AMOLED透明显示器及其制作方法与流程

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种AMOLED透明显示器及其制作方法。

背景技术：

透明显示器一般是指可形成透明显示状态以使观看者可看到显示器中显示的影像及显示器背后的景象的显示器。透明显示器具有许多可能的应用，例如建筑物或汽车的窗户和购物商场的展示窗。

有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)显示器，也称为有机电致发光显示器，是一种新兴的平板显示装置，由于其具有制备工艺简单、成本低、功耗低、发光亮度高、工作温度适应范围广、体积轻薄、响应速度快，而且易于实现彩色显示和大屏幕显示、易于实现和集成电路驱动器相匹配、易于实现柔性显示等优点，因而具有广阔的应用前景。

OLED按照驱动方式可以分为无源矩阵型OLED(Passive Matrix OLED，PMOLED)和有源矩阵型OLED(Active Matrix OLED，AMOLED)两大类，即直接寻址和薄膜晶体管(Thin Film Transistor,TFT)矩阵寻址两类。其中，AMOLED具有呈阵列式排布的像素，属于主动显示类型，发光效能高，通常用作高清晰度的大尺寸显示装置。

使用AMOLED技术制作透明显示器是一种不错的选择。AMOLED的发光原理是：用ITO透明电极和金属电极分别作为器件的阳极和阴极，在一定电压驱动下，电子和空穴分别从阴极和阳极注入到电子传输层和空穴传输层中，电子和空穴分别经过电子传输层和空穴传输层迁移到发光层中，并在发光层中相遇，形成激子并使发光分子受到激发而发光。AMOLED在制备过程中主要的困难在于如何保证显示屏具有较高的透光率以及显示区良率保证的问题。

图1为现有的AMOLED透明显示器的像素设计示意图，如图1所示，所述AMOLED透明显示器包括多个发光子像素111与多个透明子像素222；所述多个发光子像素111包括多个红色子像素101、多个绿色子像素102及多个蓝色子像素103。

图2为现有的AMOLED透明显示器的剖视示意图，如图2所示，所述AMOLED透明显示器包括衬底基板100、设于所述衬底基板100上的栅极110、设于所述栅极110与衬底基板100上的栅极绝缘层200、设于所述栅极绝缘层200上的有源层210、设于所述有源层210与栅极绝缘层200上的刻蚀阻挡层300、设于所述刻蚀阻挡层300上且分别对应于所述有源层210两端的第一通孔310与第二通孔320、设于所述刻蚀阻挡层300上且分别经由所述第一通孔310和第二通孔320与所述有源层210相接触的源极410与漏极420、设于所述源极410、漏极420、及刻蚀阻挡层300上的钝化层500、设于所述钝化层500上的第一平坦层600、设于所述第一平坦层600上的第二平坦层700、设于所述第一平坦层600与钝化层500上且对应于所述漏极420上方的第三通孔630、设于所述第二平坦层700上且与第三通孔630相对应的第四通孔740、设于所述第四通孔740内且经由所述第三通孔630与所述漏极420相接触的阳极910、设于所述阳极910上的OLED发光层920、设于所述第二平坦层700上的数个支撑物790、设于所述第二平坦层700、第一平坦层600、钝化层500、刻蚀阻挡层300及栅极绝缘层200上的第五通孔755、以及设于所述数个支撑物790、第二平坦层700、OLED发光层920及衬底基板100上的阴极930；

所述第五通孔755由上下对应设置且相互贯通的多个过孔组成，所述多个过孔包括位于所述栅极绝缘层200上的第一过孔210、位于所述刻蚀阻挡层300上的第二过孔320、位于所述钝化层500上的第三过孔530、位于所述第一平坦层600上的第四过孔640、以及位于所述第二平坦层700上的第五过孔750；

由于所述第四通孔740内设有OLED发光层920，从而构成所述AMOLED透明显示器的发光子像素111；所述第五通孔755内未设置OLED发光层92，从而构成所述AMOLED透明显示器的透明子像素222。

