1.一种超结器件，其特征在于，所述器件包括：
外延层，所述外延层中有超结结构，所述超结结构为交替设置的多根第一掺杂立柱和多根第二掺杂立柱，其中，所述第一掺杂立柱与所述第二掺杂立柱的掺杂类型不相同；
多个表面结构，所述表面结构包括：第一掺杂阱区和设置在所述第一掺杂阱区内的第二掺杂阱区，所述第一掺杂阱区与所述第二掺杂阱区的掺杂类型不相同；
隔离区，设置在所述超结结构的第一掺杂立柱与所述第一掺杂阱区之间，其中，所述第一掺杂立柱与所述第一掺杂阱区的掺杂类型相同，所述隔离区与所述第二掺杂立柱的掺杂类型相同。
2.如权利要求1所述的器件，其特征在于，所述超结器件为VDMOS器件。
3.如权利要求2所述的器件，其特征在于，所述VDMOS器件为NMOS器件；
所述第一掺杂阱区为P阱区，所述第二掺杂阱区为N阱区，所述第一掺杂立柱为P型立柱，所述所述第二掺杂立柱为N型立柱，所述隔离区为N型掺杂区。
4.如权利要求2所述的器件，其特征在于，所述VDMOS器件为PMOS器件；
所述第一掺杂阱区为N阱区，所述第二掺杂阱区为P阱区，所述第一掺杂立柱为N型立柱，所述所述第二掺杂立柱为P型立柱，所述隔离区为P型掺杂区。
5.如权利要求1所述的器件，其特征在于，所述超结器件为IGBT器件。
6.如权利要求1所述的器件，其特征在于，还包括：
衬底，所述外延层外延生长在所述衬底上。
7.如权利要求6所述的器件，其特征在于，当所述器件为IGBT器件时，所述衬底包括：
连接的N型衬底和P型衬底。