显示装置的制作方法

于2016年4月8日提交的名称为“displayapparatus(显示装置)”的第10-2016-0043512号韩国专利申请通过引用全部包含于此。

这里描述的一个或更多个实施例涉及一种显示装置。

背景技术：

已经开发了各种显示装置。一种类型的显示装置是可弯曲的，以改善各种角度的可视性和/或减小非显示区域。然而，在这样的装置中会发生缺陷。另外，当前用于制造可弯曲显示器的方法减少寿命并增加制造成本。

技术实现要素：

根据一个或更多个实施例，显示装置包括：基底，包括位于第一区域和第二区域之间的弯曲区域并且关于弯曲轴弯曲；显示器，在第一区域中位于基底的上表面上；以及保护膜，位于基底的下表面上，保护膜包括位于基底的下表面上并与第一区域的至少一部分对应的第一保护膜基体以及位于基底与第一保护膜基体之间的第一粘合层，其中，第一保护膜基体包括具有第一厚度的第一厚壁部分以及具有小于第一厚度的第二厚度并且比第一厚壁部分接近弯曲区域的第一薄壁部分。

第一厚壁部分可以与第一薄壁部分分隔开。第一厚壁部分和第一薄壁部分可以彼此成一体。在第一粘合层中，与第一薄壁部分对应的部分的厚度大于与第一厚壁部分对应的部分的厚度。第一保护膜基体可以包括包含第一厚壁部分和第一薄壁部分的第一锥形部分，第一锥形部分在第一保护膜基体的朝向弯曲区域的方向上的边缘处具有朝向弯曲区域减小的厚度。

从第一保护膜基体的在朝向基底的方向上的上表面到基底的下表面的距离可以从第一锥形部分朝向弯曲区域增大。从第一保护膜基体的下表面到基底的下表面的距离从第一锥形部分到弯曲区域可以是恒定的。从第一粘合层的朝向第一保护膜基体的下表面到基底的下表面的距离可以从第一粘合层的与第一锥形部分对应的部分到弯曲区域增大。第一锥形部分可以位于第一区域中。

保护膜可以包括与第一保护膜基体分隔开并且针对第二区域的至少一部分位于基底的下表面上的第二保护膜基体，以及位于基底与第二保护膜基体之间的第二粘合层。第二保护膜基体可以具有恒定的厚度。

第二保护膜基体可以包括具有第三厚度的第二厚壁部分，以及具有小于第三厚度的第四厚度并且比第二厚壁部分接近弯曲区域的第二薄壁部分。第二厚壁部分可以与第二薄壁部分分隔开。第二厚壁部分与第二薄壁部分可以彼此成一体。在第二粘合层中，与第二薄壁部分对应的部分的厚度可以大于与第二厚壁部分对应的部分的厚度。

第二保护膜基体可以包括包含第二厚壁部分和第二薄壁部分的第二锥形部分，第二锥形部分在第二保护膜基体的朝向弯曲区域的方向上的边缘处具有朝向弯曲区域减小的厚度。从第二保护膜基体在朝向基底的方向上的上表面到基底的下表面的距离可以从第二锥形部分朝向弯曲区域增大。

从第二保护膜基体的下表面到基底的下表面的距离从第二锥形部分到弯曲区域可以是恒定的。从第二粘合层在朝向第二保护膜基体的方向上的下表面到基底的下表面的距离可以从第二粘合层的与第二锥形部分对应的部分到弯曲区域增大。第二锥形部分可以位于第二区域中。

附图说明

通过参考附图详细描述示例性实施例，特征对于本领域普通技术人员将变得明显，在附图中：

图1示出了显示装置的实施例；

图2示出了显示装置的剖视实施例；

图3示出了显示装置的另一个剖视图；

图4示出了显示装置的另一个剖视图；

图5示出了显示装置的另一个剖视实施例；

图6示出了显示装置的另一个剖视实施例；

图7示出了显示装置的另一个剖视实施例；

图8示出了显示装置的另一个剖视实施例；

图9示出了图8中的显示装置的另一个剖视图；

图10示出了显示装置的另一个剖视实施例；

图11示出了图10中的显示装置的另一个剖视图；

图12示出了显示装置的另一个剖视实施例；

图13示出了显示装置的另一个剖视实施例；

图14示出了图13中的显示装置的另一个剖视图；

图15示出了显示装置的另一个剖视实施例；

图16示出了图15的显示装置的另一个剖视图；

图17示出了显示装置的另一个剖视实施例；

图18示出了显示装置的另一个剖视实施例；

图19示出了图18的显示装置的另一个剖视图；

图20示出了显示装置的另一个剖视实施例；

图21示出了显示装置的另一个剖视实施例；

图22示出了图21中的显示装置的另一个剖视图；

图23示出了显示装置的另一个剖视实施例；

图24示出了图23中的显示装置的另一个剖视图；

图25示出了显示装置的另一个剖视实施例；

图26示出了显示装置的另一个剖视实施例；以及

图27示出了显示装置的另一个剖视实施例。

具体实施方式

在下文中参照附图更充分地描述示例实施例；然而，示例实施例可以以不同的形式实施并且不应被解释为局限于这里所阐述的实施例。相反，提供这些实施例使得本公开将是彻底的和完整的，并且这些实施例将向本领域技术人员充分地传达示例性实施方式。可以组合实施例(或其部分)以形成另外的实施例。

在图中，为了图示的清楚起见，可以夸大层和区域的尺寸。还将理解的是，当层或元件被称作“在”另一个层或元件“上”时，该层或元件可以直接在所述另一个层或元件上，或者还可以存在中间层或元件。此外，将理解的是，当层被称作“在”另一层“下方”时，该层可以直接在所述另一层下方，也可以存在一个或更多个中间层。另外，还将理解的是，当层被称作“在”两个层“之间”时，该层可以是所述两个层之间的唯一层，也可以存在一个或更多个中间层。同样的附图标记始终表示同样的元件。

当元件被称作“连接”或“结合”到另一元件时，该元件可以直接连接或结合到所述另一个元件，或者间接连接或结合到所述另一个元件并且具有置于其间的一个或多个中间元件。另外，当元件被称作“包括”组件时，除非有不同的公开，否则这表明所述元件还可以包括另一个组件而不是排除另一个组件。

图1示出了显示装置的实施例，图2示出了图1的显示装置的剖视实施例。显示装置包括至少部分地弯曲的基底100，因此显示装置也具有类似于基底100的至少部分地弯曲的形状。为了便于描述，图2示出了不处于弯曲或弯折状态的显示装置。

