技术总结
本发明提供了一种晶圆的扩膜取粒方法及晶圆的生产方法，涉及半导体晶圆加工技术领域，包括如下步骤：(a)提供晶圆，所述晶圆被切割为多个晶粒，多个晶粒粘附于底膜上；(b)将粘附有多个晶粒的底膜进行扩膜，将不合格的晶粒取出；(c)烘烤所述底膜，使所述底膜恢复至扩膜前状态，解决了晶圆生产厂家在将晶圆切割成晶粒后，剔除不合格的晶粒的过程中，不合格的晶粒与相邻的晶粒相互碰撞，导致相邻的晶粒出现崩边和划伤等现象，严重降低了晶粒的质量，影响后续工序的正常进行的技术问题，达到了通过扩膜将晶粒之间的间距增大，使得不合格的晶粒剔除过程中不会碰撞相邻的晶粒，从而为晶粒的质量提供保证，便于后续封装工艺正常进行的技术效果。
技术研发人员：田振兴;王斌;张树宝;孔玲娜
受保护的技术使用者：吉林麦吉柯半导体有限公司
文档号码：201710044657
技术研发日：2017.01.19
技术公布日：2017.06.09