具体的，所述阳极930的制程通常安排于所述第一平坦层600的制程之后与所述第二平坦层700的制程之前，也即是说，在沉积所述阳极930的材料之前，所述栅极绝缘层200、刻蚀阻挡层300、钝化层500、第一平坦层600、以及分别位于所述栅极绝缘层200、刻蚀阻挡层300、钝化层500、第一平坦层600上的第一过孔210、第二过孔320、第三过孔530及第四过孔640已经制作完成，由于所述第一过孔210、第二过孔320、第三过孔530及第四过孔640的孔壁都很陡峭，因此在进行阳极910的光刻制程时，所述第一过孔210、第二过孔320、第三过孔530及第四过孔640的孔壁上容易形成光阻残留，使得沉积于所述第一过孔210、第二过孔320、第三过孔530及第四过孔640的孔壁上的阳极材料不能被完全蚀刻掉，从而残留于所述第一过孔210、第二过孔320、第三过孔530及第四过孔640中，最终造成制得的AMOLED透明显示器的第五通孔755中残留有阳极材料，所述第五通孔755中残留的阳极材料会带来诸多风险，如诱发线路间的短路、静电放电(ESD)及阴极阻抗不均等问题，继而造成位于发光子像素111区域的OLED发光层92的驱动受到影响，最终导致显示异常。

由于所述栅极绝缘层200、刻蚀阻挡层300、钝化层500及第一平坦层600中，所述第一平坦层600的厚度最大，因此，位于所述第一平坦层600上的第四过孔640的孔壁的表面积最大，从而所述第四过孔640的孔壁上的阳极材料的残留量也最大，也就是说，如果降低了所述第四过孔640的孔壁上的阳极材料的残留量，那么，所述第五通孔755内的阳极材料的残留量将得到极大降低；因此，本发明基于以上思路对AMOLED透明显示器的显示性能进行改善。

技术实现要素：

本发明的目的在于提供一种AMOLED透明显示器的制作方法，能够降低构成所述AMOLED透明显示器的透明子像素的第五通孔内的阳极材料的残留量，从而提升AMOLED透明显示器的显示性能。

本发明的目的还在于提供一种AMOLED透明显示器，构成所述AMOLED透明显示器的透明子像素的第五通孔内的阳极材料的残留量低，具有较好的显示性能。

为实现上述目的，本发明提供一种AMOLED透明显示器的制作方法，包括如下步骤：

步骤1、提供一衬底基板，在所述衬底基板上从下到上依次形成栅极、栅极绝缘层、有源层、刻蚀阻挡层、源极和漏极、钝化层、以及第一平坦层；

所述第一平坦层、钝化层、刻蚀阻挡层及栅极绝缘层中，所述第一平坦层的厚度最大；

所述刻蚀阻挡层上设有分别对应于所述有源层两端的第一通孔与第二通孔、所述源极和漏极分别经由所述第一通孔和第二通孔与所述有源层相接触；

所述钝化层上设有对应于所述漏极上方的第一过孔，所述栅极绝缘层上设有第二过孔，所述刻蚀阻挡层上设有第三过孔，所述钝化层上设有第四过孔，所述第二过孔、第三过孔、第四过孔上下对应设置且相互贯通；

步骤2、提供第一光罩，所述第一光罩上设有数个第一透光图案与数个第二透光图案；所述第一透光图案包括连续不间断的第一透光区；所述第二透光图案包括连续不间断的第二透光区以及沿所述第二透光区的周边依次排列且分别与所述第二透光区相连接的数个微型透光区；

采用所述第一光罩对所述第一平坦层进行曝光、显影，在所述第一平坦层上形成对应于所述第一透光图案的第五过孔以及对应于所述第二透光图案的第六过孔；

所述第五过孔与所述第一过孔上下对应设置且相互贯通，共同构成第三通孔；

所述第六过孔与所述第四过孔、第三过孔、第二过孔上下对应设置且相互贯通；

所述第六过孔的孔壁上形成有间隔设置的数个沟槽以及位于所述数个沟槽之间的数个凸起部，或者所述第六过孔的孔壁为从远离所述第六过孔的位置向靠近所述第六过孔的位置的方向上高度逐渐减小的斜坡；

步骤3、在所述第一平坦层上形成经由所述第三通孔与所述漏极相接触的阳极；

步骤4、在所述第一平坦层上形成第二平坦层，在所述第二平坦层上形成对应于所述阳极上方的第四通孔以及与所述第六过孔上下对应设置且相互贯通的第七过孔；所述从下到上依次相贯通的第二过孔、第三过孔、第四过孔、第六过孔、及第七过孔共同构成第五通孔；