参照图1，基底100包括在第一方向(+y方向)上延伸的弯曲区域ba。弯曲区域ba在与第一方向交叉的第二方向(+x方向)上位于第一区域1a和第二区域2a之间。基底100关于在图1中的第一方向(+y方向)上延伸的弯曲轴bax弯曲。基底100可以包括具有柔性或可弯曲特性的各种材料。这些材料的示例包括但不限于聚合物树脂，例如，聚醚砜(pes)、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺(pei)、聚萘二甲酸乙二醇酯(pen)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(pet)、聚苯硫醚(pps)、聚芳酯(par)、聚酰亚胺(pi)、聚碳酸酯(pc)或醋酸丙酸纤维素(cap)。

第一区域1a包括显示区域da。如图2中所示，第一区域1a还可以包括与显示区域da相邻的非显示区域nda的一部分。第二区域2a也包括非显示区域nda。

显示装置包括在基底100的上表面(在+z方向上)的显示区域da中的显示器件300和薄膜晶体管210。显示器件300可以电连接到薄膜晶体管210。在图2中，有机发光器件位于显示区域da中并且与显示器件300对应。有机发光器件到薄膜晶体管210的电连接可以涉及将像素电极310连接到薄膜晶体管210。

另一个薄膜晶体管也可以位于基底100的显示区域da外部的外围区域上。外围区域上的薄膜晶体管可以是例如用于控制将施加到显示区域da的电信号的电路的一部分。在另一个实施例中，如果必要，显示器件300可以至少部分地位于弯曲区域ba中或至少部分地位于第二区域2a中。

薄膜晶体管210可以包括半导体层211、栅电极213、源电极215a和漏电极215b。半导体层211可以包括非晶硅、多晶硅或有机半导体材料。栅极绝缘层120可以在半导体层211和栅电极213之间。栅极绝缘层120可以包括诸如氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅的无机材料。

层间绝缘层130可以在栅电极213上。源电极215a和漏电极215b可以在层间绝缘层130上。例如，层间绝缘层130可以包括诸如氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅的无机材料。包括无机材料的绝缘层可以通过例如化学气相沉积(cvd)或原子层沉积(ald)来形成。

缓冲层110可以在薄膜晶体管210(具有上述结构)和基底100之间。缓冲层110可以包括诸如氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅的无机材料。缓冲层110可以改善基底100的上表面的平整度，或者可以防止或减少杂质从基底100渗透到薄膜晶体管210的半导体层211中。

平坦化层140可以在薄膜晶体管210上。例如，如图2中所示，当有机发光器件在薄膜晶体管210上时，平坦化层140可以将薄膜晶体管210的上部平坦化。例如，平坦化层140可以包括诸如亚克力、苯并环丁烯(bcb)和六甲基二硅氧烷(hmdso)的有机材料。在图2中，平坦化层140具有单层结构。在另一个实施例中，平坦化层140可以具有多层结构。另外，平坦化层140可以具有在显示区域da外部的开口，从而平坦化层140的位于显示区域da中的一部分和平坦化层140的位于第二区域2a中的一部分彼此物理地分离。因此，外部杂质不会经由平坦化层140到达显示区域da。

在显示区域da中，有机发光器件可以在平坦化层140上。有机发光器件包括位于像素电极310和对电极330之间的中间层320。中间层320可以包括发射层。如在图2中，像素电极310可以经由平坦化层140中的开口与源电极215a和漏电极215b中的一个接触，并且可以电连接到薄膜晶体管210。

像素限定层150可以在平坦化层140上。像素限定层150包括分别与子像素对应的开口(例如，暴露像素电极310的中心部分的至少一个开口)以限定像素。另外，在图2中，像素限定层150增大了像素电极310的边缘与像素电极310上方的对电极330之间的距离，以防止在像素电极310的边缘处产生电弧。像素限定层150可以包括有机材料，例如，pi或hmdso。

显示器件300的中间层320可以包括低分子量有机材料或聚合物材料。当中间层包括低分子量有机材料时，中间层320可以以单层结构或多层结构包括空穴注入层(hil)、空穴传输层(htl)、发射层(eml)、电子传输层(etl)和/或电子注入层(eil)。有机材料的示例包括铜酞菁(cupc)、n,n'-二(萘-1-基)-n,n'-二苯基-联苯胺(npb)和三(8-羟基喹啉)铝(alq3)。可以通过例如真空沉积法沉积低分子量有机材料。

当中间层320包括聚合物材料时，中间层320可以包括htl和eml。例如，htl可以包括pedot，eml可以包括聚苯撑乙烯撑(ppv)类或聚芴类的聚合物材料。可以通过例如丝网印刷法、喷墨印刷法或激光诱导热成像(liti)法形成如上所述的中间层320。

在另一个实施例中，中间层320可以具有不同的结构。另外，中间层320可以包括遍及多个像素电极310一体地形成的层或者被图案化为与每个像素电极310对应的层。

如图2中所示，对电极330在显示区域da中或显示区域da上方并且可以覆盖显示区域da。例如，对电极330可以相对于多个有机发光器件一体地形成，以对应于多个像素电极310。

由于有机发光器件会容易地被外部湿气或氧损坏，所以包封层400可以覆盖有机发光器件以保护有机发光器件。包封层400覆盖显示区域da，并且可以延伸到显示区域da的外部。如图2中所示，包封层400可以包括第一无机包封层410、有机包封层420和第二无机包封层430。

第一无机包封层410覆盖对电极330，并且可以包括氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅。如果必要，诸如盖层的其它层可以在第一无机包封层410和对电极330之间。由于第一无机包封层410根据其下的结构而形成，所以第一无机包封层410可以具有不平坦的上表面。有机包封层420覆盖第一无机包封层410。

与第一无机包封层410不同，有机包封层420可以具有均匀的上表面。例如，有机包封层420可以在对应于显示区域da的部分处具有基本上均匀的上表面。

有机包封层420可以包括pet、pen、pc、pi、聚乙烯磺酸盐、聚甲醛、聚芳酯和六甲基二硅氧烷中的至少一种。第二无机包封层430覆盖有机包封层420，并且可以包括氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅。

第二无机包封层430可以在第一无机包封层410的位于显示区域da外部的边缘处与第一无机包封层410接触，以不将有机包封层420暴露于外部。

根据本实施例，如果在包封层400中发生裂纹，则裂纹不会导致断开形成在第一无机包封层410与有机包封层420之间或者在有机包封层420与第二无机包封层430之间(例如，或者不会在它们之间传播)。这是因为由第一无机包封层410、有机包封层420和第二无机包封层430形成的包封层400的多层结构。因此，可以减少或防止外部湿气或氧可以穿过其渗透到显示区域da中的路径的形成。

偏振板520可以经由光学透明粘合剂(oca)510附连在包封层400上。偏振板520可以减少外部光的反射。例如，当穿过偏振板520的外部光被对电极330的上表面反射然后再次穿过偏振板520时，外部光两次穿过偏振板520，可以改变外部光的相位。因此，反射的光的相位与进入偏振板520的外部光的相位不同，因此发生相消干涉。结果，可以减少外部光的反射，并且可以改善可视性。如在图2中，oca510和偏振板520可以覆盖平坦化层140中的开口。

