1.一种多层元件的边缘结构，所述多层元件包括叠层的多层单元层，该边缘结构包括：
第一阶梯结构，位于所述多层元件的须形成接触窗的第一方向，包括这些单元层的第一方向的第一边缘部，这些第一边缘部的边界随层级升高而逐渐内缩，且由最低单元层的第一边缘部的边界至最高单元层的第一边缘部的边界的仰角为第一角度；以及
第二阶梯结构，包括这些单元层的第二方向的第二边缘部，这些第二边缘部的边界位置随层级升高的变化不规则，且由最低单元层的第二边缘部的边界至最高单元层的第二边缘部的边界的仰角为第二角度，所述第二角度大于所述第一角度。
2.根据权利要求1所述的多层元件的边缘结构，其中第一角度介于6°与12°之间，且第二角度介于20°与60°之间。
3.根据权利要求1或2所述的多层元件的边缘结构，其中所述第一方向为X方向且所述第二方向为Y方向，或者所述第一方向为Y方向且所述第二方向为X方向。
4.根据权利要求1或2所述的多层元件的边缘结构，其中每一单元层包括第一材料层及第二材料层，且这些单元层中的这些第一材料层与这些第二材料层交替叠层。
5.根据权利要求4所述的多层元件的边缘结构，其中第一材料层包括氮化硅层，第二材料层包括氧化硅层。
6.根据权利要求4所述的多层元件的边缘结构，其中第一材料层包括导体层，第二材料层包括绝缘层。
7.一种多层元件的边缘结构的制造方法，包括：
形成包含多层单元层的叠层；
多次掩模层形成步骤，各自于该叠层上形成一掩模层；以及
于每一掩模层形成的后，交替进行多次刻蚀步骤及至少一次掩模层削减步骤，其中每一次刻蚀步骤移除该掩模层所暴露出的一层单元层，其中，
在所述多层元件的将形成接触窗的第一方向上，未削减的任一掩模层的边界比经最后一次削减的前一掩模层的边界内缩，且
在第二方向上，未经削减的任一掩模层的边界至少超出经最后一次削减的前一掩模层的边界，且最先形成的掩模层的边界与多层元件之间的距离小于在第一方向上所述最先形成的掩模层的边界与多层元件之间的距离。
8.根据权利要求7所述的多层元件的边缘结构的制造方法，其中未经削减的任一掩模层的第二方向的边界预设为对齐未经削减的前一掩模层的第二方向的边界。
9.根据权利要求7所述的多层元件的边缘结构的制造方法，其中每一单元层包括第一材料层及第二材料层，且这些单元层中的这些第一材料层与这些第二材料层交替叠层。
10.根据权利要求9所述的多层元件的边缘结构的制造方法，其中在每一单元层中第二材料层位于第一材料层之上，且移除暴露出的一层单元层的方法包括：
移除暴露出的一层第二材料层，其以下方相邻的一层第一材料层为刻蚀中止层；以及
移除先前作为刻蚀中止层的一层第一材料层，其以下方相邻的一层第二材料层为刻蚀中止层。