，图19省略显示图18中的驱动组件t1、驱动组件t2以及透明导电结构236a、透明导电结构238a、透明导电结构236b以及透明导电结构238b。

请同时参照图19与图20，图20的显示设备50t与图19的显示设备50s相似。上述两者的主要差异在于图20的显示设备50t可不包含配置于第二衬底220的遮光层(如图19所示的遮光层222b)，且第二衬底220可位于第一反射结构216c与发光组件234b之间。

请同时参照图20与图21，图21的显示设备50u与图20的显示设备50t相似。上述两者的主要差异在于图21的显示设备50u还包含第二反射结构235a与第二反射结构235b，且第一反射结构216c位于第二衬底220与发光组件234b之间。第二反射结构235a覆盖发光组件234a而仅露出发光组件234a朝向第二衬底220的发光面237a，且第二反射结构235b覆盖发光组件234b而仅露出发光组件234b朝向第二衬底220的发光面237b。

请同时参照图19与图22，图22的显示设备50v与图19的显示设备50s相似。上述两者的主要差异在于图22的显示设备50v还包含第二反射结构235a与第一反射结构240。第二反射结构235a覆盖发光组件234a而仅露出发光组件234a朝向第二衬底220的发光面237a，且第一反射结构240覆盖发光组件234b而仅露出发光组件234b朝向第一衬底202的发光面237b。因此，在一实施例中，可依据第一反射结构240的反射率而选择性地在第二衬底220配置遮光层222b。

请同时参照图20与图23，图23的显示设备50w与图20的显示设备50t相似。上述两者的主要差异在于图23的显示设备50w还包含波长转换层242a与波长转换层242b。波长转换层242a可配置于发光组件234a的朝向第二衬底220的表面，且波长转换层242b可配置于发光组件234b的朝向第二衬底220的表面。另外，图23的第一反射结构216c配置于第二衬底220与发光组件234b之间。

请同时参照图20与图24，图24的显示设备50x与图20的显示设备50t相似。上述两者的差异在于图24的显示设备50x还包含波长转换层244，其可配置于第二衬底220，且波长转换层244在第一衬底202上的正投影与发光组件234a及发光组件234b在第一衬底202上的正投影重叠。具体来说，第二衬底220可位于第一反射结构216c与波长转换层244之间，且波长转换层244可位于第二衬底220与发光组件234b之间。

请同时参照图19与图25，图25的显示设备50y与图19的显示设备50s相似。上述两者的主要差异在于图25的显示设备50y还包含波长转换层246a与波长转换层246b。波长转换层246a配置于第二衬底220，且位于第二衬底220与发光组件234a之间，以使波长转换层246a在第一衬底202上的正投影与发光组件234a在第一衬底202上的正投影重叠。波长转换层246b配置于第一衬底202，且第一衬底202位于发光组件234b与波长转换层246b之间，以使波长转换层246b在第一衬底202上的正投影与发光组件234b在第一衬底202上的正投影重叠。

请同时参照图21与图26，图26的显示设备50z与图21的显示设备50u相似。上述两者的主要差异在于图26的显示设备50z还包含波长转换层248与彩色滤光层250，其配置于第二衬底220。具体来说，彩色滤光层250可位于衬底220与波长转换层248之间，且其在第一衬底202上的正投影与发光组件234a及发光组件234b在第一衬底202上的正投影重叠。另外，第二衬底220可位于第一反射结构216c与彩色滤光层250之间。

请同时参照图25与图27，图27的显示设备60a与图25的显示设备50y相似。上述两者的主要差异在于图27的显示设备60a还包含第二反射结构235a、第二反射结构235b、彩色滤光层252a以及彩色滤光层252b。第二反射结构235a可覆盖发光组件234a而仅露出发光组件234a朝向第二衬底220的发光面237a，且第二反射结构235b可覆盖发光组件234b而仅露出发光组件234b朝向第二衬底220的发光面237b。彩色滤光层252a与彩色滤光层252b分别配置于第二衬底220与第一衬底202。具体来说，彩色滤光层252a位于第二衬底220与波长转换层246a之间，且彩色滤光层252b位于第一衬底202与波长转换层246b之间。

请参照图26与图28，图28的显示设备60b与图26的显示设备50z相似。上述两者的主要差异在于图28的显示设备60b还包含发光组件234c以及第二反射结构235c，其中发光组件234c与发光组件234b相邻，且第二反射结构235c覆盖发光组件234c而仅露出发光组件234c朝向第二衬底220的发光面237c。相似于发光组件234b，发光组件234c亦包含电极228c、发光结构230c以及电极232c。根据在显示设备60b同时设置发光组件234b与发光组件234c，可提高显示设备60b朝向第一衬底202的发光效率。

综上所述，发光组件发出的光线可以由第一反射结构反射而从第一衬底向外射出。如此一来，本实施例的设计有助于简单地改变发光组件的发光方向，使得显示设备的显示方向较为容易符合不同的设计需求。另一方面，通过前述设计，本实施例可应用于大型尺寸的显示设备中。

虽然本发明已以实施例揭示如上，然其并非用以限定本发明，任何所属技术领域中具有通常知识者，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的更改与润饰，这些更改与润饰均应落入本发明的保护范围内。