技术特征：
技术总结
本申请公开了一种阵列基板和阵列基板的制作方法。阵列基板包括设置在衬底基板上的栅极、像素电极、栅绝缘层、钝化层和公共电极；栅极包括第一透明电极和第一金属电极，像素电极包括第三透明电极，第一金属电极位于第一透明电极远离衬底基板的一侧，第一透明电极和第三透明电极位于同一层，栅绝缘层覆盖栅极，栅极与像素电极彼此绝缘；钝化层覆盖像素电极，公共电极位于钝化层远离衬底基板的一侧，公共电极和像素电极在彼此交叠的区域与栅绝缘层不相交叠；漏极与像素电极电连接。按照本申请的方案，通过设置公共电极和像素电极在交叠的区域与栅绝缘层不交叠，从而减少了两电极之间的绝缘层数量，增强了两电极之间的横向电场强度。
技术研发人员：莫英华;曹兆铿
受保护的技术使用者：上海天马微电子有限公司
技术研发日：2017.03.28
技术公布日：2017.08.18