显示装置和制造显示装置的方法与流程

所描述的技术总体上涉及显示装置和制造显示装置的方法。

背景技术：

由于相较于阴极射线管(CRT)显示器，平板显示器(FPD)质轻且薄，所以FPD在便携式电子装置中广泛地用于图像显示和视频显示。FPD技术的典型示例是液晶显示器(LCD)和有机发光二极管(OLED)显示器。

最近，已经开发了通过包括由类似塑料的柔性材料制成的下基底和上基底而可以被弯曲或折叠的柔性OLED显示器。例如，下基底可以由柔性基底形成，上基底可以具有薄膜包封结构。为了阻挡水或湿气的渗透，薄膜包封结构可以包括至少一层无机层和至少一层有机层，无机层和有机层可以交替地堆叠在下基底上。在形成薄膜包封结构的步骤中，至少一个阻挡构件可以设置在下基底的外部(例如，周边、边缘等)以阻挡有机层的泄漏。阻挡构件也可以支撑在形成显示结构的工艺中使用的掩模。然而，因为掩模位于阻挡构件上，所以阻挡构件的上表面可能被刮擦(例如，可能造成裂纹)。薄膜包封结构可能由于不平坦的表面而因此是有缺陷的，柔性显示装置可能具有减小的有效寿命。

技术实现要素：

一个发明方面涉及一种包括阻挡构件的显示装置。

另一方面是制造包括阻挡构件的显示装置的方法。

另一方面是显示装置，所述显示装置包括基底、显示结构、第一阻挡构件、第二阻挡构件、第一包封层、第二包封层和第三包封层。基底包括显示区和围绕显示区的外围区。显示结构设置在基底的显示区中。具有第一高度的第一阻挡构件设置在基底的外围区中并且围绕显示结构。具有大于所述第一高度的第二高度的第二阻挡构件在从显示区到外围区中的方向上与第一阻挡构件分隔开，并且围绕第一阻挡构件。包括无机材料的第一包封层设置在显示结构、第一阻挡构件和第二阻挡构件上。包括有机材料的第二包封层设置在第一包封层上，并且与第一阻挡构件的至少一部分叠置。包括无机材料的第三包封层设置在第一包封层和第二包封层上。

在示例实施例中，第一阻挡构件和第二阻挡构件使用半色调缝隙掩模同时形成。

在示例实施例中，第一阻挡构件的上表面是不规则的。

在示例实施例中，第一阻挡构件的上表面具有凹凸结构。

在示例实施例中，第一阻挡构件的上表面具有多个凹进。

在示例实施例中，第一高度和第二高度的高度比基本上由大约0.6:1至大约0.8:1的高度比组成。第一高度可以是从基底的上表面至第一阻挡构件的上表面的高度，第二高度可以是从基底的上表面至第二阻挡构件的上表面的高度。

在示例实施例中，第一包封层和第三包封层在第二阻挡构件上彼此接触。

在示例实施例中，第一阻挡构件不与第二阻挡构件接触，第一阻挡构件和第二阻挡构件彼此平行。

在示例实施例中，显示装置还包括在基底上的外围区中的第三阻挡构件。

在示例实施例中，第三阻挡构件在从外围区至显示区中的方向上与第一阻挡构件分隔开，第三阻挡构件具有第一高度。

在示例实施例中，第一阻挡构件、第二阻挡构件以及第三阻挡构件使用半色调缝隙掩模同时形成，第一阻挡构件至第三阻挡构件中的每个的上表面是不规则的。

在示例实施例中，第三阻挡构件设置在第一阻挡构件与第二阻挡构件之间，第一阻挡构件、第二阻挡构件和第三阻挡构件彼此分隔开。第三阻挡构件具有第一高度。

在示例实施例中，第一阻挡构件、第二阻挡构件以及第三阻挡构件使用半色调缝隙掩模同时形成，第一阻挡构件、第二阻挡构件和第三阻挡构件中的每个的上表面是不规则的。

在示例实施例中，第三阻挡构件设置在第一阻挡构件与第二阻挡构件之间，第一阻挡构件、第二阻挡构件和第三阻挡构件彼此分隔开。第三阻挡构件具有第二高度。

在示例实施例中，第一阻挡构件、第二阻挡构件以及第三阻挡构件使用半色调缝隙掩模同时形成，第一阻挡构件、第二阻挡构件和第三阻挡构件中的每个的上表面是不规则的。

在示例实施例中，显示装置还包括在基底和显示结构之间的半导体元件。半导体元件中的每个可以包括基底上的有源层、有源层上的栅电极以及栅电极上的源电极和漏电极。

在示例实施例中，显示装置还包括栅极绝缘层、绝缘夹层、平坦化层和像素限定层。栅极绝缘层设置在基底上，并且可以覆盖有源层。绝缘夹层设置在栅极绝缘层上，并且可以覆盖栅电极。平坦化层设置在绝缘夹层上，并且可以覆盖源电极和漏电极。像素限定层可以设置在平坦化层上。

在示例实施例中，第二阻挡构件包括在绝缘夹层上的下阻挡图案以及在下阻挡图案上的上阻挡图案。

在示例实施例中，上阻挡图案覆盖下阻挡图案，并且具有第二高度。上阻挡图案的下表面的一部分可以与基底接触，上阻挡图案不暴露下阻挡图案。

在示例实施例中，下阻挡图案和平坦化层使用相同的材料同时形成。

在示例实施例中，第一高度大于从基底的上表面至像素限定层的上表面的高度。

在示例实施例中，显示结构中的每个包括下电极、发光层和上电极。下电极可以设置在平坦化层和像素限定层之间，并且可以被像素限定层部分地暴露。发光层可以设置在下电极上。上电极可以在发光层上。

在示例实施例中，显示装置还包括第一电源电压线和第二电源电压线。第一电源电压线可以设置在绝缘夹层上的外围区中，并且可以在从外围区至显示区中的方向上与第一阻挡构件分隔开。第二电源电压线可以在从外围区至显示区中的方向上与第一电源电压线分隔开。第一阻挡构件可以设置在第一电源电压线上。

在示例实施例中，上电极沿从显示区至外围区中的方向延伸并且在外围区中与第一电源电压线接触。

在示例实施例中，低电源电压施加到第一电源电压线，高电源电压施加到第二电源电压线。

在示例实施例中，第一电源电压线和第二电源电压线以及源电极和漏电极使用相同的材料同时形成。

另一方面是制造显示装置的方法。设置包括显示区以及围绕显示区的外围区的基底。在基底的显示区中形成显示结构。在基底上的外围区中使第一阻挡构件形成为第一高度，并且使第一阻挡构件围绕显示结构。形成在从显示区至外围区中的方向上与第一阻挡构件分隔开的第二阻挡构件，并使第二阻挡构件围绕第一阻挡构件。第二阻挡构件具有大于第一高度的第二高度。在显示结构、第一阻挡构件和第二阻挡构件上形成包括无机材料的第一包封层。在第一包封层上形成包括有机材料的第二包封层，并且使第二包封层与第一阻挡构件的至少一部分叠置。在第一包封层和第二包封层上形成包括无机材料的第三包封层。

在示例实施例中，形成第一阻挡构件和第二阻挡构件的步骤包括：在基底上形成初始的平坦化层；通过部分地去除初始的平坦化层形成显示区中的平坦化层以及外围区中的下阻挡图案；在下阻挡图案和平坦化层上形成初始的像素限定层；通过部分地去除初始的像素限定层形成显示区中的像素限定层以及外围区中的第一阻挡构件和上阻挡图案。上阻挡图案可以围绕第一阻挡构件并且位于下阻挡图案上。

在示例实施例中，使用半色调缝隙掩模部分地去除初始的像素限定层，半色调缝隙掩模包括开口区、遮光区、缝隙区和透反射区。初始的像素限定层可以在开口区中被完全地去除，并且可以在遮光区中不被去除。初始的像素限定层可以在透反射区和缝隙区中被部分地去除。

在示例实施例中，像素限定层形成在半色调缝隙掩模的透反射区中，第一阻挡构件形成在半色调缝隙掩模的缝隙区中。下阻挡图案和上阻挡图案可以形成在半色调缝隙掩模的遮光区中。