在一些实施例中，显示装置可以不包括偏振板520。例如，可以省略偏振板520或由其它元件代替偏振板520。在一个实施例中，可以省略偏振板520，并且可以使用黑矩阵和滤色器来减少外部光的反射。

另外，缓冲层110、栅极绝缘层120和层间绝缘层130可以包括无机材料，因此可以被统称为无机绝缘层。如在图2中，无机绝缘层可以包括与弯曲区域ba对应的开口。例如，缓冲层110、栅极绝缘层120和层间绝缘层130可以分别包括对应于弯曲区域ba的开口110a、120a和130a。在开口与弯曲区域ba叠置的意义上，开口可以对应于弯曲区域ba。

开口的面积可以大于弯曲区域ba的面积。为了实现这一点，在图2中，开口的宽度ow大于弯曲区域ba的宽度。可以将开口的面积限定为例如缓冲层110的开口110a、栅极绝缘层120的开口120a和层间绝缘层130的开口130a的面积中的最小的面积。在图2中，开口的面积由缓冲层110中的开口110a的面积来限定。

在图2中，缓冲层110的开口110a的内侧表面与栅极绝缘层120中的开口120a的内侧表面彼此对应。在另一个实施例中，栅极绝缘层120的开口120a的面积可以大于缓冲层110中的开口110a的面积。在一个实施例中，栅极绝缘层120中的开口120a的内侧表面和层间绝缘层130中的开口130a的内侧表面可以彼此对应。无论哪种情况，也可以将开口的面积限定为例如缓冲层110的开口110a、栅极绝缘层120的开口120a和层间绝缘层130的开口130a的面积中的最小的面积。

在本实施例中，显示装置包括至少部分地填充无机绝缘层中的开口的有机材料层160。在图2中，有机材料层160完全填充开口。另外，根据本实施例，显示装置包括从第一区域1a通过弯曲区域ba延伸到第二区域2a并且在有机材料层160上方的第一导电层215c。如果省略有机材料层160，则第一导电层215c可以在诸如以层间绝缘层130为例的无机绝缘层上。在一个实施例中，第一导电层215c可以使用与源电极215a或漏电极215b的材料相同的材料与源电极215a或漏电极215b同时形成。

为了方便描述，图2示出了在剖视图中不处于弯曲状态的显示装置。然而，基底100在图1中的弯曲区域ba中是弯曲的。为了实现这一点，在制造工艺期间，制造显示装置使得基底100是平坦的(例如，如在图2中)。然后，在弯曲区域ba处弯曲基底100，从而显示装置可以具有如图1中所示的形状。当基底100在弯曲区域ba处弯曲时，会将拉应力施加到第一导电层215c。然而，在根据本实施例的显示装置中，可以减少或防止在弯曲工艺期间在第一导电层215c中出现缺陷。

如果包括缓冲层110、栅极绝缘层120和/或层间绝缘层130的无机绝缘层不包括对应于弯曲区域ba的开口，而是从第一区域1a连续地延伸到第二区域2a，并且如果第一导电层215c在上述无机绝缘层上，则将基底100弯曲期间，大的拉应力被施加到第一导电层215c。例如，由于无机绝缘层具有比有机材料层的硬度大的硬度，所以会在弯曲区域ba中的无机绝缘层中形成裂纹。当在无机绝缘层中形成裂纹时，也会在无机绝缘层上的第一导电层215c中发生裂纹。因此，产生缺陷(例如，第一导电层215c中的断开)的概率大大增大。

然而，根据本实施例，无机绝缘层包括对应于弯曲区域ba的开口，第一导电层215c的对应于弯曲区域ba的部分位于至少部分地填充无机绝缘层的开口的有机材料层160上。由于无机绝缘层包括对应于弯曲区域ba的开口，所以无机绝缘层中发生裂纹的可能性非常低。另外，由于有机材料的特性，有机材料层160不太可能具有裂纹。因此，可以减少或防止第一导电层215c的位于有机材料层160上的部分中的裂纹的发生，其中，第一导电层215c的所述部分对应于弯曲区域ba。另外，由于有机材料层160具有比无机材料层的硬度低的硬度，所以有机材料层160可以吸收由于基底100的弯曲而产生的拉应力，从而减少拉应力在第一导电层215c上的集中。

除了第一导电层215c之外，根据本实施例的显示装置还可以包括第二导电层213a和213b。第二导电层213a和213b以与第一导电层215c的层水平不同的层水平形成在第一区域1a或第二区域2a中，并且也可以电连接到第一导电层215c。在图2中，第二导电层213a和213b可以包括与薄膜晶体管210的栅电极213的材料相同的材料，并且与栅电极213在同一层，例如在栅极绝缘层120上。另外，第一导电层215c经由层间绝缘层130中的接触孔与第二导电层213a和213b接触。另外，第二导电层213a在第一区域1a中，第二导电层213b在第二区域2a中。

第一区域1a中的第二导电层213a可以电连接到显示区域da中的薄膜晶体管210。因此，第一导电层215c可以经由第二导电层213a电连接到显示区域da的薄膜晶体管210。第二区域2a中的第二导电层213b也可以经由第一导电层215c电连接到显示区域da的薄膜晶体管。这样，显示区域da外部的第二导电层213a和213b可以电连接到显示区域da中的元件，或者可以朝向显示区域da延伸从而第二导电层213a和213b的至少一些部分在显示区域da中。

在图2中示出了显示装置未弯曲的状态，但是本实施例的显示装置实际上处于图1中的基底100在弯曲区域ba中弯曲的状态。为了实现这一点，在制造工艺期间，如在图2中，制造显示装置从而基底100是平坦的。然后，在弯曲区域ba中弯曲基底100，从而显示装置可以具有图1中的形状。当基底100在弯曲区域ba中弯曲时，拉应力会被施加到弯曲区域ba中的元件。

因此，跨过弯曲区域ba的第一导电层215c包括具有高伸长率的材料，从而可以防止诸如第一导电层215c中的裂纹或者断开第一导电层215c的缺陷。另外，在第一区域1a或第二区域2a中，形成包括具有比第一导电层215c的伸长率低的伸长率和与第一导电层215c的电特性/物理特性不同的电特性/物理特性的材料的第二导电层213a和213b。因此，可以改善显示装置中的传送电信号的效率，或者可以降低在显示装置的制造工艺期间的缺陷率。第二导电层213a和213b可以包括例如钼，第一导电层215c可以包括例如铝。第一导电层215c以及第二导电层213a和213b可以具有多层结构。

