技术总结
本发明公开了一种多尺寸芯片切割工艺，本发明包括以下步骤：A、在晶圆背面涂胶光刻，并双面套刻露出芯片切割道对应的背面硅衬底；B、利用深反应离子刻蚀硅衬底材料；C、晶圆去胶清洗；D、晶圆背面多层金属溅镀；E、晶圆贴膜崩片，分离各种尺寸芯片。本发明的工艺过程简单、高效，可一次性把晶圆上所有不同尺寸，甚至是不规则尺寸的芯片切割分离，为芯片设计优化提供了更多选择性，提高研发成功率，降低成本。同时芯片背面和侧壁被金属层覆盖，可减小射频芯片功耗，提高射频转化效率。
技术研发人员：王勇;熊永忠;李一虎;邓小东
受保护的技术使用者：成都中宇微芯科技有限公司
文档号码：201710125149
技术研发日：2017.03.03
技术公布日：2017.05.10