在示例实施例中，下阻挡图案和上阻挡图案是第二阻挡构件。

在示例实施例中，第一阻挡构件的上表面是不规则的。

在示例实施例中，第一阻挡构件的上表面具有凹凸结构。

在示例实施例中，第一阻挡构件的上表面具有多个凹进。

在示例实施例中，在形成显示结构的步骤之前，所述方法还包括在基底上形成半导体元件。

在示例实施例中，形成半导体元件的步骤包括：在基底上形成有源层；在基底上形成覆盖有源层的栅极绝缘层；在栅极绝缘层上形成栅电极；在栅极绝缘层上形成覆盖栅电极的绝缘夹层；以及在绝缘夹层上形成源电极和漏电极以及第一电源电压线和第二电源电压线。

在示例实施例中，形成显示结构的步骤包括：在绝缘夹层上形成覆盖源电极和漏电极以及第一电源电压线和第二电源电压线的平坦化层；在平坦化层上形成下电极；在平坦化层上形成暴露每个下电极的一部分的像素限定层；在下电极上形成发光层；以及在发光层和像素限定层上形成上电极。

在示例实施例中，第一高度和第二高度的高度比基本上由大约0.6:1至大约0.8:1的高度比组成。第一高度可以是从基底的上表面至第一阻挡构件的上表面的高度，第二高度可以是从基底的上表面至第二阻挡构件的上表面的高度。

在示例实施例中，形成第一阻挡构件和第二阻挡构件的步骤包括形成初始的像素限定层以及通过部分地去除初始的像素限定层形成像素限定层以及第一阻挡构件和第二阻挡构件。第二阻挡构件可以围绕第一阻挡构件。

在示例实施例中，使用半色调缝隙掩模部分地去除初始的像素限定层。半色调缝隙掩模包括开口区、遮光区、缝隙区和透反射区。初始的像素限定层可以在开口区中被完全地去除，并且可以在遮光区中不被去除。初始的像素限定层可以在透反射区和缝隙区中被部分地去除。

在示例实施例中，像素限定层形成在半色调缝隙掩模的透反射区中，第一阻挡构件形成在半色调缝隙掩模的缝隙区中。第二阻挡构件可以形成在半色调缝隙掩模的遮光区中。

另一方面是显示装置，所述显示装置包括：基底，包括显示区和围绕显示区的外围区；多个显示结构，在显示区中；第一阻挡构件，在外围区中并且围绕显示结构，第一阻挡构件具有第一高度；第二阻挡构件，在从显示区延伸到外围区的第一方向上与第一阻挡构件分隔开，第二阻挡构件围绕第一阻挡构件，第二阻挡构件具有大于第一高度的第二高度；第一包封层，在显示结构、第一阻挡构件和第二阻挡构件之上，其中，第一包封层由无机材料形成；第二包封层，在第一包封层之上，第二包封层在显示装置的深度维度上与第一阻挡构件的至少一部分叠置，第二包封层由有机材料形成；以及第三包封层，在第一包封层和第二包封层之上，第三包封层由无机材料形成。

在上面的显示装置中，第一阻挡构件和第二阻挡构件由相同的材料形成。

在上面的显示装置中，第一阻挡构件的上表面是不均匀的。

在上面的显示装置中，第一阻挡构件的上表面具有凹部和凸部。

在上面的显示装置中，第一阻挡构件的上表面具有多个凹进。

在上面的显示装置中，第一高度与第二高度的比在大约0.6:1至大约0.8:1的范围内，其中，第一高度被限定为从基底的上表面至第一阻挡构件的上表面，其中，第二高度被限定为从基底的上表面至第二阻挡构件的上表面。

在上面的显示装置中，第一包封层和第三包封层在第二阻挡构件之上彼此直接接触。

在上面的显示装置中，第一阻挡构件不直接接触第二阻挡构件，其中，第一阻挡构件和第二阻挡构件彼此平行。

上面的显示装置还包括在基底上的外围区中的第三阻挡构件。

在上面的显示装置中，第三阻挡构件在从外围区延伸至显示区的第二方向上与第一阻挡构件分隔开，其中，第三阻挡构件具有第一高度。

在上面的显示装置中，第一阻挡构件、第二阻挡构件以及第三阻挡构件由相同的材料形成，其中，第一阻挡构件至第三阻挡构件中的每个的上表面是不均匀的。

在上面的显示装置中，第三阻挡构件设置在第一阻挡构件与第二阻挡构件之间，其中，第一阻挡构件、第二阻挡构件和第三阻挡构件彼此分隔开，其中，第三阻挡构件具有第一高度。

在上面的显示装置中，第一阻挡构件、第二阻挡构件以及第三阻挡构件由相同的材料形成，其中，第一阻挡构件、第二阻挡构件和第三阻挡构件中的每个的上表面是不均匀的。

在上面的显示装置中，第三阻挡构件设置在第一阻挡构件与第二阻挡构件之间，其中，第一阻挡构件、第二阻挡构件和第三阻挡构件彼此分隔开，其中，第三阻挡构件具有第二高度。

在上面的显示装置中，第一阻挡构件、第二阻挡构件以及第三阻挡构件由相同的材料形成，其中，第一阻挡构件、第二阻挡构件和第三阻挡构件中的每个的上表面是不均匀的。

上面的显示装置还包括设置在基底和显示结构之间的多个半导体元件，其中，半导体元件中的每个包括：有源层，在基底之上；栅电极，在有源层之上；以及源电极和漏电极，在栅电极之上。

上面的显示装置还包括：栅极绝缘层，在有源层之上；绝缘夹层，在栅电极之上；平坦化层，在源电极和漏电极之上；以及像素限定层，在平坦化层之上。

在上面的显示装置中，第二阻挡构件包括：下阻挡图案，在绝缘夹层之上；以及上阻挡图案，在下阻挡图案之上。

在上面的显示装置中，上阻挡图案覆盖下阻挡图案并且具有第二高度，其中，上阻挡图案的下表面的一部分直接接触基底，其中，上阻挡图案不暴露下阻挡图案。

在上面的显示装置中，下阻挡图案和平坦化层由相同的材料形成。

在上面的显示装置中，第一高度大于被限定为从基底的上表面至像素限定层的上表面的高度。

在上面的显示装置中，显示结构中的每个包括：下电极，设置在平坦化层和像素限定层之间，下电极具有直接接触像素限定层的多个侧部；发光层，在下电极之上；以及上电极，在发光层之上。

上面的显示装置还包括：第一电源电压线，位于外围区中并且在绝缘夹层之上，第一电源电压线在从外围区至显示区的第二方向上与第一阻挡构件分隔开；以及第二电源电压线，在第二方向上与第一电源电压线分隔开，其中，第一阻挡构件设置在第一电源电压线之上。

在上面的显示装置中，上电极在第一方向上延伸并且在外围区中直接接触第一电源电压线。

在上面的显示装置中，第一电源电压线被构造为接收第一电源电压，其中，第二电源电压线被构造为接收大于第一电源电压的第二电源电压。

在上面的显示装置中，第一电源电压线和第二电源电压线以及源电极和漏电极由相同的材料形成。

另一方面是制造显示装置的方法。所述方法包括：设置包括显示区以及围绕显示区的外围区的基底；在显示区中形成多个显示结构；在外围区中形成第一阻挡构件并且使第一阻挡构件围绕显示结构，第一阻挡构件具有第一高度；形成在从显示区延伸至外围区的第一方向上与第一阻挡构件分隔开的第二阻挡构件，第二阻挡构件围绕第一阻挡构件并且具有大于第一高度的第二高度；在显示结构、第一阻挡构件和第二阻挡构件之上形成第一包封层，其中，第一包封层由无机材料形成；在第一包封层之上形成第二包封层，第二包封层在显示装置的深度维度上与第一阻挡构件的至少一部分叠置，其中，第二包封层由有机材料形成；在第一包封层和第二包封层之上形成第三包封层，第三包封层由无机材料形成。

在上面的方法中，形成第一阻挡构件和第二阻挡构件的步骤包括：在基底之上形成初始的平坦化层；部分地去除初始的平坦化层以形成显示区中的平坦化层以及外围区中的下阻挡图案；在下阻挡图案和平坦化层之上形成初始的像素限定层；部分地去除初始的像素限定层以在显示区中形成像素限定层并且在外围区中形成第一阻挡构件和上阻挡图案，上阻挡图案围绕第一阻挡构件并且位于下阻挡图案上。

在上面的方法中，使用半色调缝隙掩模部分地去除初始的像素限定层，其中，半色调缝隙掩模包括开口区、遮光区、缝隙区和透反射区，其中，初始的像素限定层在开口区中被完全地去除，并且在遮光区中不被去除，其中，初始的像素限定层在透反射区和缝隙区中被部分地去除。