与图2不同，第二区域2a中的第二导电层213b的上部的至少一部分可以不被平坦化层140覆盖，而是暴露于外部，以电连接到各种电子器件或印刷电路板。

另外，在图2中，有机材料层160可以覆盖无机绝缘层中的开口的内侧表面。如上所述，由于第一导电层215c可以与源电极215a和漏电极215b包括相同的材料并且可以同时形成，所以导电层可以形成在基底100的整个表面上并且可以被图案化为形成源电极215a、漏电极215b和第一导电层215c。如果有机材料层160不覆盖缓冲层110中的开口110a的内侧表面、栅极绝缘层120中的开口120a的内侧表面或层间绝缘层130中的开口130a的内侧表面，那么导电层的导电材料可以不从缓冲层110中的开口110a的内侧表面、栅极绝缘层120中的开口120a的内侧表面或层间绝缘层130中的开口130a的内侧表面去除，而是可以保留在其上。在这种情况下，剩余的导电材料会导致在不同的导电层之间形成电短路。

因此，当形成有机材料层160时，有机材料层160可以覆盖无机绝缘层中的开口的内侧表面。尽管有机材料层160已经被描述为具有恒定的厚度，但是有机材料层160可以具有例如根据位置而变化的厚度。例如，有机材料层160可以具有围绕缓冲层110的开口110a的内侧表面、栅极绝缘层120的开口120a的内侧表面或层间绝缘层130中的开口130a的内侧表面的具有平缓斜坡的上表面。因此，当导电层被图案化为形成源电极215a、漏电极215b和第一导电层215c时，可以完全去除应当已被去除的导电材料。

如在图2中，有机材料层160可以沿+z方向在其上表面的至少一部分中具有不平坦表面160a。由于有机材料层160包括不平坦表面160a，所以有机材料层160上的第一导电层215c可以包括具有与有机材料层160的不平坦表面160a对应的形状的上表面和/或下表面。

如上所述，由于在制造工艺中当基底100在弯曲区域ba处弯曲时，会将拉应力施加到第一导电层215c，所以当第一导电层215c的上表面和/或下表面具有与有机材料层160的不平坦表面160a对应的形状时，可以减小施加到第一导电层215c的拉应力的量。因此，可以经由具有相对小的硬度的有机材料层160的形状的变形来减小在弯曲工艺期间产生的拉应力。在弯曲工艺之前至少具有不平坦形状的第一导电层215c可以变形为与由于弯曲工艺而变形的有机材料层160的形状对应。因此，可以防止缺陷(例如，第一导电层215c中的断开)的发生。

另外，由于不平坦表面160a至少部分地形成在有机材料层160的上表面(在+z方向上)中，所以可以增大有机材料层160在开口中的上表面的表面积以及第一导电层215c在开口中的上表面和下表面的表面积。有机材料层160的上表面以及第一导电层215c的上表面和下表面的大的表面积可以允许变形裕量变大，以减小由基底100的弯曲造成的拉应力。

由于第一导电层215c位于有机材料层160上，因此第一导电层215c的下表面具有与有机材料层160的不平坦表面160a对应的形状。然而，第一导电层215c的上表面可以具有与有机材料层160的不平坦表面160a的形状独立的形状的不平坦表面。

例如，在有机材料层160上形成导电材料层之后，可以将光致抗蚀剂施用到导电材料层。可以使用狭缝掩模或半色调掩模在根据光致抗蚀剂的位置而改变曝光量的同时对光致抗蚀剂显影。因此，蚀刻由于光致抗蚀剂的显影而暴露的导电材料层。然后，去除光致抗蚀剂。因此，形成第一导电层215c。

由于使用狭缝掩模或半色调掩模根据光致抗蚀剂的位置来改变曝光量，所以可以根据导电材料层的位置来改变蚀刻导电材料层的程度。因此，不平坦表面可以人工地形成在第一导电层215c的上表面中。在这种情况下，第一导电层215c的上表面可以具有与有机材料层160的不平坦表面160a的形状独立的形状的不平坦表面。

即使如上所述地执行在第一导电层215c的上表面中人工形成不平坦表面的工艺，第一导电层215c的上表面上的不平坦表面也可以与有机材料层160的不平坦表面160a对应。

可以以各种方式形成有机材料层160的上表面(在+z方向上)上的不平坦表面160a。例如，当形成有机材料层160时可以使用光致抗蚀剂材料。可以使用狭缝掩模或半色调掩模根据其上表面是平坦的有机材料层160的位置来改变曝光量。因此，可以比其它部分更多地蚀刻(去除)特定的部分。比其它部分更多地蚀刻的所述部分可以是有机材料层160的上表面中的凹陷部分。在另一个实施例中，在形成具有平坦上表面的有机材料层160之后，可以通过干法蚀刻或其它方法来去除特定的部分。

为了使有机材料层160在其上表面(在+z方向上)中具有不平坦表面160a，有机材料层160可以在其上表面(在+z方向上)中包括多个凹槽。凹槽可以在第一方向(+y方向)上延伸。有机材料层160上的第一导电层215c的上表面的形状可以与有机材料层160的上表面的形状对应。

有机材料层160的不平坦表面160a可以仅在无机绝缘层的开口内。在图2中，有机材料层160的不平坦表面160a的宽度uew小于无机绝缘层的开口的宽度ow。如果有机材料层160具有遍及无机绝缘层中的开口的内部和外部的不平坦表面160a，那么有机材料层160的不平坦表面160a接近缓冲层110中的开口110a的内表面、栅极绝缘层120中的开口120a的内表面或层间绝缘层130中的开口130a的内表面。在这种情况下，有机材料层160的凹陷部分具有比突出部分相对小的厚度。

因此，当凹陷部分位于缓冲层110中的开口110a的内表面、栅极绝缘层120中的开口120a的内表面或层间绝缘层130中的开口130a的内表面的周围时，会使有机材料层160断开。因此，有机材料层160的不平坦表面160a可以仅在无机绝缘层的开口内。因此，可以防止在缓冲层110中的开口110a的内表面、栅极绝缘层120的开口120a的内表面或层间绝缘层130中的开口130a的内表面的周围的有机材料层160的断开。

如上所述，为了防止第一导电层215c在弯曲区域ba中断开，有机材料层160可以在弯曲区域ba上方具有不平坦表面160a。因此，有机材料层160的不平坦表面160a的面积可以大于弯曲区域ba的面积并小于开口的面积。例如，如图2中所示，有机材料层160的不平坦表面160a的宽度uew大于弯曲区域ba的宽度且小于开口的宽度ow。

弯曲保护层(bpl)600可以位于显示区域da外侧。例如，bpl600可以位于第一导电层215c上方且可以至少对应于弯曲区域ba。

当堆叠结构弯曲时，在堆叠结构中存在应力中性面。因为第一导电层215c的位置不会对应于应力中性面，所以如果没有bpl600，则当基底100弯曲时，过量的拉应力会被施加到弯曲区域ba中的第一导电层215c。然而，通过形成bpl600并调整bpl600的厚度和模量，可以调整包括基底100、第一导电层215c和bpl600的结构中的应力中性面的位置。因此，可以经由bpl600将应力中性面调整为在第一导电层215c周围。因此，可以减小施加到第一导电层215c的拉应力。