在所述第二平坦层上形成数个支撑物；

步骤5、在所述阳极上形成OLED发光层；

在所述第二平坦层、数个支撑物、OLED发光层、及衬底基板上形成阴极。

所述步骤2中，所述数个微型透光区为间隔设置的数个矩形透光区，且所述矩形透光区的边长为3μm至5μm；

所述第六过孔的孔壁上形成有分别对应于所述数个矩形透光区的数个沟槽以及位于所述数个沟槽之间的数个凸起部；所述沟槽的槽底相对于所述凸起部的表面的凹陷深度为3μm至5μm。

所述步骤2中，所述数个微型透光区为间隔设置的数个矩形透光区，且所述矩形透光区的边长为1μm至3μm；

所述第六过孔的孔壁为从远离所述第六过孔的位置向靠近所述第六过孔的位置的方向上高度逐渐减小的斜坡；所述斜坡的坡度为45°～70°，即所述第六过孔的孔壁与所述钝化层之间的夹角为45°～70°；所述斜坡的宽度为1μm至3μm。

所述步骤2中，所述数个微型透光区为依次相连或者间隔设置的数个三角形透光区，且所述三角形透光区的边长为1μm至3μm；

所述第六过孔的孔壁为从远离所述第六过孔的位置向靠近所述第六过孔的位置的方向上高度逐渐减小的斜坡；所述斜坡的坡度为45°～70°，即所述第六过孔的孔壁与所述钝化层之间的夹角为45°～70°；所述斜坡的宽度为1μm至3μm。

所述钝化层、刻蚀阻挡层及栅极绝缘层的厚度分别为所述第一平坦层的厚度为2μm至3μm。

本发明还提供一种AMOLED透明显示器，包括衬底基板、设于所述衬底基板上的栅极、设于所述栅极与衬底基板上的栅极绝缘层、设于所述栅极绝缘层上的有源层、设于所述有源层与栅极绝缘层上的刻蚀阻挡层、设于所述刻蚀阻挡层上且分别对应于所述有源层两端的第一通孔与第二通孔、设于所述刻蚀阻挡层上且分别经由所述第一通孔和第二通孔与所述有源层相接触的源极和漏极、设于所述源极、漏极、及刻蚀阻挡层上的钝化层、设于所述钝化层上的第一平坦层、设于所述第一平坦层与钝化层上且对应于所述漏极上方的第三通孔、设于所述第一平坦层上且经由所述第三通孔与所述漏极相接触的阳极、设于所述第一平坦层上的第二平坦层、设于所述第二平坦层上且对应于所述阳极上方的第四通孔、设于所述阳极上的OLED发光层、设于所述第二平坦层上的数个支撑物、设于所述第二平坦层、第一平坦层、钝化层、刻蚀阻挡层及栅极绝缘层上的第五通孔、以及设于所述数个支撑物、第二平坦层、OLED发光层及衬底基板上的阴极；

所述第五通孔包括上下对应设置且相互贯通的多个过孔，所述多个过孔包括位于所述栅极绝缘层上的第二过孔、位于所述刻蚀阻挡层上的第三过孔、位于所述钝化层上的第四过孔、位于所述第一平坦层上的第六过孔、以及位于所述第二平坦层上的第七过孔；

所述第一平坦层、钝化层、刻蚀阻挡层及栅极绝缘层中，所述第一平坦层的厚度最大；

所述第六过孔的孔壁上设有间隔设置的数个沟槽以及位于所述数个沟槽之间的数个凸起部；或者，所述第六过孔的孔壁为从远离所述第六过孔的位置向靠近所述第六过孔的位置的方向上高度逐渐减小的斜坡。