在上面的方法中，像素限定层形成在半色调缝隙掩模的透反射区中，其中，第一阻挡构件形成在半色调缝隙掩模的缝隙区中，其中，下阻挡图案和上阻挡图案形成在半色调缝隙掩模的遮光区中。

在上面的方法中，下阻挡图案和上阻挡图案形成第二阻挡构件。

在上面的方法中，第一阻挡构件的上表面是不均匀的。

在上面的方法中，第一阻挡构件的上表面具有凹部和凸部。

在上面的方法中，第一阻挡构件的上表面具有多个凹进。

上面的方法还包括在形成显示结构的步骤之前，在基底上形成半导体元件。

在上面的方法中，形成半导体元件的步骤包括：在基底之上形成有源层；在有源层上形成栅极绝缘层；在栅极绝缘层之上形成栅电极；在栅电极和栅极绝缘层上形成绝缘夹层；以及在绝缘夹层之上形成源电极和漏电极以及第一电源电压线和第二电源电压线。

在上面的方法中，形成显示结构的步骤包括：在源电极和漏电极以及第一电源电压线和第二电源电压线之上形成平坦化层；在平坦化层之上形成下电极；形成暴露每个下电极的一部分的像素限定层；在下电极之上形成发光层；以及在发光层和像素限定层之上形成上电极。

在上面的方法中，第一高度与第二高度的比在大约0.6:1至大约0.8:1的范围内，其中，第一高度被限定为从基底的上表面至第一阻挡构件的上表面，其中，第二高度被限定为从基底的上表面至第二阻挡构件的上表面。

在上面的方法中，形成第一阻挡构件和第二阻挡构件的步骤包括：形成初始的像素限定层；以及部分地去除初始的像素限定层以形成像素限定层以及第一阻挡构件和第二阻挡构件，第二阻挡构件围绕第一阻挡构件。

在上面的方法中，使用半色调缝隙掩模部分地去除初始的像素限定层，其中，半色调缝隙掩模包括开口区、遮光区、缝隙区和透反射区，其中，初始的像素限定层在开口区中被完全地去除，并且在遮光区中不被去除，其中，初始的像素限定层在透反射区和缝隙区中被部分地去除。

在上面的方法中，像素限定层形成在半色调缝隙掩模的透反射区中，其中，第一阻挡构件形成在半色调缝隙掩模的缝隙区中，其中，第二阻挡构件形成在半色调缝隙掩模的遮光区中。

根据公开的实施例中的至少一个，显示装置包括具有第一高度的第一阻挡构件以及具有大于第一高度的第二高度的第二阻挡构件，第一阻挡构件的上表面不与掩模接触。因此，可以防止薄膜包封结构的缺陷。

附图说明

图1是示出根据示例实施例的显示装置的平面图。

图2是沿图1的线I-I'截取的剖视图。

图3是示出包括在图2的显示装置中的第一阻挡构件的示例的剖视图。

图4是示出包括在图2的显示装置中的第一阻挡构件的另一示例的剖视图。

图5是示出包括在图2的显示装置中的第一阻挡构件的又一示例的剖视图。

图6、图7、图8、图9、图10、图12、图13、图14、图15、图16、图17、图18和图19是示出根据示例实施例的制造显示装置的方法的剖视图。

图11是示出根据示例实施例的半色调缝隙掩模的平面图。

图20是示出根据示例实施例的显示装置的剖视图。

图21是示出根据示例实施例的显示装置的剖视图。

图22是示出根据示例实施例的显示装置的剖视图。

图23是示出根据示例实施例的显示装置的剖视图。

图24是示出根据示例实施例的显示装置的剖视图。

图25是示出根据示例实施例的显示装置的剖视图。

图26、图27、图28、图29、图30和图31是示出根据示例实施例的制造显示装置的方法的剖视图。

具体实施方式

在下文中，将参照附图详细地解释实施例。在本公开中，术语“基本上”包括完全地、几乎完全地或者在一些应用和根据本领域的技术人员的任意显著程度。此外，“形成、设置或位于……之上”也可以意味着“形成、设置或位于……上”。术语“连接”包括电连接。

图1是示出根据示例实施例的显示装置的平面图。

参照图1，显示装置100包括显示区10和外围区20。

显示结构可以设置在显示区10中。显示图像可以通过显示结构(例如，有机发光二极管、液晶等)显示在显示区10中。导线(例如，扫描线、数据线、电源电压线等)可以设置在外围区20中。这里，导线可以电连接到显示结构。

在示例实施例中，第一阻挡构件445和第二阻挡构件450设置在外围区20中。第一阻挡构件445可以具有第一高度，并且可以围绕显示结构。第二阻挡构件450可以具有大于第一高度的第二高度，并且可以围绕第一阻挡构件445。例如，第一阻挡构件445不与第二阻挡构件450接触，并且它们彼此平行。第一阻挡构件445和第二阻挡构件450可以防止包括在将在下面描述的薄膜包封(TFE)结构中的有机层的泄漏。另外，显示装置100可以包括柔性基底。通过这种方式，因为显示装置100包括柔性基底和TFE结构，所以显示装置100可以用作柔性显示装置。

图1中示出的显示区10和外围区20可以具有基本正方形形状(或基本矩形形状)的平面形状，但是形状不限于此。例如，显示区10和外围区20可以具有基本三角形形状、基本菱形形状、基本多边形形状、基本圆形形状、基本履带形形状或基本椭圆形形状的平面形状。

图2是沿图1的线I-I'截取的剖视图。图3是示出包括在图2的显示装置中的第一阻挡构件的示例的剖视图。图4是示出包括在图2的显示装置中的第一阻挡构件的另一示例的剖视图。图5是示出包括在图2的显示装置中的第一阻挡构件的又一示例的剖视图。

参照图2至图5，显示装置100包括基底110、半导体元件250、栅极绝缘层150、绝缘夹层190、平坦化层270、第一电源电压线350、第二电源电压线470、显示结构、像素限定层310、第一阻挡构件445、第二阻挡构件450、薄膜包封结构400等。这里，显示结构可以包括下电极290、发光层330和上电极340，半导体元件250可以包括有源层130、栅电极170、源电极210和漏电极230。薄膜包封结构400可以包括第一包封层385、第二包封层370和第三包封层390。另外，第二阻挡构件450可以包括下阻挡图案452和上阻挡图案454。

如上所述，显示装置100可以包括显示区10和外围区20。例如，显示图像显示在显示区10中，第一电源电压线350、第二电源电压线470、第一阻挡构件445和第二阻挡构件450设置在外围区20中。因为显示装置100包括柔性基底110和薄膜包封结构400，所以显示装置100可以用作柔性显示装置。

可以设置基底110。基底110可以由透明材料形成。基底110可以由诸如柔性透明树脂基底(例如，聚酰亚胺基底)的柔性透明材料形成。例如，聚酰亚胺基底包括第一聚酰亚胺层、第一屏障膜层、第二聚酰亚胺层、第二屏障膜层等。因为聚酰亚胺基底相对薄且是柔性的，所以聚酰亚胺基底可以设置在硬质玻璃基底上以有助于支撑形成的上结构(例如，半导体元件250、显示结构等)。即，基底110可以具有其中第一聚酰亚胺层、第一屏障膜层、第二聚酰亚胺层、第二屏障膜层堆叠在硬质玻璃基底上的结构。在制造显示装置100的步骤中，在聚酰亚胺基底的第二屏障膜层上设置绝缘层(例如，缓冲层)之后，可以在绝缘层上设置上结构。在绝缘层上形成上结构之后，可以去除其上设置有聚酰亚胺基底的硬质玻璃基底。因为聚酰亚胺基底相对薄且是柔性的，所以可能难以直接在聚酰亚胺基底上形成上结构。因此，上结构形成在层压在硬质玻璃基底上的聚酰亚胺基底上，随后在去除硬质玻璃基底之后，聚酰亚胺基底可以用作显示装置100的基底110。可选择的是，基底110可以包括石英基底、人造石英基底、氟化钙基底、氟化物掺杂的石英基底、钠钙玻璃基底、无碱基底等。当显示装置100包括显示区10和外围区20时，基底110也可以包括显示区10和外围区20。