与图2的示例不同，bpl600可以延伸到显示装置中的基底100的端部。例如，在第二区域2a中，第一导电层215c、第二导电层213b和/或电连接到第一导电层215c和第二导电层213b的其它导电层可以不被层间绝缘层130或平坦化层140至少部分地覆盖，而是可以电连接到各种电子器件或印刷电路板。因此，第一导电层215c、第二导电层213b和/或电连接到第一导电层215c和第二导电层213b的其它导电层可以具有电连接到各种电子器件或印刷电路板的部分。可以保护电连接的部分免受诸如外部湿气的外部杂质。因此，bpl600可以覆盖电连接的部分，以便也用作保护层。为了实现这一点，bpl600可以例如延伸到显示装置的基底100的端部。

在图2中，bpl600的在朝向显示区域da的方向(-x方向)上的上表面与偏振板520的在+z方向上的上表面一致。在一个或更多个其它实施例中，bpl600在显示区域da方向(-x方向)上的端部可以部分地覆盖偏振板520的端部处的上表面。另外，bpl600在显示区域da方向(-x方向)上的端部可以不接触偏振板520和/或oca510。在后一种情况下，在形成bpl600期间或形成bpl600之后，可以防止从bpl600产生的气体在朝向显示区域da的方向(-x方向)上的移动和显示器件300(例如，有机发光器件)的劣化。

如图2中所示，如果bpl600在朝向显示区域da的方向(-x方向)上的上表面与偏振板520在+z方向上的上表面一致，如果bpl600在显示区域da方向(-x方向)上的端部部分地覆盖偏振板520的端部处的上表面，或者如果bpl600在显示区域da方向(-x方向)上的端部接触oca510，那么bpl600的与显示区域da(-x方向)对应的厚度可以大于bpl600中的其它部分的厚度。

由于可以施用液相材料或浆型材料并将其硬化以形成bpl600，所以会通过硬化工艺减小bpl600的体积。如果bpl600的对应于显示区域da(-x方向)的部分与偏振板520和/或oca510接触，则bpl600的所述部分被固定在该位置处。因此，在bpl600的剩余部分中出现体积减小。因此，bpl600的与显示区域da(-x方向)对应的厚度可以大于bpl600中的其它部分的厚度。

另外，在图2中，保护膜pf位于基底100的下表面上。保护膜pf是用于保护基底100的下表面的下保护膜，并且可以包括第一保护膜基体171以及位于第一保护膜基体171和基底100之间的用于将第一保护膜基体171附着到基底100的第一粘合层181(例如，压敏粘合剂(psa))。第一保护膜基体171可以包括pet或pi并且可以对应于第一区域1a的至少一部分。

第一保护膜基体171包括具有第一厚度的第一厚壁部分171a以及具有小于第一厚度的第二厚度且比第一厚壁部分171a接近弯曲区域ba的第一薄壁部分171b。另外，第一保护膜基体171在第一区域1a中。第一粘合层181位于第一保护膜基体171与基底100之间。因此，第一粘合层181在对应于第一薄壁部分171b的部分处可以具有比对应于第一厚壁部分171a的部分处的厚度大的厚度。

为了实现这一点，第一粘合层181的对应于第一薄壁部分171b的部分可以具有多层结构。这将应用于稍后将描述的其它实施例及其修改示例。在图2中，保护膜pf在朝向弯曲区域ba的方向上的端部对应于有机材料层160中不平坦表面160a的朝向第一区域1a的端部。这在其它实施例中可以不同。

如上所述，为了便于描述，图2示出了不处于弯曲状态的显示装置。然而，显示装置实际上在图1中的弯曲区域ba处处于弯曲状态。图3是弯曲的显示装置的一部分的示意性剖视图。还可以在基底100的下表面和保护膜pf之间的空间中设置框架或垫层。

由于保护膜pf的第一保护膜基体171保护基底100的下表面，所以第一保护膜基体171可以具有其自身的强度。因此，如果第一保护膜基体171具有低的柔性，则当基底100弯曲时，第一保护膜基体171与基底100会彼此分开。否则，由于第一保护膜基体171的强度，在第一保护膜基体171的朝向弯曲区域ba的方向上的端部周围的基底100或基底100上方的第一导电层215c会被损坏。然而，根据本实施例的显示装置，因为第一保护膜基体171在第一区域1a中而不在弯曲区域ba中，所以可以有效地防止基底100与第一保护膜基体171的分开或对基底100的损坏。

例如，应力会由于弯曲区域ba中的弯曲而被施加到弯曲区域ba或与弯曲区域ba相邻的第一区域1a。然而，在根据本实施例的显示装置中，第一保护膜基体171中的第一薄壁部分171b(其厚度小于第一厚壁部分171a的厚度)更接近弯曲区域ba。由于第一薄壁部分171b的厚度小于第一厚壁部分171a的厚度，所以第一薄壁部分171b具有相对低的强度和更大的柔性。因此，由于第一薄壁部分171b与弯曲区域ba相邻，所以可以减少或防止第一保护膜基体171与基底100的分开或对基底100的损坏。

图4是示出了显示装置的一部分的示意性剖视图。在图4中，第一保护膜基体171不仅可以位于第一区域1a中，而且可以部分地位于弯曲区域ba中。这可以是有意的或者可以是保护膜pf和基底100未对齐的结果。然而，根据本实施例，第一保护膜基体171的其厚度小于第一厚壁部分171a的厚度的第一薄壁部分171b与弯曲区域ba的中心相邻。因此，即使第一保护膜基体171的一部分在弯曲区域ba中，也是第一薄壁部分171b而不是第一厚壁部分171a位于弯曲区域ba中。

如上所述，由于第一薄壁部分171b的厚度小于第一厚壁部分171a的厚度，所以第一薄壁部分171b具有比第一厚壁部分171a的强度低的强度和比第一厚壁部分171a的柔性大的柔性。因此，即使第一保护膜基体171部分地位于弯曲区域ba中，也是第一薄壁部分171b位于弯曲区域ba中。因此，可以有效地减少或防止第一保护膜基体171与基底100的分开或对基底100的损坏。另外，由于包括psa的第一粘合层181比第一保护膜基体171相对更加柔性，所以可以经由第一粘合层181来减小应力。

在图2至图4中，第一厚壁部分171a和第一薄壁部分171b彼此分隔开。在其它实施例中，例如，如图5和图6中所示，第一厚壁部分171a和第一薄壁部分171b可以彼此接触和/或一体地形成。

在图5和图6中，第一保护膜基体171在第一区域1a中，而不在弯曲区域ba中。因此，可以有效地减少或防止第一保护膜基体171与基底100的分开或对基底100的损坏。另外，由于具有相对低的强度且更加柔性的第一薄壁部分171b比第一厚壁部分171a接近弯曲区域ba，因此可以有效地减少或防止第一保护膜基体171与基底100的分开和对基底100的损坏。