所述第三通孔包括设于所述钝化层上且对应于所述漏极上方的第一过孔以及设于所述第一平坦层上与所述第一过孔上下对应设置且相互贯通的第五过孔；

所述钝化层、刻蚀阻挡层及栅极绝缘层的厚度分别为所述第一平坦层的厚度为2μm至3μm。

所述沟槽的槽底相对于所述凸起部的表面的凹陷深度为3μm至5μm。

所述斜坡的坡度为45°～70°，即所述第六过孔的孔壁与所述钝化层之间的夹角为45°～70°；所述斜坡的宽度为1μm至3μm。

所述阳极为反射电极，所述阴极为半透明电极；所述阳极包括两透明导电金属氧化物层与夹设于两透明导电金属氧化物层之间的金属层；所述阴极的材料为金属。

本发明的有益效果：本发明提供的一种AMOLED透明显示器的制作方法，通过采用一特殊光罩来制备第一平坦层上的第六过孔，使得该第六过孔的孔壁具有多条沟槽或者呈斜坡状，从而降低所述第六过孔的孔壁上的阳极材料的残留量，进而降低构成所述AMOLED透明显示器的透明子像素的第五通孔内的阳极材料的残留量，提升AMOLED透明显示器的显示性能。本发明提供的一种AMOLED透明显示器，通过将第一平坦层上的第六过孔的孔壁设置为具有多条沟槽或者呈斜坡状，进而降低构成所述AMOLED透明显示器的透明子像素的第五通孔内的阳极材料的残留量，从而降低所述第六过孔的孔壁上的阳极材料的残留量，具有较好的显示性能。

为了能更进一步了解本发明的特征以及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制。

附图说明

下面结合附图，通过对本发明的具体实施方式详细描述，将使本发明的技术方案及其它有益效果显而易见。

附图中，

图1为现有的AMOLED透明显示器的像素设计示意图；

图2为现有的AMOLED透明显示器的剖视示意图；

图3为本发明的AMOLED透明显示器的制作方法的流程图；

图4为本发明的AMOLED透明显示器的制作方法的步骤1的示意图；

图5A与图5B分别为本发明的AMOLED透明显示器的制作方法的步骤2提供的第一光罩的两个实施例的结构示意图；

图5C与图5E分别为采用图5A与图5B的第一光罩对第一平坦层进行曝光显影后的示意图；

图5D为图5C中的第一平坦层上的第六过孔的俯视示意图；

图6A与图6B为本发明的AMOLED透明显示器的制作方法的步骤3的第一实施例的示意图；

图6C与图6D为本发明的AMOLED透明显示器的制作方法的步骤3的第二实施例的示意图；

图7A与图7B分别为本发明的AMOLED透明显示器的制作方法的步骤4的两个实施例的示意图；

图8A与图8B分别为本发明的AMOLED透明显示器的制作方法的步骤5的两个实施例的示意图暨本发明的AMOLED透明显示器的两个实施例的结构示意图。

具体实施方式

为更进一步阐述本发明所采取的技术手段及其效果，以下结合本发明的优选实施例及其附图进行详细描述。

请参阅图3，本发明首先提供一种AMOLED透明显示器的制作方法，包括如下步骤：

步骤1、如图4所示，提供一衬底基板10，在所述衬底基板10上从下到上依次形成栅极11、栅极绝缘层20、有源层21、刻蚀阻挡层30、源极41和漏极42、钝化层50、以及第一平坦层60；

所述第一平坦层60、钝化层50、刻蚀阻挡层30及栅极绝缘层20中，所述第一平坦层60的厚度最大；

所述刻蚀阻挡层30上设有分别对应于所述有源层21两端的第一通孔31与第二通孔32、所述源极41和漏极42分别经由所述第一通孔31和第二通孔32与所述有源层21相接触；

所述钝化层50上设有对应于所述漏极42上方的第一过孔51，所述栅极绝缘层20上设有第二过孔22，所述刻蚀阻挡层30上设有第三过孔33，所述钝化层50上设有第四过孔54，所述第二过孔22、第三过孔33、第四过孔54上下对应设置且相互贯通。

具体的，所述钝化层50、刻蚀阻挡层30及栅极绝缘层20的厚度分别为

具体的，所述第一平坦层60的厚度为2μm至3μm，优选为2.5μm。

步骤2、如图5A或者5B所示，提供第一光罩70，所述第一光罩70上设有数个第一透光图案71与数个第二透光图案72；所述第一透光图案71包括连续不间断的第一透光区711；所述第二透光图案72包括连续不间断的第二透光区721以及沿所述第二透光区721的周边依次排列且分别与所述第二透光区721相连接的数个微型透光区722；

如图5C或者5E所示，采用所述第一光罩70对所述第一平坦层60进行曝光、显影，在所述第一平坦层60上形成对应于所述第一透光图案71的第五过孔65以及对应于所述第二透光图案72的第六过孔66；