缓冲层(未示出)可以设置在基底110上。缓冲层可以设置在整个基底110上。缓冲层可以防止金属原子和/或杂质从基底110扩散。另外，缓冲层可以控制在用于形成有源层130的结晶工艺中的热传递的速率，从而获得基本均匀的有源层130。此外，当基底110的表面相对不规则时，缓冲层可以改善基底110的表面平整度。根据一种类型的基底110，至少两层缓冲层可以设置在基底110上，或者可以不设置缓冲层。例如，缓冲层由硅化合物、金属氧化物等形成。

半导体元件250可以设置在基底110上。半导体元件250可以由有源层130、栅电极170、源电极210和漏电极230形成。

有源层130可以设置在基底110上的显示区10中。有源层130可以由氧化物半导体、无机半导体(例如，非晶硅，多晶硅等)、有机半导体等形成。

栅极绝缘层150可以设置在有源层130上。栅极绝缘层150可以覆盖显示区10中的有源层130，并且可以设置在整个基底110上。在示例实施例中，栅极绝缘层150充分地覆盖有源层130，并且具有基本水平的表面，而在有源层130周围没有台阶。可选择的是，栅极绝缘层150可以覆盖有源层130，并且可以设置为沿有源层130的轮廓而具有基本均匀的厚度。栅极绝缘层150由硅化合物、金属氧化物等形成。例如，栅极绝缘层150可以由氧化硅(SiO_x)、氮化硅(SiN_x)、氮氧化硅(SiO_xN_y)、碳氧化硅(SiO_xC_y)、碳氮化硅(SiC_xN_y)、氧化铝(AlO_x)、氮化铝(AlN_X)、氧化钽(TaO_x)、氧化铪(HfO_x)、氧化锆(ZrO_x)、氧化钛(TiO_x)等形成。

栅电极170可以设置在栅极绝缘层150的其下定位有有源层130的部分上。栅电极170可以由金属、金属合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等形成。例如，栅电极170由铝(Al)、铝的合金、氮化铝(AlN_x)、银(Ag)、银的合金、钨(W)、氮化钨(WN_x)、铜(Cu)、铜的合金、镍(Ni)、铬(Cr)、氮化铬(CrN_x)、钼(Mo)、钼的合金、钛(Ti)、氮化钛(TiN_x)、铂(Pt)、钽(Ta)、氮化钽(TaN_x)、钕(Nd)、钪(Sc)、氧化锶钌(SRO)、氧化锌(ZnO_x)、氧化锡(SnO_x)、氧化铟(InO_x)、氧化镓(GaO_x)、氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)等形成。这些可以单独使用或者以它们的合适的组合来使用。

绝缘夹层190可以设置在栅电极170上。绝缘夹层190可以覆盖显示区10中的栅电极170，并且可以设置在整个栅极绝缘层150上。在示例实施例中，绝缘夹层190充分地覆盖栅极绝缘层150上的栅电极170，并且可以具有基本水平的表面，而在栅电极170周围没有台阶。可选择的是，绝缘夹层190可以覆盖栅极绝缘层150上的栅电极170，并且可以设置为沿栅电极170的轮廓而具有基本均匀的厚度。绝缘夹层190可以包括硅化合物、金属氧化物等。

源电极210和漏电极230可以设置在绝缘夹层190上的显示区10中。源电极210可以经由通过去除栅极绝缘层150和绝缘夹层190的一部分而形成的接触孔来与有源层130的第一侧接触。漏电极230可以经由通过去除栅极绝缘层150和绝缘夹层190的另一部分而形成的接触孔来与有源层130的第二侧接触。源电极210和漏电极230可以由金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等形成。这些可以单独使用或者以它们的合适的组合来使用。

第一电源电压线350、第二电源电压线470、第一阻挡构件445和第二阻挡构件450可以设置在绝缘夹层190上的外围区20中。

第一电源电压线350可以在绝缘夹层190上与第一阻挡构件445在第一方向上分隔开。这里，第一方向是从显示区10到外围区20中的方向。在示例实施例中，低电源电压施加到第一电源电压线350。上电极340可以与第一电源电压线350接触，低电源电压可以施加到上电极340。

第二电源电压线470可以在绝缘夹层190上与第一电源电压线350在第一方向上分隔开。在示例实施例中，高电源电压施加到第二电源电压线470。下电极290可以电连接到第二电源电压线470，高电源电压可以施加到下电极290。第一电源电压线350和第二电源电压线470中的每个可以由金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等形成。这些可以单独使用或者以它们的合适的组合来使用。第一电源电压线350和第二电源电压线470以及源电极210和漏电极230可以使用相同的材料基本同时地(或并行地)形成。在一些示例实施例中，另外地设置扫描线、数据线、发光信号线、初始电压线等。所述线和栅电极170可以使用相同的材料基本同时地(或并行地)形成。可选择的是，所述线以及源电极210和漏电极230可以使用相同的材料基本同时地(或并行地)形成。

第一阻挡构件445可以具有第一高度T1，并且可以围绕显示结构、半导体元件250、第一电源电压线350和第二电源电压线470。第一高度T1可以是从绝缘夹层190的上表面到第一阻挡构件445的上表面的高度。另一方面，第一高度T1可以是从基底110的上表面到第一阻挡构件445的上表面的高度。第一阻挡构件445可以阻挡第二包封层370的泄漏。第一阻挡构件445、上阻挡图案454和像素限定层310可以使用相同的材料基本同时地(或并行地)形成。

第二阻挡构件450可以在第二方向上与第一阻挡构件445分隔开。这里，第二方向是与第一方向相反的方向。另外，第二阻挡构件450可以围绕第一阻挡构件445，并且可以具有大于第一高度T1的第二高度T2。第二高度T2可以是从绝缘夹层190的上表面到第二阻挡构件450的上表面的高度。另一方面，第二高度T2可以是从基底110的上表面到第二阻挡构件450的上表面的高度。第二阻挡构件450可以支撑在形成显示结构(例如，发光层330和上电极340)的工艺中使用的掩模，并且可以阻挡第二包封层370的泄漏。在示例实施例中，第二阻挡构件450包括下阻挡图案452和上阻挡图案454。下阻挡图案452可以设置在绝缘夹层190上，上阻挡图案454可以设置在下阻挡图案452上。下阻挡图案452和平坦化层270可以使用相同的材料基本同时地(或并行地)形成，上阻挡图案454、第一阻挡构件445和像素限定层310可以使用相同的材料基本同时地(或并行地)形成。

在示例实施例中，第一高度T1和第二高度T2的高度比可以基本上由大约0.6:1至大约0.8:1的高度比组成。例如，第二阻挡构件450的高度可以是大约3.3微米，使得第二阻挡构件450与在形成显示结构的工艺中使用的掩模接触。第一阻挡构件445的高度可以是大约2.6微米，使得第一阻挡构件445阻挡第二包封层370的泄漏并且与在形成显示结构的工艺中使用的掩模分隔开。例如，当掩模与第一阻挡构件445接触时，第一阻挡构件445的上表面可能被刮擦(例如，破裂)。在这种情况下，由于刮擦，在第一阻挡构件445上可能出现薄膜包封结构400的缺陷。例如，由于第一阻挡构件445的上表面的刮擦，第一包封层385可能在第一阻挡构件445的上表面中被剪切(例如，被损坏)，第一阻挡构件445和第二包封层370可能在剪切部分中彼此直接接触。因为第一阻挡构件445和第二包封层370由有机材料形成，所以水或湿气会通过第一阻挡构件445和第二包封层370渗透到显示区10中。结果，显示装置100可能受损。为了防止在第一阻挡构件445的上表面中的第一包封层385的剪切现象，第一阻挡构件445的高度可以小于第二阻挡构件450的高度。第一阻挡构件445和第二阻挡构件450中的每个可以由有机材料或无机材料形成。在示例实施例中，第一阻挡构件445和第二阻挡构件450中的每个由有机材料形成。例如，第一阻挡构件445和第二阻挡构件450中的每个由聚酰亚胺类树脂、光致抗蚀剂、丙烯酸类树脂、聚酰胺类树脂、硅氧烷类树脂等形成。

