1.一种多尺寸芯片切割工艺，其特征在于，包括以下步骤：
A、在晶圆背面涂胶光刻，并双面套刻露出芯片切割道对应的背面硅衬底；
B、利用深反应离子刻蚀硅衬底材料；
C、晶圆去胶清洗；
D、晶圆背面多层金属溅镀；
E、晶圆贴膜崩片，分离各种尺寸芯片。
2.根据权利要求1所述的一种多尺寸芯片切割工艺，其特征在于，利用深反应离子刻蚀硅衬底材料时，是从晶圆背面芯片切割道下面刻蚀硅衬底材料。
3.根据权利要求1所述的一种多尺寸芯片切割工艺，其特征在于，晶圆背面经过多层金属溅镀，使得分离后的芯片背面和侧壁具有金属层覆盖。
4.根据权利要求1所述的一种多尺寸芯片切割工艺，其特征在于，所述切割工艺能够切割不同尺寸矩形芯片，以及能够切割分离非规则形状的芯片。
5.根据权利要求1所述的一种多尺寸芯片切割工艺，其特征在于，利用深反应离子刻蚀硅衬底材料，其刻蚀深度为50μm～700μm，刻蚀侧壁陡直度90°±1°，深宽比1～40。
6.根据权利要求1所述的一种多尺寸芯片切割工艺，其特征在于，利用深度反应离子刻蚀硅衬底材料，把硅衬底材料完全刻蚀，直至纯化层；或，只刻蚀部分硅衬底材料，保留部分硅衬底材料。