所述第五过孔65与所述第一过孔51上下对应设置且相互贯通，共同构成第三通孔63；

所述第六过孔66与所述第四过孔54、第三过孔33、第二过孔22上下对应设置且相互贯通；

所述第六过孔66的孔壁上设有间隔设置的数个沟槽661以及位于所述数个沟槽661之间的数个凸起部662，或者所述第六过孔66的孔壁为从远离所述第六过孔66的位置向靠近所述第六过孔66的位置的方向上高度逐渐减小的斜坡。

具体的，图5A为所述第一光罩70的第一实施例的结构示意图，如图5A所示，所述数个微型透光区722为沿所述第二透光区721的周边依次排列且间隔设置的数个矩形透光区723。

具体的，图5B为所述第一光罩70的第二实施例的结构示意图，如图5B所示，所述数个微型透光区722为沿所述第二透光区721的周边依次排列的数个三角形透光区725，所述数个三角形透光区725依次相连或者间隔设置。

所述步骤2中，由于所述第二透光图案72具有特殊的图形结构，因此，在采用所述第一光罩70对所述第一平坦层60进行曝光、显影后，在所述第一平坦层60上形成的对应于所述第二透光图案72的第六过孔66的孔壁会具有与普通通孔相区别的特殊形状或者构造：

具体的，如图5A所示，所述数个微型透光区722为间隔设置的数个矩形透光区723，且所述矩形透光区723的边长为3μm至5μm时，如图5C与图5D所示，所述第六过孔66的孔壁上形成有分别对应于所述数个矩形透光区723的数个沟槽661以及位于所述数个沟槽661之间的数个凸起部662。

具体的，所述沟槽661的槽底相对于所述凸起部662的表面的凹陷深度为3μm至5μm。

具体的，如图5A所示，所述数个微型透光区722为间隔设置的数个矩形透光区723，且所述矩形透光区723的边长为1μm至3μm(优选为2μm至3μm)时，所述第一光罩70上位于所述数个微型透光区722的区域形成衍射光栅，可对曝光的紫外光进行分散，且由于该区域曝光时通过的紫外光量本身较少，因此该部分区域的整体曝光量较低，在采用第一光罩70对所述第一平坦层60进行曝光、显影后，如图5E所示，所述第一平坦层60上对应于所述数个微型透光区722的区域形成从远离所述第六过孔66的位置向靠近所述第六过孔66的位置的方向上高度逐渐减小的斜坡，该斜坡即为所述第六过孔66的孔壁。

具体的，所述斜坡的坡度为45°～70°，即所述第六过孔66的孔壁与所述钝化层50之间的夹角为45°～70°；所述斜坡的宽度为1μm至3μm，优选为2μm至3μm。

具体的，如图5B所示，所述数个微型透光区722为依次相连或者间隔设置的数个三角形透光区725，且所述三角形透光区725的边长为1μm至3μm(优选为2μm至3μm)时，所述第一光罩70上位于所述数个微型透光区722的区域形成衍射光栅，可对曝光的紫外光进行分散，且由于该区域曝光时通过的紫外光量本身较少，因此该部分区域的整体曝光量较低，在采用第一光罩70对所述第一平坦层60进行曝光、显影后，如图5E所示，所述第一平坦层60上对应于所述数个微型透光区722的区域形成从远离所述第六过孔66的位置向靠近所述第六过孔66的位置的方向上高度逐渐减小的斜坡，该斜坡即为所述第六过孔66的孔壁。

具体的，所述斜坡的坡度为45°～70°，即所述第六过孔66的孔壁与所述钝化层50之间的夹角为45°～70°；所述斜坡的宽度为1μm至3μm，优选为2μm至3μm。

步骤3、如图6B或6D所示，在所述第一平坦层60经由所述第三通孔63与所述漏极42相接触的阳极91。

具体的，如图6A与6B所示，或者如图6C与6D所示，所述步骤3包括：在所述第二平坦层70上形成阳极材料层80，在所述阳极材料层80上涂布光阻层81，采用第二光罩82对该光阻层81进行曝光、显影，并对所述阳极材料层80进行蚀刻，剥离剩余光阻后，得到位于所述第四通孔74内且经由所述第三通孔63与所述漏极42相接触的阳极91。

具体的，采用溅射方法形成所述阳极材料层80。

具体的，所述阳极91为反射电极，所述阳极91包括两透明导电金属氧化物层与夹设于两透明导电金属氧化物层之间的金属层，优选的，所述透明导电金属氧化物层的材料为氧化铟锡(ITO)，所述反射金属层的材料为银。