在示例实施例中，第一阻挡构件445和第二阻挡构件450使用半色调缝隙掩模基本同时地(或并行地)形成，使得第一阻挡构件445的高度小于第二阻挡构件450的高度。例如，在绝缘夹层190上形成初始的平坦化层之后，可以通过部分地去除初始的平坦化层来形成外围区20中的下阻挡图案452和显示区10中的平坦化层270。在形成下阻挡图案452和平坦化层270之后，可以在整个绝缘夹层190上将初始的像素限定层设置为第二高度T2，随后可以使用半色调缝隙掩模部分地去除初始的像素限定层。半色调缝隙掩模可以包括开口区、遮光区、缝隙区和透反射区。初始的像素限定层可以在开口区中被完全地去除，并且可以在遮光区中不被去除。另外，初始的像素限定层可以在透反射区和缝隙区中被部分地去除。这里，与缝隙区相比，透反射区可以进一步地去除初始的像素限定层。即，第一阻挡构件445的第一高度T1可以大于像素限定层310的上表面的高度。像素限定层310可以形成在半色调缝隙掩模的透反射区中，第一阻挡构件445可以形成在半色调缝隙掩模的缝隙区中。另外，下阻挡图案452和上阻挡图案454可以形成在半色调缝隙掩模的遮光区中。除了像素限定层310、第一阻挡构件445、下阻挡图案452和上阻挡图案454之外的剩余部分可以位于开口区中，并且初始的像素限定层可以被完全地去除。在工艺中，位于缝隙区下方的第一阻挡构件445的上表面可以是不规则的(例如，不均匀的)。在示例实施例中，如图3中示出的，第一阻挡构件445的上表面包括多个凹进441。可选择的是，如图4和图5中示出，第一阻挡构件445的上表面可以包括凹凸结构。但本发明不限于此，第二阻挡构件450的上表面也可以是不平坦的。

平坦化层270可以设置在源电极210、漏电极230、第二电源电压线470以及第一电源电压线350的一部分上。平坦化层270可以覆盖绝缘夹层190上的显示区10中的源电极210和漏电极230，以及绝缘夹层190上的外围区20中的第二电源电压线470以及第一电源电压线350的一部分。即，平坦化层270可以设置在整个绝缘夹层190上的显示区10中。在示例实施例中，平坦化层270设置为大的厚度以充分地覆盖源电极210、漏电极230、第二电源电压线470以及第一电源电压线350的一部分。在这种情况下，平坦化层270可以具有基本平坦的上表面，可以对平坦化层270进一步执行平坦化工艺以实现平坦化层270的平坦的上表面。可选择的是，平坦化层270可以覆盖源电极210、漏电极230、第二电源电压线470以及第一电源电压线350的一部分，并且可以设置为沿源电极210、漏电极230、第二电源电压线470以及第一电源电压线350的一部分的轮廓具有基本均匀的厚度。平坦化层270可以由有机材料或无机材料形成。在示例实施例中，平坦化层270由有机材料形成。

下电极290可以设置在平坦化层270上的显示区10中。下电极290可以经由通过去除平坦化层270的一部分而形成的接触孔来与漏电极230接触。另外，下电极290可以电连接到半导体元件250。下电极290可具有直接接触像素限定层310的多个侧部。下电极290可以由金属、金属合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等形成。这些可以单独使用或者以它们的合适的组合来使用。

像素限定层310可以在平坦化层270上的显示区10中暴露下电极290的一部分。像素限定层310可以在平坦化层270上的外围区20中覆盖平坦化层270，并且可以与第一电源电压线350的上表面接触。在这种情况下，发光层330可以设置在下电极290的被像素限定层310暴露的部分上。像素限定层310可以由有机材料或无机材料形成。在示例实施例中，像素限定层310由有机材料形成。

发光层330可以设置在其中下电极290的部分被暴露的部分中。发光层330可以使用可根据子像素而产生不同颜色的光(例如，红颜色的光、蓝颜色的光、绿颜色的光等)的发光材料中的至少一种来形成。可选择的是，发光层330可以通过堆叠可产生不同颜色的光(诸如红颜色的光、绿颜色的光、蓝颜色的光等)的多种发光材料来产生白颜色的光。在这种情况下，滤色器可以设置在发光层330上。滤色器可以包括从红色滤色器、绿色滤色器和蓝色滤色器中选择的至少一种滤色器。可选择的是，滤色器可以包括黄色滤色器、蓝绿色滤色器和品红色滤色器。滤色器可以由光敏树脂(或彩色光致抗蚀剂)等形成。

上电极340可以设置在像素限定层310、发光层330以及第一电源电压线350的一部分上。如上所述，低电源电压可以通过第一电源电压线350施加到上电极340。上电极340可以由金属、金属合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等形成。

薄膜包封结构400可以设置在上电极340、第一电源电压线350、第一阻挡构件445和第二阻挡构件450上。薄膜包封结构400可以包括第一包封层385、第二包封层370和第三包封层390。例如，第二包封层370设置在第一包封层385上，第三包封层390可以设置在第二包封层370上。在示例实施例中，第一包封层385设置在上电极340、第一电源电压线350、第一阻挡构件445和第二阻挡构件450上。第一包封层385可以覆盖上电极340、第一电源电压线350、第一阻挡构件445和第二阻挡构件450，并且可以设置为沿上电极340、第一电源电压线350、第一阻挡构件445和第二阻挡构件450的轮廓具有基本均匀的厚度。第一包封层385可以防止显示结构由于湿气、水、氧等的渗透而劣化。另外，第一包封层385可以保护显示结构不受外部冲击的影响。第一包封层385可以由无机材料形成。

第二包封层370可以设置在第一包封层385上的显示区10以及外围区20的一部分中。第二包封层370可以改善显示装置100的平整度，并且可以保护设置在显示区10中的显示结构。第二包封层370可以由有机材料形成。在示例实施例中，第二包封层370与第一阻挡构件445的至少一部分叠置。

第三包封层390可以设置在外围区20中设置的第一包封层385以及第二包封层370上。第三包封层390可以覆盖设置在外围区20中的第一包封层385以及第二包封层370，并且可以设置为沿设置在外围区20中的第一包封层385以及第二包封层370的轮廓而具有基本均匀的厚度。第三包封层390与第一包封层385和第二包封层370一起可以防止显示结构由于湿气、水、氧等的渗透而劣化。另外，第三包封层390与第一包封层385和第二包封层370一起可以保护显示结构不受外部冲击的影响。第三包封层390可以由无机材料形成。在示例实施例中，第一包封层385和第三包封层390在第二阻挡构件450上彼此接触。

可选择的是，薄膜包封结构400可以具有堆叠有第一至第五包封层的五层结构或者堆叠有第一至第七包封层的七层结构。

根据示例实施例的显示装置100可以包括具有第一高度T1的第一阻挡构件445以及具有大于第一高度T1的第二高度T2的第二阻挡构件450。因此，因为第一阻挡构件445的上表面不与在形成显示结构的工艺中使用的掩模接触，所以第一包封层385不会在第一阻挡构件445的上表面中被剪切，显示装置100可以保护显示结构免受水或湿气的影响。

图6至图19是示出根据示例实施例的制造显示装置的方法的剖视图。

参照图6，设置包括显示区10和外围区20的基底510。基底510可以由透明材料形成。可以使用诸如柔性透明树脂基底(例如，聚酰亚胺基底)的柔性透明材料来形成基底510。在这种情况下，聚酰亚胺基底可以包括第一聚酰亚胺层、第一屏障膜层、第二聚酰亚胺层、第二屏障膜层等。

可以在基底510上形成缓冲层(未示出)。缓冲层可以形成在整个基底110上。缓冲层可以使用氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等形成。

可以在基底510上的显示区10中形成有源层530。有源层530可以使用氧化物半导体、无机半导体(例如，非晶硅、多晶硅等)、有机半导体等形成。

可以在有源层530上形成栅极绝缘层550。栅极绝缘层550可以覆盖显示区10中的有源层530，并且可以形成在整个基底510上。栅极绝缘层550可以充分地覆盖有源层530，并且可以具有基本水平的表面，而在有源层530周围没有台阶。可选择的是，栅极绝缘层550可以覆盖基底510上的有源层530，并且可以形成为沿有源层530的轮廓而具有基本均匀的厚度。栅极绝缘层550可以由硅化合物、金属氧化物等形成。例如，栅极绝缘层550可以利用SiO_x、SiN_x、SiO_xN_y、SiO_xC_y、SiC_xN_y、AlO_x、AlN_x、TaO_x、HfO_x、ZrO_x、TiO_x等形成。

可以在栅极绝缘层550的其下定位有有源层530的部分上形成栅电极570。栅电极570可以由金属、金属合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等形成。例如，栅电极570使用Al、铝的合金、AlN_x、Ag、银的合金、W、WN_x、Cu、铜的合金、Ni、Cr、CrN_x、Mo、钼的合金、Ti、TiN_x、Pt、Ta、TaN_x、Nd、Sc、SRO、ZnO_x、SnO_x、InO_x、GaO_x、ITO、IZO等形成。这些可以单独使用或者以它们的合适的组合来使用。

