技术特征：
技术总结
本发明提供一种半导体器件的制造方法，所述方法包括：提供半导体衬底，半导体衬底包括NMOS器件区和PMOS器件区，在NMOS器件区和PMOS器件区的半导体衬底上均形成有栅极沟槽；在栅极沟槽的底部和侧壁上形成高k介电层；在NMOS器件区内的高k介电层的表面上形成保护层；在含氧气氛下进行退火处理，以在PMOS器件区的半导体衬底和高k介电层之间形成界面层；去除保护层。本发明的方法，在PMOS器件区的栅极沟槽底部形成界面层，高k介电层可以保护界面层使其不被暴露在空气中，显著改善界面层的质量，在NMOS器件区形成有保护层，在NMOS器件区不易形成界面层并且界面态很小，因此本发明的方法改善了器件的可靠性，提高了器件的性能和良率。
技术研发人员：李勇
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
技术研发日：2017.03.07
技术公布日：2018.09.25