具体的，如图6A所示，当所述第六过孔66的孔壁上设有间隔设置的数个沟槽661以及位于所述数个沟槽661之间的数个凸起部662时，所述步骤3中，在沉积阳极材料时，所述数条沟槽661内不容易溅射进入阳极材料，从而造成阳极材料不能在所述第六过孔66的孔壁上连续沉积，进而降低了在所述第六过孔66的孔壁上沉积的阳极材料的总面积，从而降低蚀刻制程后阳极材料在所述第六过孔66的孔壁上的残留量。

具体的，如图6C所示，当所述第六过孔66的孔壁为从远离所述第六过孔66的位置向靠近所述第六过孔66的位置的方向上高度逐渐减小的斜坡时，所述步骤3中，在沉积阳极材料并进行光刻制程后，由于所述第六过孔66的孔壁的坡度较大，因此涂布于所述第六过孔66的孔壁上的阳极材料上的光阻层81可以受到完全曝光，从而使得沉积于所述第六过孔66的孔壁上的阳极材料被完全蚀刻掉，避免了阳极材料在所述第六过孔66的孔壁上的残留。

步骤4、如图7A或7B所示，在所述第一平坦层60上形成第二平坦层70，在所述第二平坦层70上形成对应于所述阳极91上方的第四通孔74以及与所述第六过孔66上下对应设置且相互贯通的第七过孔77；

所述从下到上依次相贯通的第二过孔22、第三过孔33、第四过孔54、第六过孔66、及第七过孔77共同构成第五通孔75；

在所述第二平坦层70上形成数个支撑物79。

具体的，所述第四通孔74用于形成AMOLED透明显示器的发光子像素，所述第五通孔75用于形成AMOLED透明显示器的透明子像素。

具体的，所述数个支撑物79均为有机光阻材料，所述数个支撑物79的用途为在后续OLED发光层92及阴极93的蒸镀制程中支撑蒸镀掩膜板。

具体的，所述第二平坦层70的厚度为2μm至3μm，优选为2.5μm。

具体的，所述支撑物79的厚度为2μm至3μm，优选为2.5μm。

步骤5、如图8A或图8B所示，在所述阳极91上形成OLED发光层92；

在所述第二平坦层70、数个支撑物79、OLED发光层92、及衬底基板10上形成阴极93。

具体的，所述阴极93为半透明电极，所述阴极93的材料为金属，优选为镁银合金。

具体的，所述步骤5中，所述OLED发光层92与阴极93均采用蒸镀制程制备。

具体的，所述阴极93包覆所述第五通孔75。

上述AMOLED透明显示器的制作方法，通过采用一特殊光罩来制备第一平坦层60上的第六过孔66，使得该第六过孔66的孔壁具有多条沟槽661或者呈斜坡状，从而降低所述第六过孔66的孔壁上的阳极材料的残留量，进而降低构成所述AMOLED透明显示器的透明子像素的第五通孔75内的阳极材料的残留量，提升AMOLED透明显示器的显示性能。

请参阅图8A与图8B，同时参阅图5D，基于上述AMOLED透明显示器的制作方法，本发明还提供一种AMOLED透明显示器，包括衬底基板10、设于所述衬底基板10上的栅极11、设于所述栅极11与衬底基板10上的栅极绝缘层20、设于所述栅极绝缘层20上的有源层21、设于所述有源层21与栅极绝缘层20上的刻蚀阻挡层30、设于所述刻蚀阻挡层30上且分别对应于所述有源层21两端的第一通孔31与第二通孔32、设于所述刻蚀阻挡层30上且分别经由所述第一通孔31和第二通孔32与所述有源层21相接触的源极41和漏极42、设于所述源极41、漏极42、及刻蚀阻挡层30上的钝化层50、设于所述钝化层50上的第一平坦层60、设于所述第一平坦层60与钝化层50上且对应于所述漏极42上方的第三通孔63、设于所述第一平坦层60上且经由所述第三通孔63与所述漏极42相接触的阳极91、设于所述第一平坦层60上的第二平坦层70、设于所述第二平坦层70上且对应于所述阳极91上方的第四通孔74、设于所述阳极91上的OLED发光层92、设于所述第二平坦层70上的数个支撑物79、设于所述第二平坦层70、第一平坦层60、钝化层50、刻蚀阻挡层30及栅极绝缘层20上的第五通孔75、以及设于所述数个支撑物79、第二平坦层70、OLED发光层92及衬底基板10上的阴极93；