参照图7，可以在栅电极570上形成绝缘夹层590。绝缘夹层590可以在栅极绝缘层550上覆盖显示区10中的栅电极570，并且可以形成在整个栅极绝缘层550上。绝缘夹层590可以充分地覆盖栅极绝缘层550上的栅电极570，并且可以具有基本水平的表面，而在栅电极570周围没有台阶。可选择的是，绝缘夹层590可以覆盖栅极绝缘层550上的栅电极570，并且可以形成为沿栅电极570的轮廓而具有基本均匀的厚度。绝缘夹层590可以使用硅化合物、金属氧化物等形成。

可以在绝缘夹层590上的显示区10中形成源电极610和漏电极630。源电极610可以经由通过去除栅极绝缘层550和绝缘夹层590的一部分而形成的接触孔来与有源层530的第一侧接触。漏电极630可以经由通过去除栅极绝缘层550和绝缘夹层590的另一部分而形成的接触孔来与有源层530的第二侧接触。源电极610和漏电极630中的每个可以使用金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等形成。这些可以单独使用或者以它们的合适的组合来使用。因此，可以形成包括有源层530、栅电极570、源电极610和漏电极630的半导体元件650。

可以在绝缘夹层590上的外围区20中形成第一电源电压线750、第二电源电压线870。

第一电源电压线750可以在绝缘夹层590上在从显示区10到外围区20中的第一方向上与漏电极630分隔开。低电源电压可以施加到第一电源电压线750。

第二电源电压线870可以形成在绝缘夹层590上的第一电源电压线750和漏电极630之间。高电源电压可以施加到第二电源电压线870。第一电源电压线750和第二电源电压线870中的每个可以由金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等形成。第一电源电压线750和第二电源电压线870以及源电极610和漏电极630可以使用相同的材料基本同时地(或并行地)形成。

参照图8，在绝缘夹层590上形成初始的平坦化层675。初始的平坦化层675可以覆盖第一电源电压线750和第二电源电压线870以及源电极610和漏电极630，并且可以形成在整个绝缘夹层590上。初始的平坦化层675可以形成为大的厚度以充分地覆盖第一电源电压线750和第二电源电压线870以及源电极610和漏电极630。在这种情况下，初始的平坦化层675可以具有基本平坦的上表面，可以对初始的平坦化层675进一步执行平坦化工艺以实现初始的平坦化层675的平坦的上表面。初始的平坦化层675可以由有机材料或无机材料形成。在示例实施例中，初始的平坦化层675使用有机材料形成。

参照图9，通过部分地去除初始的平坦化层675来形成显示区10中的平坦化层670以及外围区20中的下阻挡图案852。平坦化层670可以形成在源电极610、漏电极630、第二电源电压线870以及第一电源电压线750的一部分上。在示例实施例中，下阻挡图案852和平坦化层670使用相同的材料基本同时地(或并行地)形成。

可以在平坦化层670上的显示区10中形成下电极690。下电极690可以经由通过去除平坦化层670的一部分而形成的接触孔来与漏电极630接触。另外，下电极690可以电连接到半导体元件650。下电极690可以使用金属、金属合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等形成。这些可以单独使用或者以它们的合适的组合来使用。

参照图10，在绝缘夹层590上形成初始的像素限定层715。初始的像素限定层715可以完全形成在下阻挡图案852、第一电源电压线750、平坦化层670和下电极690上。初始的像素限定层715可以形成为相对大的厚度以覆盖下阻挡图案852、第一电源电压线750、平坦化层670和下电极690。初始的像素限定层715可以由有机材料或无机材料形成。在示例实施例中，初始的像素限定层715使用有机材料形成。

在图11至图13中，使用半色调缝隙掩模910部分地去除初始的像素限定层715。这里，图11是示出半色调缝隙掩模910的平面图。图12是示出半色调缝隙掩模910的剖视图。如图11和图12中示出的，半色调缝隙掩模910包括开口区30、遮光区40、缝隙区25和透反射区50。开口920可以形成在开口区30中，光可以穿过开口920。遮光图案912可以形成在遮光区40中，遮光图案912可以阻挡光。缝隙图案914可以形成在缝隙区25中，一部分光可以穿过位于缝隙图案914之间的开口。透反射图案916可以形成在透反射区50中。这里，一部分光可以穿过透反射图案916，剩余部分的光可以被透反射图案916阻挡。另外，半色调缝隙掩模910还可以包括围绕开口区30、遮光区40、缝隙区25和透反射区50的边界区918。光可以在边界区918中被阻挡，边界区918的功能可以与遮光图案912的功能相同。初始的像素限定层715可以在开口区30中被完全地去除，并且可以在遮光区40中不被去除。另外，初始的像素限定层715可以在透反射区50和缝隙区25中被部分地去除。这里，与缝隙区25相比，透反射区50可以进一步去除初始的像素限定层715。

再次参照图13，半色调缝隙掩模910位于初始的像素限定层715上，光(例如，紫外线)通过半色调缝隙掩模910照射在初始的像素限定层715中。

参照图14，通过部分地去除初始的像素限定层715来形成半色调缝隙掩模910的透反射区50中的像素限定层710、半色调缝隙掩模910的缝隙区25中的第一阻挡构件845以及半色调缝隙掩模910的遮光区40中的上阻挡图案854。这里，初始的像素限定层715可以在半色调缝隙掩模910的开口区30中被完全地去除。

即，包括下阻挡图案852和上阻挡图案854的第二阻挡构件850可以形成为第二高度T2，第一阻挡构件845可以形成为第一高度T1。这里，第一阻挡构件845的第一高度T1可以高于像素限定层710的上表面的水平。

在这个工艺中，位于缝隙区25下方的第一阻挡构件845的上表面可以是不规则的(例如，不均匀的)。在示例实施例中，第一阻挡构件845的上表面可以包括多个凹进(参照图3)。可选择的是，第一阻挡构件845的上表面可以包括凹凸结构(参照图4和图5)。第一阻挡构件845与第二阻挡构件850可以由相同的材料形成。第一阻挡构件845和第二阻挡构件850中的每个可以由有机材料形成。例如，第一阻挡构件845和第二阻挡构件850中的每个使用聚酰亚胺类树脂、光致抗蚀剂、丙烯酸类树脂、聚酰胺类树脂、硅氧烷类树脂等形成。

参照图15和图16，第一掩模930与第二阻挡构件850的上表面接触。在这个工艺中，在一些实施例中，第一阻挡构件845的上表面不与第一掩模930接触。可以通过第一掩模930形成发光层730。发光层730可以形成在其中暴露下电极690的至少一部分的部分上。发光层730可以使用根据子像素能够产生不同颜色的光(例如，红颜色的光、蓝颜色的光、绿颜色的光等)的发光材料中的至少一种来形成。可选择的是，发光层730可以通过堆叠可产生不同颜色的光(诸如红颜色的光、绿颜色的光、蓝颜色的光等)的多种发光材料来大体上产生白颜色的光。

参照图17和图18，第二掩模950与第二阻挡构件850的上表面接触。在这个工艺中，在一些实施例中，第一阻挡构件845的上表面不与第二掩模950接触。可以通过第二掩模950形成上电极740。

可以在像素限定层710、发光层730以及第一电源电压线750的一部分上形成上电极740。低电源电压可以通过第一电源电压线750施加到上电极740。可以使用金属、金属合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等形成上电极740。因此，可以形成包括下电极690、发光层730和上电极740的显示结构。

参照图19，可以在上电极740、第一电源电压线750、第一阻挡构件845和第二阻挡构件850上形成薄膜包封结构800。薄膜包封结构800可以包括第一包封层785、第二包封层770和第三包封层790。例如，第二包封层770形成在第一包封层785上，第三包封层790设置在第二包封层770上。第一包封层785可以设置在上电极740、第一电源电压线750、第一阻挡构件845和第二阻挡构件850上。第一包封层785可以覆盖上电极740、第一电源电压线750、第一阻挡构件845和第二阻挡构件850，并且可以形成为沿上电极740、第一电源电压线750、第一阻挡构件845和第二阻挡构件850的轮廓具有基本均匀的厚度。第一包封层785可以防止显示结构由于湿气、水、氧等的渗透而劣化。另外，第一包封层785可以保护显示结构不受外部冲击的影响。第一包封层785可以使用无机材料形成。