图7示出了根据另一个实施例的显示装置的一部分的示意性剖视图。在图7中，第一保护膜基体171(其包括相接触的或一体地形成的第一厚壁部分171a和第一薄壁部分171b)不仅可以在第一区域1a中，而且可以部分地在弯曲区域ba中。这可以是有意的或者可以是保护膜pf和基底100未对齐的结果。

根据本实施例，在第一保护膜基体171中，第一薄壁部分171b(其厚度小于第一厚壁部分171a的厚度)比具有足够厚度的第一厚壁部分171a接近弯曲区域ba的中心。因此，即使第一保护膜基体171的一部分在弯曲区域ba中，也是第一薄壁部分171b而不是第一厚壁部分171a位于弯曲区域ba中。因此，由于具有相对低的强度的且更加柔性的第一薄壁部分171b的一部分位于弯曲区域ba中，所以可以有效地减少或防止第一保护膜基体171与基底100的分开或对基底100的损坏。另外，由于包括psa的第一粘合层181比第一保护膜基体171更加柔性，因此可以通过第一粘合层181减小应力。

图8示出了根据另一个实施例的显示装置的一部分的剖视图，图9示出了图8的显示装置的所述部分的另一个剖视图。该实施例的显示装置与图2和图3中的显示装置的不同之处在于：除了第一保护膜基体171和第一粘合层181之外，保护膜pf还包括第二保护膜基体172和第二粘合层182。

第二保护膜基体172与第一保护膜基体171分隔开，位于基底100的下表面上方，并且对应于第二区域2a的至少一部分。第二粘合层182位于基底100和第二保护膜基体172之间，以将第二保护膜基体172固定到基底100上。如上所述，由于保护膜pf包括第二保护膜基体172和第二粘合层182，所以保护膜pf可以保护基底100的下表面上的更多部分。

在图8中，保护膜pf的第一保护膜基体171和第二保护膜基体172之间的间隔距离等于有机材料层160的不平坦表面160a的宽度uew。在另一个实施例中，间隔距离可以具有不同的量。

与第一保护膜基体171不同，第二保护膜基体172可以具有如图8和图9中的恒定厚度。这是因为第二保护膜基体172在第二区域2a中，即在基底100的没有遭受损坏的导电层或者只有少量导电层的边缘中。

这在其它实施例中可以不同，例如，如图10和图11的实施例中所示。在图10和图11中，与第一保护膜基体171相似，第二保护膜基体172包括具有第三厚度的第二厚壁部分172a以及比第二厚壁部分172a接近弯曲区域ba并具有小于第三厚度的第四厚度的第二薄壁部分172b。另外，第二保护膜基体172可以在第二区域2a中。第二粘合层182位于第二保护膜基体172与基底100之间。因此，第二粘合层182的对应于第二薄壁部分172b的部分可以比对应于第二厚壁部分172a的部分厚。

与第一保护膜基体171一样，保护膜pf的第二保护膜基体172可以具有其自身的强度。因此，如果第二保护膜基体172具有低的柔性，那么当基底100弯曲时，第二保护膜基体172会与基底100分开。否则，由于第二保护膜基体172的强度，会在第二保护膜基体172的朝向弯曲区域ba的方向上的端部周围损坏基底100或基底100上方的第一导电层215c。然而，在根据实施例的显示装置中，第二保护膜基体172位于第二区域2a中，而不是位于弯曲区域ba中。因此，可以有效地减少或防止第二保护膜基体172与基底100的分开或对基底100的损坏。

由于弯曲区域ba中的弯曲，应力会被施加到弯曲区域ba或者第二区域2a的与弯曲区域ba相邻的部分。然而，根据本实施例，第二保护膜基体172中的第二薄壁部分172b比具有足够厚度的第二厚壁部分172a接近弯曲区域ba。由于第二薄壁部分172b的厚度小于第二厚壁部分172a的厚度，所以第二薄壁部分172b具有相对低的强度且更加柔性。因此，因为第二薄壁部分172b与弯曲区域ba相邻，所以可以有效地减少或防止第二保护膜基体172与基底100的分开或对基底100的损坏。

图12示出了显示装置的一部分的示意性剖视图。在图12中，第一保护膜基体171不仅可以位于第一区域1a中，第二保护膜基体172不仅可以位于第二区域2a中，而且第一保护膜基体171和/或第二保护膜基体172可以部分地位于弯曲区域ba中。这可以是有意的或者可以是保护膜pf和基底100未对齐的结果。

然而，根据本实施例，第一保护膜基体171中的第一薄壁部分171b可以比具有足够厚度的第一厚壁部分171a接近弯曲区域ba的中心。另外，第二保护膜基体172中的第二薄壁部分172b比具有足够厚度的第二厚壁部分172a接近弯曲区域ba的中心。因此，即使第一保护膜基体171和/或第二保护膜基体172部分地位于弯曲区域ba中，也是第一薄壁部分171b而不是第一厚壁部分171a，或者是第二薄壁部分172b而不是第二厚壁部分172a，可以在弯曲区域ba中。

由于第一薄壁部分171b比第一厚壁部分171a薄，且第二薄壁部分172b比第二厚壁部分172a薄，所以第一薄壁部分171b和第二薄壁部分172b具有相对低的强度且更加柔性。因此，即使第一保护膜基体171和/或第二保护膜基体172部分地位于弯曲区域ba中，也是第一薄壁部分171b和/或第二薄壁部分172b位于弯曲区域ba中。因此，可以有效地减少或防止第一保护膜基体171和/或第二保护膜基体172与基底100的分开或对基底100的损坏。另外，由于包括psa的第一粘合层181或第二粘合层182比第一保护膜基体171或第二保护膜基体172相对更加柔性，所以可以通过第一粘合层181或第二粘合层182来减小应力。

图13示出了根据另一个实施例的显示装置的一部分的剖视图，图14示出了图13的显示装置的一部分的剖视图。该实施例的显示装置与图5和图6中的显示装置的不同之处在于：除了第一保护膜基体171和第一粘合层181之外，保护膜pf还包括第二保护膜基体172和第二粘合层182。

第二保护膜基体172与第一保护膜基体171分隔开，并且位于基底100的下表面上方，以对应于第二区域2a的至少一部分。第二粘合层182位于基底100与第二保护膜基体172之间，以将第二保护膜基体172固定到基底100上。如上所述，当保护膜pf包括第二保护膜基体172和第二粘合层182时，可以保护基底100的下表面的更多部分。

与第一保护膜基体171不同，第二保护膜基体172可以具有如图13和图14中示出的恒定厚度。这是因为第二保护膜基体172在作为基底100的边缘的第二区域2a中，在第二区域2a中没有会被损坏的导电层或仅有少量导电层。

