技术总结
一种基于多孔DBR的GaN基VCSEL芯片，包括：一衬底；制作在衬底上的缓冲层；制作在缓冲层上的底部多孔DBR层；制作在底部多孔DBR层上的n型掺杂GaN层及外围向下刻蚀形成有台面；制作在n型掺杂GaN层上的有源层；制作在所述有源层上的电子阻挡层；制作在电子阻挡层上的p型掺杂GaN层；制作在p型掺杂GaN层上的电流限制层，其中心形成有电流窗口，且电流限制层覆盖有源层、电子阻挡层和n型掺杂GaN层凸起部分的侧壁；制作在p型掺杂GaN层上的透明电极；制作在n型掺杂GaN层台面上的n电极；制作在透明电极上的p电极，中间形成有凹缺；制作在p电极凹缺内透明电极上的介质DBR层。
技术研发人员：杨超;刘磊;赵丽霞
受保护的技术使用者：中国科学院半导体研究所
文档号码：201710220057
技术研发日：2017.04.06
技术公布日：2017.06.13