第二包封层770可以形成在第一包封层785上的显示区10以及外围区20的一部分中。第二包封层770可以改善显示装置的平整度，并且可以保护设置在显示区10中的显示结构。第二包封层770可以使用有机材料形成。在示例实施例中，第二包封层770与第一阻挡构件845的至少一部分叠置。

第三包封层790可以形成在外围区20中形成的第一包封层785以及第二包封层770上。第三包封层790可以覆盖形成在外围区20中的第一包封层785以及第二包封层770，并且可以设置为沿形成在外围区20中的第一包封层785以及第二包封层770的轮廓而具有基本均匀的厚度。第三包封层790与第一包封层785和第二包封层770一起可以防止显示结构由于湿气、水、氧等的渗透而劣化。另外，第三包封层790与第一包封层785和第二包封层770一起可以保护显示结构不受外部冲击的影响。第三包封层790可以由无机材料形成。在示例实施例中，第一包封层785和第三包封层790在第二阻挡构件850上彼此接触。因此，可以制造图2中示出的显示装置100。

图20是示出根据示例实施例的显示装置的剖视图。除了第一阻挡构件447之外，图20中示出的显示装置可以具有与参照图2描述的显示装置100的构造基本相同或相似的构造。在图20中，将省略对与参照图2描述的元件基本相同或相似的元件的详细描述。

参照图20，显示装置包括基底110、半导体元件250、栅极绝缘层150、绝缘夹层190、平坦化层270、第一电源电压线350、第二电源电压线470、显示结构、像素限定层310、第一阻挡构件447、第二阻挡构件450、薄膜包封结构400等。这里，显示结构可以包括下电极290、发光层330和上电极340，半导体元件250可以包括有源层130、栅电极170、源电极210和漏电极230。薄膜包封结构400可以包括第一包封层385、第二包封层370和第三包封层390。另外，第二阻挡构件450可以包括下阻挡图案452和上阻挡图案454。

第一阻挡构件447可以设置在第一电源电压线350上。第一阻挡构件447可以围绕显示结构、半导体元件250和第二电源电压线470。

第一高度T1可以是从绝缘夹层190的上表面到第一阻挡构件447的上表面的高度。例如，第一高度T1是第一电源电压线350的高度和第一阻挡构件447的高度之和。

第一阻挡构件447可以利用半色调缝隙掩模形成。在这种情况下，尽管第一阻挡构件447设置在第一电源电压线350上，但是第一阻挡构件447的上表面的高度可以低于第二阻挡构件450的上表面的高度。因此，在一些实施例中，第一阻挡构件447的上表面不与形成显示结构的工艺中使用的掩模接触。

图21是示出根据示例实施例的显示装置的剖视图。图22是示出根据示例实施例的显示装置的剖视图。除了第三阻挡构件455之外，图21和图22中示出的显示装置可以具有与参照图2描述的显示装置100的构造基本相同或相似的构造。在图21和图22中，将省略对与参照图2描述的元件基本相同或相似的元件的详细描述。

参照图21，显示装置包括基底110、半导体元件250、栅极绝缘层150、绝缘夹层190、平坦化层270、第一电源电压线350、第二电源电压线470、显示结构、像素限定层310、第一阻挡构件445、第二阻挡构件450、第三阻挡构件455、薄膜包封结构400等。这里，显示结构可以包括下电极290、发光层330和上电极340，半导体元件250可以包括有源层130、栅电极170、源电极210和漏电极230。薄膜包封结构400可以包括第一包封层385、第二包封层370和第三包封层390。另外，第二阻挡构件450可以包括下阻挡图案452和上阻挡图案454。

第三阻挡构件455可以设置在绝缘夹层190上的外围区20中。在示例实施例中，第三阻挡构件455在从外围区20到显示区10中的方向上与第一阻挡构件445分隔开，并且可以具有第一高度T1。可选择的是，如图22中示出，第一阻挡构件445设置在第三阻挡构件455与第二阻挡构件450之间，第三阻挡构件455、第一阻挡构件445和第二阻挡构件450可以彼此分隔开。另外，第三阻挡构件455可以具有第一高度T1。

第一阻挡构件445、第二阻挡构件450和第三阻挡构件455可以利用半色调缝隙掩模基本同时地(或并行地)形成，第一阻挡构件445和第三阻挡构件455中的每个可以形成在半色调缝隙掩模的缝隙区中。因此，第一阻挡构件445和第三阻挡构件455中的每个的顶表面可以是不规则的。

在示例实施例中，因为显示装置包括第一阻挡构件445、第二阻挡构件450和第三阻挡构件455，所以可以相对容易地阻挡第二包封层370的泄漏。

图23是示出根据示例实施例的显示装置的剖视图。除了第三阻挡构件460之外，图23中示出的显示装置可以具有与参照图2描述的显示装置100的构造基本相同或相似的构造。在图23中，将省略对与参照图2描述的元件基本相同或相似的元件的详细描述。

参照图23，显示装置包括基底110、半导体元件250、栅极绝缘层150、绝缘夹层190、平坦化层270、第一电源电压线350、第二电源电压线470、显示结构、像素限定层310、第一阻挡构件445、第二阻挡构件450、第三阻挡构件460、薄膜包封结构400等。这里，显示结构可以包括下电极290、发光层330和上电极340，半导体元件250可以包括有源层130、栅电极170、源电极210和漏电极230。薄膜包封结构400可以包括第一包封层385、第二包封层370和第三包封层390。另外，第二阻挡构件450可以包括下阻挡图案452和上阻挡图案454。

第三阻挡构件460可以设置在绝缘夹层190上的外围区20中。在示例实施例中，第三阻挡构件460设置在第一阻挡构件445与第二阻挡构件450之间。在一些实施例中，第三阻挡构件460、第一阻挡构件445和第二阻挡构件450彼此分隔开。另外，第三阻挡构件460可以具有第二高度T2。

第一阻挡构件445、第二阻挡构件450和第三阻挡构件460可以利用半色调缝隙掩模基本同时地(或并行地)形成，第二阻挡构件450和第三阻挡构件460中的每个可以形成在半色调缝隙掩模的遮光区中。因此，第二阻挡构件450和第三阻挡构件460中的每个可以具有第二高度T2。

在示例实施例中，因为显示装置包括第一阻挡构件445、第二阻挡构件450和第三阻挡构件460，所以可以相对容易地阻挡第二包封层370的泄漏，并且可以容易地支撑形成显示装置的工艺中使用的掩模。

图24是示出根据示例实施例的显示装置的剖视图。除了第二阻挡构件490之外，图24中示出的显示装置可以具有与参照图2描述的显示装置100的构造基本相同或相似的构造。在图24中，将省略对与参照图2描述的元件基本相同或相似的元件的详细描述。

参照图24，显示装置包括基底110、半导体元件250、栅极绝缘层150、绝缘夹层190、平坦化层270、第一电源电压线350、第二电源电压线470、显示结构、像素限定层310、第一阻挡构件445、第二阻挡构件490、薄膜包封结构400等。这里，显示结构可以包括下电极290、发光层330和上电极340，半导体元件250可以包括有源层130、栅电极170、源电极210和漏电极230。薄膜包封结构400可以包括第一包封层385、第二包封层370和第三包封层390。另外，第二阻挡构件490可以包括下阻挡图案492和上阻挡图案494。

第一阻挡构件445可以具有第一高度T1，第一阻挡构件445和像素限定层310可以使用相同的材料基本同时地(或并行地)形成。

第二阻挡构件490可以包括下阻挡图案492和上阻挡图案494。下阻挡图案492和平坦化层270可以使用相同的材料基本同时地(或并行地)形成。上阻挡图案494可以覆盖下阻挡图案492，并且可以具有第二高度T2。例如，上阻挡图案494的下表面的一部分可以与基底110接触，上阻挡图案494不暴露下阻挡图案492。

图25是示出根据示例实施例的显示装置的剖视图。除了第二阻挡构件456之外，图25中示出的显示装置可以具有与参照图2描述的显示装置100的构造基本相同或相似的构造。在图25中，将省略对与参照图2描述的元件基本相同或相似的元件的详细描述。