图15示出了根据另一个实施例的显示装置的一部分的剖视图，图16示出了图15的显示装置的一部分的剖视图。在图15和图16中，与第一保护膜基体171相似，第二保护膜基体172可以包括具有第三厚度的第二厚壁部分172a以及比第二厚壁部分172a接近弯曲区域ba且具有小于第三厚度的第四厚度的第二薄壁部分172b。第二厚壁部分172a和第二薄壁部分172b可以彼此接触或一体地形成。

与第一保护膜基体171一样，保护膜pf的第二保护膜基体172可以具有其自身的强度。因此，如果第二保护膜基体172具有低的柔性，那么当基底100弯曲时，第二保护膜基体172会与基底100分开。否则，由于第二保护膜基体172的强度，会在第二保护膜基体172的朝向弯曲区域ba的方向上的端部周围损坏基底100或基底100上方的第一导电层215c。

然而，在本实施例中，第二保护膜基体172在第二区域2a中，而不在弯曲区域ba中。因此，可以有效地减少或防止第二保护膜基体172与基底100的分开或对基底100的损坏。

由于弯曲区域ba的弯曲，应力会被施加到弯曲区域ba或第二区域2a的与弯曲区域ba相邻的部分。然而，根据本实施例，第二保护膜基体172中的第二薄壁部分172b比第二厚壁部分172a接近弯曲区域ba，其中，第二薄壁部分172b比第二厚壁部分172a薄。由于第二薄壁部分172b比第二厚壁部分172a薄，所以第二薄壁部分172b具有比第二厚壁部分172a的强度相对低的强度并且比第二厚壁部分172a更加柔性。因此，由于第二薄壁部分172b更接近弯曲区域ba，因此可以有效地减少或防止第二保护膜基体172与基底100的分开或对基底100的损坏。

图17示出了根据另一个实施例的显示装置的一部分的剖视图。在图17中，第一保护膜基体171不仅可以位于第一区域1a中，第二保护膜基体172不仅可以位于第二区域2a中，而且第一保护膜基体171和/或第二保护膜基体172可以部分地位于弯曲区域ba中。这可以是有意的或者可以是保护膜pf和基底100之间未对齐的结果。

然而，根据本实施例，第一保护膜基体171中的第一薄壁部分171b比第一厚壁部分171a接近弯曲区域ba的中心，其中第一薄壁部分171b比第一厚壁部分171a薄。另外，第二保护膜基体172中的第二薄壁部分172b比第二厚壁部分172a接近弯曲区域ba的中心，其中第二薄壁部分172b比第二厚壁部分172a薄。因此，即使第一保护膜基体171和/或第二保护膜基体172部分地位于弯曲区域ba中，也是第一薄壁部分171b而不是第一厚壁部分171a，或者是第二薄壁部分172b而不是第二厚壁部分172a，可以位于弯曲区域ba中。

由于第一薄壁部分171b比第一厚壁部分171a薄，并且第二薄壁部分172b比第二厚壁部分172a薄，所以第一薄壁部分171b和第二薄壁部分172b具有比第一厚壁部分171a和第二厚壁部分172a相对低的强度并且比第一厚壁部分171a和第二厚壁部分172a更加柔性。因此，即使第一保护膜基体171和/或第二保护膜基体172部分地位于弯曲区域ba中，也是第一薄壁部分171b和/或第二薄壁部分172b可以位于弯曲区域ba中。因此，可以有效地减少或防止第一保护膜基体171和/或第二保护膜基体172与基底100的分开或对基底100的损坏。

另外，包括psa的第一粘合层181或第二粘合层182比第一保护膜基体171或第二保护膜基体172更加柔性。因此，可以通过第一粘合层181和第二粘合层182来减小应力。

在一个或更多个先前的实施例中，当第一保护膜基体171包括第一厚壁部分171a和第一薄壁部分171b并且第一厚壁部分171a和第一薄壁部分171b相接触或一体地形成时，第一保护膜基体171的厚度在第一厚壁部分171a和第一薄壁部分171b之间不连续地变化。另外，当第二保护膜基体172包括第二厚壁部分172a和第二薄壁部分172b并且第二厚壁部分172a和第二薄壁部分172b相接触或一体地形成时，第二保护膜基体172的厚度在第二厚壁部分172a与第二薄壁部分172b之间不连续地变化。这在其它实施例中可以不同。

图18示出了根据另一个实施例的显示装置的一部分的剖视图，图19示出了弯曲的显示装置的一部分的剖视图。在图18和图19中，第一保护膜基体171可以包括第一厚壁部分171a和第一薄壁部分171b，以及在朝向弯曲区域ba的方向上的边缘处具有朝向弯曲区域ba减小的厚度的第一锥形部分。

在第一锥形部分中，从第一保护膜基体171在基底100方向上的上表面到基底100的下表面的距离可以朝向弯曲区域ba的中心部分增大。因此，在第一粘合层181的与第一锥形部分对应的部分中，从第一粘合层181的朝向第一保护膜基体171的方向上的下表面到基底100的下表面的距离可以朝向弯曲区域ba的中心部分增大。另外，在第一锥形部分中，从第一保护膜基体171的下表面到基底100的下表面的距离朝向弯曲区域ba的中心部分可以是恒定的。

在一个实施例中，第一保护膜基体171可以在第一区域1a中，而不在弯曲区域ba中。因此，可以减少或防止第一保护膜基体171与基底100的分开或对基底100的损坏。另外，由于第一保护膜基体171包括具有根据朝向弯曲区域ba减小的厚度而减小的强度的第一锥形部分，所以第一保护膜基体171变得更加柔性。因此，可以有效地减少或防止第一保护膜基体171与基底100的分开或对基底100的损坏。

图20示出了根据另一个实施例的显示装置的一部分的剖视图。在图20中，第一保护膜基体171的第一锥形部分不仅可以位于第一区域1a中，而且可以部分地位于弯曲区域ba中。这可以是有意的或者可以是保护膜pf和基底100之间未对齐的结果。

然而，即使第一锥形部分部分地位于弯曲区域ba中，第一锥形部分也具有朝向弯曲区域ba而减小的厚度，并且具有根据厚度而降低的强度。因此，第一锥形部分朝向弯曲区域ba变得更加柔性。因此，可以有效地减少或防止第一保护膜基体171与基底100的分开或对基底100的损坏。另外，由于包括psa的第一粘合层181比第一保护膜基体171更加柔性，所以可以通过第一粘合层181来减小应力。

图21示出了根据另一个实施例的显示装置的一部分的剖视图，图22示出了图21中的显示装置的一部分的剖视图。根据该实施例的显示装置与图18和图19中的显示装置的不同之处在于：除了第一保护膜基体171和第一粘合层181之外，保护膜pf还包括第二保护膜基体172和第二粘合层182。