所述第五通孔75包括上下对应设置且相互贯通的多个过孔，所述多个过孔包括位于所述栅极绝缘层20上的第二过孔22、位于所述刻蚀阻挡层30上的第三过孔33、位于所述钝化层50上的第四过孔54、位于所述第一平坦层60上的第六过孔66、以及位于所述第二平坦层70上的第七过孔77；

所述第一平坦层60、钝化层50、刻蚀阻挡层30及栅极绝缘层20中，所述第一平坦层60的厚度最大；

如图8A与图5D所示，所述第六过孔66的孔壁上设有间隔设置的数个沟槽661以及位于所述数个沟槽661之间的数个凸起部662；或者，如图8B所示，所述第六过孔66的孔壁为从远离所述第六过孔66的位置向靠近所述第六过孔66的位置的方向上高度逐渐减小的斜坡。

具体的，所述第三通孔63包括设于所述钝化层50上且对应于所述漏极42上方的第一过孔51以及设于所述第一平坦层60上与所述第一过孔51上下对应设置且相互贯通的第五过孔65。

具体的，由于所述第四通孔74内设有OLED发光层92，从而构成所述AMOLED透明显示器的发光子像素；所述第五通孔75内未设置OLED发光层92，从而构成所述AMOLED透明显示器的透明子像素。

具体的，所述钝化层50、刻蚀阻挡层30及栅极绝缘层20的厚度分别为

具体的，所述第一平坦层60的厚度为2μm至3μm，优选为2.5μm。

具体的，所述第二平坦层70的厚度为2μm至3μm，优选为2.5μm。

具体的，所述支撑物79的厚度为2μm至3μm，优选为2.5μm。

具体的，当所述第六过孔66的孔壁上设有间隔设置的数个沟槽661以及位于所述数个沟槽661之间的数个凸起部662时，所述沟槽661的槽底相对于所述凸起部662的表面的凹陷深度为3μm至5μm。

具体的，当所述第六过孔66的孔壁为从远离所述第六过孔66的位置向靠近所述第六过孔66的位置的方向上高度逐渐减小的斜坡时，所述斜坡的坡度为45°～70°，即所述第六过孔66的孔壁与所述钝化层50之间的夹角为45°～70°；所述斜坡的宽度为1μm至3μm，优选为2μm至3μm。通过将所述第六过孔66的孔壁设置为斜坡，本发明还可以提高所述AMOLED透明显示器的透明子像素的开口率。

具体的，所述阳极91为反射电极，所述阴极93为半透明电极，从而使得所述AMOLED透明显示器形成一顶发光OLED显示器。

具体的，所述阳极91包括两透明导电金属氧化物层与夹设于两透明导电金属氧化物层之间的金属层，优选的，所述透明导电金属氧化物层的材料为氧化铟锡(ITO)，所述金属层的材料为银。

具体的，所述阴极93的材料为金属，优选为镁银合金。

具体的，所述阴极93包覆所述第五通孔75。

上述AMOLED透明显示器，通过将第一平坦层60上的第六过孔66的孔壁设置为具有多条沟槽661或者呈斜坡状，从而降低所述第六过孔66的孔壁上的阳极材料的残留量，进而降低构成所述AMOLED透明显示器的透明子像素的第五通孔75内的阳极材料的残留量，具有较好的显示性能。

综上所述，本发明提供一种AMOLED透明显示器及其制作方法。本发明的AMOLED透明显示器的制作方法，通过采用一特殊光罩来制备第一平坦层上的透明子像素的第六过孔，使得该第六过孔的孔壁具有多条沟槽或者呈斜坡状，从而降低所述第六过孔的孔壁上的阳极材料的残留量，进而降低构成所述AMOLED透明显示器的透明子像素的第五通孔内的阳极材料的残留量，提升AMOLED透明显示器的显示性能。本发明的AMOLED透明显示器，通过将第一平坦层上的第六过孔的孔壁设置为具有多条沟槽或者呈斜坡状，从而降低所述第六过孔的孔壁上的阳极材料的残留量，进而降低构成所述AMOLED透明显示器的透明子像素的第五通孔内的阳极材料的残留量，具有较好的显示性能。

以上所述，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本发明的技术方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形，而所有这些改变和变形都应属于本发明权利要求的保护范围。