内层板制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及线路板的生产技术领域，特别是内层板制作方法。
【背景技术】
[0002]内层板生产是制作印制电路板的关键，它的步骤主要包括前处理、涂布、曝光、蚀亥IJ、退膜等，现有的内层板的处理所得到的内层板良率为90%左右，对于生产印制电路板的厂家来说，90%的良率已经达到了瓶颈状态，很难再将内层板的生产良率进一步提升。
【发明内容】
[0003]本发明的目的在于克服现有技术的缺点，提供一种可提升内层板良率的内层板制作方法，通过采用中粗化、曝光、显影以及蚀刻参数进行调整，可将一次良率由90%提升至98%。
[0004]本发明的目的通过以下技术方案来实现:内层板制作方法，包括以下步骤:
51、前处理:将基板采用磨板机磨板，然后过中粗化，速度在1.4?1.6m/min之间；
52、咬蚀:将基板放在咬蚀药水中进行咬蚀，咬蚀速率为1.0?1.4 μ m/pass ；
53、涂布:在咬蚀后的基板表面涂布一层厚度为10?12μm的油墨，再送入烘板机内，在72?78°C的温度环境下烘烤9?llmin，取出后冷却至室温；
54、曝光:将曝光能力调至6?7格，将步骤S3得到的基板放入该曝光机内，进行曝光，曝光10?15min，取出基板，静置15?30min ；
55、显影:将没有曝光的部分用显影药水除去，其中，显影速度:4.0?4.4m/min,显影的温度26?32°C，显影上下压力按；1.0?2.0kg/cm2进行控制，水洗压力:1.0?2.0kg/cm2，得到所需电路图形；
56、蚀刻:控制蚀刻槽内温度为45?55°C，蚀刻液各组成浓度为:铜离子为130?140g/L，氯离子为170?180g/L，对线路板进行蚀刻；
57、退膜:将线路板表面的保护铜面的抗蚀层进行退膜，退膜速度为1.8?2.2m/min，最终得到有线路图形的线路板。
[0005]所述步骤SI中，咬蚀药水为中粗化安定剂。
[0006]所述的步骤S5中，显影药水浓度按1.0%进行控制，按显影点55%进行调节速度。
[0007]本发明具有以下优点:
1、通过采用中粗化、曝光、显影以及蚀刻参数进行调整，可将一次良率由90%提升至
98%。
【具体实施方式】
[0008]下面结合实施例对本发明做进一步的描述，但本发明的保护范围不局限于以下所述。
[0009]【实施例1】: 内层板制作方法，包括以下步骤:
51、前处理:将基板采用磨板机磨板，然后过中粗化，速度为1.4m/min ;
52、咬蚀:将基板放在咬蚀药水中进行咬蚀，咬蚀速率为1.4 μ m/pass ；
53、涂布:在咬蚀后的基板表面涂布一层厚度为1ym的油墨，再送入烘板机内，在72°C的温度环境下烘烤llmin，取出后冷却至室温；
54、曝光:将曝光能力调至7格，将步骤S3得到的基板放入该曝光机内，进行曝光，曝光15min，取出基板，静置30min ；
55、显影:将没有曝光的部分用显影药水除去，其中，显影速度:4.4m/min，显影的温度32°C，显影上下压力按1.0kg/cm2进行控制，水洗压力为1.0kg/cm2，得到所需电路图形；
56、蚀刻:控制蚀刻槽内温度为45°C，蚀刻液各组成浓度为:铜离子为130g/L，氯离子为170g/L，对线路板进行蚀刻；
57、退膜:将线路板表面的保护铜面的抗蚀层进行退膜，退膜速度为1.8m/min，最终得到有线路图形的线路板。
[0010]所述步骤SI中，咬蚀药水为中粗化安定剂。
[0011]所述的步骤S5中，显影药水浓度按1.0%进行控制，按显影点55%进行调节速度。
[0012]【实施例2】:
内层板制作方法，包括以下步骤:
51、前处理:将基板采用磨板机磨板，然后过中粗化，速度为1.5m/min ;
52、咬蚀:将基板放在咬蚀药水中进行咬蚀，咬蚀速率为1.2 μ m/pass ;
S 3、涂布:在咬蚀后的基板表面涂布一层厚度为11 μ m的油墨，再送入烘板机内，在75°C的温度环境下烘烤lOmin，取出后冷却至室温；
54、曝光:将曝光能力调至7格，将步骤S3得到的基板放入该曝光机内，进行曝光，曝光13min，取出基板，静置23min ；
55、显影:将没有曝光的部分用显影药水除去，其中，显影速度:4.2m/min，显影的温度29°C，显影上下压力按1.5kg/cm2进行控制，水洗压力:1.5kg/cm2，得到所需电路图形；
56、蚀刻:控制蚀刻槽内温度为50°C，蚀刻液各组成浓度为:铜离子为135g/L，氯离子为175g/L，对线路板进行蚀刻；
57、退膜:将线路板表面的保护铜面的抗蚀层进行退膜，退膜速度为2.0m/min，最终得到有线路图形的线路板。