第二保护膜基体172与第一保护膜基体171分隔开，并且位于基底100的下表面上方以对应于第二区域2a的至少一部分。第二粘合层182位于基底100和第二保护膜基体172之间，以将第二保护膜基体172固定到基底100上。如上所述，当保护膜pf包括第二保护膜基体172和第二粘合层182时，可以保护基底100的下表面上的更多部分。

与第一保护膜基体171不同，第二保护膜基体172可以具有如图21和图22中的恒定厚度。这是因为第二保护膜基体172在第二区域2a中，即在基底100的在第二区域2a中没有会被损坏的导电层或者仅存在少量导电层的边缘中。

图23示出了根据另一个实施例的显示装置的一部分的剖视图，图24示出了图23中的显示装置的一部分的剖视图。在图23和图24中，与第一保护膜基体171相似，第二保护膜基体172可以包括第二厚壁部分172a、第二薄壁部分172b以及具有朝向弯曲区域ba减小的厚度的第二锥形部分。第二保护膜基体172可以在第二区域2a中。

在第二锥形部分中，从第二保护膜基体172在朝向基底100的方向上的上表面到基底100的下表面的距离可以朝向弯曲区域ba的中心部分增大。因此，在第二粘合层182的与第二锥形部分对应的部分中，从第二粘合层182在朝向第二保护膜基体172的方向上的下表面到基底100的下表面的距离可以朝向弯曲区域ba的中心部分增大。另外，在第二锥形部分中，从第二保护膜基体172的下表面到基底100的下表面的距离朝向弯曲区域ba的中心部分可以是恒定的。

与第一保护膜基体171一样，保护膜pf的第二保护膜基体172可以具有其自身的强度。因此，如果第二保护膜基体172具有低的柔性，那么当基底100弯曲时，第二保护膜基体172会与基底100分开。否则，由于第二保护膜基体172的强度，会在第二保护膜基体172的朝向弯曲区域ba的方向上的端部周围损坏基底100或基底100上方的第一导电层215c。

然而，在本实施例中，第二保护膜基体172在第二区域2a中，而不在弯曲区域ba中。因此，可以有效地减少或防止第二保护膜基体172与基底100的分开或对基底100的损坏。

具体地，由于在弯曲区域ba处的弯曲，应力会被施加到弯曲区域ba或与弯曲区域ba相邻的第二区域2a。然而，在本实施例中，第二保护膜基体172包括具有朝向弯曲区域ba而减小的厚度的第二锥形部分和降低的强度，因此第二保护膜基体172变得更加柔性。结果，可以有效地减少或防止第二保护膜基体172与基底100的分开或对基底100的损坏。

图25示出了根据另一个实施例的显示装置的一部分的剖视图。在图25中，第一保护膜基体171不仅可以位于第一区域1a中，第二保护膜基体172不仅可以位于第二区域2a中，而且第一保护膜基体171和/或第二保护膜基体172可以部分地位于弯曲区域ba中。这可以是有意的或者可以是保护膜pf和基底100之间未对齐的结果。

然而，即使第一锥形部分和/或第二锥形部分部分地位于弯曲区域ba中，第一锥形部分和第二锥形部分中的每个也具有朝向弯曲区域ba而减小的厚度，并且具有根据厚度而降低的强度。因此，第一锥形部分或第二锥形部分朝向弯曲区域ba变得更加柔性。因此，可以有效地减少或防止第一保护膜基体171和/或第二保护膜基体172与基底100的分开或对基底100的损坏。另外，由于包括psa的第一粘合层181或第二粘合层182比第一保护膜基体171或第二保护膜基体172更具柔性，所以也可以通过第一粘合层181或第二粘合层182来减小应力。

另外，在图2和用于描述前述实施例的其它附图中，显示装置的无机绝缘层包括对应于弯曲区域ba的开口。

在其它实施例中，无机绝缘层可以不包括在对应于弯曲区域ba的部分中完全穿透其的开口，而是可以包括位于与弯曲区域ba对应的部分中的凹槽。例如，缓冲层110可以遍及第一区域1a、弯曲区域ba和第二区域2a连续地形成。

另外，栅极绝缘层120可以包括对应于弯曲区域ba的开口120a。层间绝缘层130也可以包括对应于弯曲区域ba的开口130a。因此，包括缓冲层110、栅极绝缘层120和层间绝缘层130的无机绝缘层可以被理解为具有对应于弯曲区域ba的凹槽。然而，无机绝缘层可以包括各种类型的凹槽。例如，可以部分地去除缓冲层110的上表面(在+z方向上)，而可以不去除栅极绝缘层120的下表面(在-z方向上)。

在凹槽与弯曲区域ba叠置的意义上，凹槽可以对应于弯曲区域ba。凹槽的面积可以大于弯曲区域ba的面积。凹槽的面积可以被限定为在栅极绝缘层120的开口120a与层间绝缘层130的开口130a之间具有最小面积的一个的面积。如上所述，当无机绝缘层包括凹槽时，有机材料层160可以至少部分地填充凹槽。另外，第一导电层215c在形成有有机材料层160的区域内位于有机材料层160上。

与无机绝缘层包括开口的情况相关的以上描述可以适用于无机绝缘层包括凹槽的情况。例如，有机材料层160可以覆盖凹槽的内侧表面。另外，有机材料层160可以包括在凹槽内至少部分地位于有机材料层160的上表面中的不平坦表面160a。另外，在弯曲区域ba中，有机材料层160的不平坦表面160a的面积可以大于弯曲区域ba的面积，但是可以小于凹槽的面积。保护膜pf的结构或特性可以适用于根据这些实施例的显示装置。

图26示出了根据另一个实施例的显示装置的一部分的剖视图。在图26中，可以遍及第一区域1a、弯曲区域ba和第二区域2a连续地设置缓冲层110、栅极绝缘层120和层间绝缘层130。另外，有机材料层160位于基底100(例如，层间绝缘层130)的上方，并且可以在至少对应于弯曲区域ba的上表面中具有不平坦表面160a。根据前面描述的实施例的保护膜pf的结构和特性可以适用于本实施例。

图27示出了根据另一个实施例的显示装置的一部分的剖视图。在图27中，根据前面描述的实施例的保护膜pf的结构和特性可以适用于有机材料层160在其上表面中不包括不平坦表面160a的情况。另外，根据前面描述的实施例的保护膜pf的结构和特性可以适用于不设置有机材料层160的情况。

根据一个或更多个实施例，可以减少与用于制造显示装置的工艺对应的缺陷率。

在此已经公开了示例实施例，虽然采用了特定术语，但是特定术语只是以一般的和描述性的意义来使用和解释，而不是出于限制目的。在一些情形下，如到本申请的提交为止本领域技术人员将清楚的是，除非另外指出，否则结合具体实施例描述的特征、特性和/或元件可以单独使用或者与结合其它实施例描述的特征、特性和/或元件组合使用。因此，本领域的技术人员将理解的是，在不脱离权利要求中阐述的实施例的情况下，可以做出形式上和细节上的各种改变。