参照图25，显示装置包括基底110、半导体元件250、栅极绝缘层150、绝缘夹层190、平坦化层270、第一电源电压线350、第二电源电压线470、显示结构、像素限定层310、第一阻挡构件445、第二阻挡构件456、薄膜包封结构400等。这里，显示结构可以包括下电极290、发光层330和上电极340，半导体元件250可以包括有源层130、栅电极170、源电极210和漏电极230。薄膜包封结构400可以包括第一包封层385、第二包封层370和第三包封层390。

在整个绝缘夹层190上形成初始的平坦化层之后，可以通过部分地去除初始的平坦化层在显示区10中形成平坦化层270。

在形成平坦化层270之后，可以在整个绝缘夹层190上将初始的像素限定层设置为第二高度T2，随后可以使用半色调缝隙掩模部分地去除初始的像素限定层。半色调缝隙掩模可以包括开口区、遮光区、缝隙区和透反射区。初始的像素限定层可以在开口区中被完全地去除，并且可以在遮光区中不被去除。另外，初始的像素限定层可以在透反射区和缝隙区中被部分地去除。这里，与缝隙区相比，透反射区可以进一步地去除初始的像素限定层。即，第一阻挡构件445的第一高度T1可以大于像素限定层310的上表面的高度。像素限定层310可以形成在半色调缝隙掩模的透反射区中，第一阻挡构件445可以形成在透反射缝隙掩模的缝隙区中。另外，第二阻挡构件456可以形成在半色调缝隙掩模的遮光区中。除了像素限定层310、第一阻挡构件445、第二阻挡构件456之外的剩余部分可以位于开口区中，并且位于开口区中的初始的像素限定层可以被完全地去除。在工艺中，位于缝隙区下方的第一阻挡构件445的上表面可以是不规则的。在示例实施例中，如图3中示出的，第一阻挡构件445的上表面可以包括多个凹进。可选择的是，如图4和图5中示出，第一阻挡构件445的上表面可以包括凹凸结构。另外，第二阻挡构件456可以一体地形成。

图26至图31是示出根据示例实施例的制造显示装置的方法的剖视图。除了第二阻挡构件855之外，图26至图31中示出的制造显示装置的方法可以具有与参照图6至图19描述的制造显示装置的方法的构造基本相同或相似的构造。在图26至图31中，将省略对与参照图6至图19描述的元件基本相同或相似的元件的详细描述。

参照图26，在绝缘夹层590上形成初始的平坦化层675。初始的平坦化层675可以覆盖第一电源电压线750和第二电源电压线870以及源电极610和漏电极630，并且可以形成在整个绝缘夹层590上。初始的平坦化层675可以形成为大的厚度以充分地覆盖第一电源电压线750和第二电源电压线870以及源电极610和漏电极630。在这种情况下，初始的平坦化层675可以具有基本平坦的上表面，可以对初始的平坦化层675进一步执行平坦化工艺以实现初始的平坦化层675的平坦的上表面。初始的平坦化层675可以由有机材料或无机材料形成。在示例实施例中，初始的平坦化层675由有机材料形成。

参照图27，通过部分地去除初始的平坦化层675形成显示区10中的平坦化层670。平坦化层670可以形成在源电极610、漏电极630、第二电源电压线870以及第一电源电压线750的一部分上。

可以在平坦化层670上的显示区10中形成下电极690。下电极690可以经由通过去除平坦化层670的一部分而形成的接触孔来与漏电极630接触。另外，下电极690可以电连接到半导体元件650。下电极690可以使用金属、金属合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等形成。这些可以单独使用或者以它们的合适的组合来使用。

参照图28，可以在绝缘夹层590上形成初始的像素限定层715。初始的像素限定层715可以完全形成在第一电源电压线750、平坦化层670和下电极690上。初始的像素限定层715可以形成为相对大的厚度以覆盖第一电源电压线750、平坦化层670和下电极690。初始的像素限定层715可以由有机材料或无机材料形成。在示例实施例中，初始的像素限定层715使用有机材料形成。

参照图29，使用半色调缝隙掩模部分地去除初始的像素限定层715。半色调缝隙掩模可以位于初始的像素限定层715上，光(例如，紫外线)可以通过半色调缝隙掩模照射在初始的像素限定层715中。

参照图30，通过部分地去除初始的像素限定层715来形成半色调缝隙掩模的透反射区中的像素限定层710、半色调缝隙掩模的缝隙区中的第一阻挡构件845以及半色调缝隙掩模的遮光区中的第二阻挡构件855。这里，初始的像素限定层715可以在半色调缝隙掩模的开口区中被完全地去除。

即，第二阻挡构件855可以形成为第二高度T2，第一阻挡构件845可以形成为第一高度T1。这里，第一阻挡构件845的第一高度T1可以高于像素限定层710的上表面的水平。

在这个工艺中，位于缝隙区下方的第一阻挡构件845的上表面可以是不规则的(例如，不均匀的)。第一阻挡构件845的上表面可以包括多个凹进(参照图3)。可选择的是，第一阻挡构件845的上表面可以包括凹凸结构(参照图4和图5)。第一阻挡构件845和第二阻挡构件855中的每个可以由有机材料形成。例如，第一阻挡构件845和第二阻挡构件855中的每个可以使用聚酰亚胺类树脂、光致抗蚀剂、丙烯酸类树脂、聚酰胺类树脂、硅氧烷类树脂等形成。

参照图31，可以在其中暴露下电极690的至少一部分的部分上形成发光层730。发光层730可以使用可根据子像素而产生不同颜色的光(例如，红颜色的光、蓝颜色的光、绿颜色的光等)的发光材料中的至少一种来形成。可选择的是，发光层730可以通过堆叠可产生不同颜色的光(诸如红颜色的光、绿颜色的光、蓝颜色的光等)的多种发光材料来大体上产生白颜色的光。

可以在像素限定层710、发光层730以及第一电源电压线750的一部分上形成上电极740。上电极740可以使用金属、金属合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等形成。因此，可以形成包括下电极690、发光层730和上电极740的显示结构。

可以在上电极740、第一电源电压线750、第一阻挡构件845和第二阻挡构件855上形成薄膜包封结构800。薄膜包封结构800可以包括第一包封层785、第二包封层770和第三包封层790。例如，第二包封层770形成在第一包封层785上，第三包封层790设置在第二包封层770上。第一包封层785可以设置在上电极740、第一电源电压线750、第一阻挡构件845和第二阻挡构件855上。第一包封层785可以覆盖上电极740、第一电源电压线750、第一阻挡构件845和第二阻挡构件855，并且可以形成为沿上电极740、第一电源电压线750、第一阻挡构件845和第二阻挡构件855的轮廓具有基本均匀的厚度。第一包封层785可以防止显示结构由于湿气、水、氧等的渗透而劣化。另外，第一包封层785可以保护显示结构不受外部冲击的影响。第一包封层785可以使用无机材料形成。

第二包封层770可以形成在第一包封层785上的显示区10以及外围区20的一部分中。第二包封层770可以改善显示装置的平整度，并且可以保护设置显示区10中的显示结构。第二包封层770可以使用有机材料形成。在示例实施例中，第二包封层770与第一阻挡构件845的至少一部分叠置。

第三包封层790可以形成在外围区20中形成的第一包封层785以及第二包封层770上。第三包封层790可以覆盖形成在外围区20中的第一包封层785以及第二包封层770，并且可以设置为沿形成在外围区20中的第一包封层785以及第二包封层770的轮廓而具有基本均匀的厚度。第三包封层790与第一包封层785和第二包封层770一起可以防止显示结构由于湿气、水、氧等的渗透而劣化。另外，第三包封层790与第一包封层785和第二包封层770一起可以保护显示结构不受外部冲击的影响。第三包封层790可以由无机材料形成。在示例实施例中，第一包封层785和第三包封层790在第二阻挡构件855上彼此接触。因此，可以制造图25中示出的显示装置。

所描述的技术可以应用到包括显示装置的各种显示设备。例如，所描述的技术可以应用到用于车辆、船舶、飞机、便携式通信设备、信息传递、医疗设备等的显示装置。

前述是对示例实施例的举例说明，并且不应被解释为对示例实施例的限制。虽然已经描述了一些示例实施例，但是本领域的技术人员将容易领会的是，在实质上不脱离本发明技术的新颖性教导和优点的情况下，示例实施例中的许多修改是可能的。因此，所有这些修改意图包括在如权利要求中所限定的本发明构思的范围之内。因此，将理解的是，前述是对各种示例实施例的举例说明，而将不被解释为受限于公开的具体的示例实施例，并且对公开的示例实施例及其它示例实施例的修改意图被包括在所附权利要求的范围之内。