1.一种晶圆的扩膜取粒方法，其特征在于，包括如下步骤：
(a)提供晶圆，所述晶圆被切割为多个晶粒，多个晶粒粘附于底膜上；
(b)将粘附有多个晶粒的底膜进行扩膜，将不合格的晶粒取出；
(c)烘烤所述底膜，使所述底膜恢复至扩膜前状态。
2.根据权利要求1所述的晶圆的扩膜取粒方法，其特征在于，在步骤(a)中，所述晶圆被激光或刀片切割为多个晶粒。
3.根据权利要求1所述的晶圆的扩膜取粒方法，其特征在于，在步骤(a)中，所述底膜被粘附于固定环上。
4.根据权利要求1所述的晶圆的扩膜取粒方法，其特征在于，在步骤(a)中，不合格的晶粒被标记。
5.据权利要求1所述的晶圆的扩膜取粒方法，其特征在于，在步骤(b)中，扩膜的温度为45-55℃。
6.根据权利要求1所述的晶圆的扩膜取粒方法，其特征在于，在步骤(b)中，采用压环将底膜进行固定。
7.权利要求1所述的晶圆的扩膜取粒方法，其特征在于，在所述步骤(b)中，通过取粒工具将不合格的晶粒取出，所述取粒工具为针状物。
8.根据权利要求1所述的晶圆的扩膜取粒方法，其特征在于，在步骤(c)中，烘烤的温度为75-85℃，烘烤的时间为8-12分钟。
9.据权利要求1-8项所述的晶圆的扩膜取粒方法，其特征在于，所述底膜的厚度为0.08-0.12mm，所述底膜为蓝膜或白膜。
10.一种晶圆的生产方法，其特征在于，包括权利要求1-9任一项所述的晶圆的扩膜取粒方法。