技术特征：
技术总结
本发明公开了一种具有立体超结的金属氧化半导体场效功率组件及其制造方法。所述金属氧化半导体场效功率组件包含一第一金属层、一基底层、一磊晶层、多个第一沟槽井、多个第二沟槽井、多个基体结构层、多个多晶硅层及一第二金属层。每一第一沟槽井和所述磊晶层之间以及对应所述每一第一沟槽井的一基体结构层和所述磊晶层之间形成一耗尽区的部份，以及对应所述每一第一沟槽井的一第二沟槽井和所述磊晶层之间形成所述耗尽区的其余部份。因此，本发明可利用所述多个第二沟槽井增加所述金属氧化半导体场效功率组件的击穿电压和降低所述金属氧化半导体场效功率组件的导通电阻。
技术研发人员：熊志文;叶人豪;凃宜融;曾婉雯
受保护的技术使用者：通嘉科技股份有限公司
技术研发日：2017.01.20
技术公布日：2018.07.27