技术总结
本发明公开了一种氮化镓基发光二极管的外延片及其制备方法，属于半导体技术领域。所述外延片包括蓝宝石衬底、以及依次层叠在所述蓝宝石衬底上的GaN缓冲层、未掺杂GaN层、N型GaN层、多量子阱层、P型电子阻挡层、P型层，所述P型层由P型GaN层和石墨烯薄膜层交替层叠而成。本发明通过采用P型GaN层和石墨烯薄膜层交替层叠形成P型层，石墨烯薄膜层不但可以促进空穴的传输和提高空穴的横向扩展能力，而且可以改善P型电子阻挡层和P型GaN层的能带匹配，增强P型电子阻挡层和P型GaN层的电学接触，提高空穴注入多量子阱层的能力，最终提高发光二极管的发光效率。
技术研发人员：王群;郭炳磊;董彬忠;李鹏;王江波
受保护的技术使用者：华灿光电（浙江）有限公司
文档号码：201710021778
技术研发日：2017.01.12
技术公布日：2017.06.20