[0013]所述步骤SI中，咬蚀药水为中粗化安定剂。
[0014]所述的步骤S5中，显影药水浓度按1.0%进行控制，按显影点55%进行调节速度。
[0015]【实施例3】:
内层板制作方法，包括以下步骤:
51、前处理:将基板采用磨板机磨板，然后过中粗化，速度为1.46m/min ;
52、咬蚀:将基板放在咬蚀药水中进行咬蚀，咬蚀速率为1.3 μ m/pass ;
S 3、涂布:在咬蚀后的基板表面涂布一层厚度为11 μ m的油墨，再送入烘板机内，在76°C的温度环境下烘烤10.5min，取出后冷却至室温；
S4、曝光:将曝光能力调至6格，将步骤S3得到的基板放入该曝光机内，进行曝光，曝光12min，取出基板，静置20min ； 55、显影:将没有曝光的部分用显影药水除去，其中，显影速度:4.3m/min,显影的温度30°C，显影上下压力按1.4kg/cm2进行控制，水洗压力:1.6kg/cm2，得到所需电路图形；
56、蚀刻:控制蚀刻槽内温度为48°C，蚀刻液各组成浓度为:铜离子为136g/L，氯离子为178g/L，对线路板进行蚀刻；
57、退膜:将线路板表面的保护铜面的抗蚀层进行退膜，退膜速度为1.9m/min，最终得到有线路图形的线路板。
[0016]所述步骤SI中，咬蚀药水为中粗化安定剂。
[0017]所述的步骤S5中，显影药水浓度按1.0%进行控制，按显影点55%进行调节速度。
[0018]【实施例4】:
内层板制作方法，包括以下步骤:
51、前处理:将基板采用磨板机磨板，然后过中粗化，速度为1.6m/min ;
52、咬蚀:将基板放在咬蚀药水中进行咬蚀，咬蚀速率为1.0 μ m/pass ；
53、涂布:在咬蚀后的基板表面涂布一层厚度为10?12μm的油墨，再送入烘板机内，在78°C的温度环境下烘烤9min，取出后冷却至室温；
54、曝光:将曝光能力调至6格，将步骤S3得到的基板放入该曝光机内，进行曝光，曝光lOmin，取出基板，静置15min ；
55、显影:将没有曝光的部分用显影药水除去，其中，显影速度:4.0m/min，显影的温度26°C，显影上下压力按2.0kg/cm2进行控制，水洗压力:2.0kg/cm2，得到所需电路图形；
56、蚀刻:控制蚀刻槽内温度为45?55°C，蚀刻液各组成浓度为:铜离子为140g/L，氯离子为180g/L，对线路板进行蚀刻；
57、退膜:将线路板表面的保护铜面的抗蚀层进行退膜，退膜速度为2.2m/min，最终得到有线路图形的线路板。
[0019]所述步骤SI中，咬蚀药水为中粗化安定剂。
[0020]所述的步骤S5中，显影药水浓度按1.0%进行控制，按显影点55%进行调节速度。
【主权项】
1.内层板制作方法，其特征在于:包括以下步骤: 51、前处理:将基板采用磨板机磨板，然后过中粗化，速度在1.4?1.6m/min之间； 52、咬蚀:将基板放在咬蚀药水中进行咬蚀，咬蚀速率为1.0?1.4 μ m/pass ； 53、涂布:在咬蚀后的基板表面涂布一层厚度为10?12μm的油墨，再送入烘板机内，在72?78°C的温度环境下烘烤9?llmin，取出后冷却至室温； 54、曝光:将曝光能力调至6?7格，将步骤S3得到的基板放入该曝光机内，进行曝光，曝光10?15min，取出基板，静置15?30min ； 55、显影:将没有曝光的部分用显影药水除去，其中，显影速度:4.0?4.4m/min,显影的温度26?32°C，显影上下压力按；1.0?2.0kg/cm2进行控制，水洗压力:1.0?2.0kg/cm2，得到所需电路图形； 56、蚀刻:控制蚀刻槽内温度为45?55°C，蚀刻液各组成浓度为:铜离子为130?140g/L，氯离子为170?180g/L，对线路板进行蚀刻； 57、退膜:将线路板表面的保护铜面的抗蚀层进行退膜，退膜速度为1.8?2.2m/min，最终得到有线路图形的线路板。2.根据权利要求1所述的内层板制作方法，其特征在于:所述步骤S1中，咬蚀药水为中粗化安定剂。3.根据权利要求1所述的内层板制作方法，其特征在于:所述的步骤S5中，显影药水浓度按1.0%进行控制，按显影点55%进行调节速度。
【专利摘要】本发明涉及内层板制作方法，包括以下步骤：S1、前处理：将基板采用磨板机磨板，然后过中粗化；S2、咬蚀：将基板放在咬蚀药水中进行咬蚀；S3、涂布：在咬蚀后的基板表面涂布一层油墨，再送入烘板机内烘烤，取出后冷却至室温；S4、曝光：将步骤S3得到的基板放入该曝光机内，进行曝光，取出基板，静置；S5、显影：将没有曝光的部分用显影药水除去，得到所需电路图形；S6、蚀刻：蚀刻液各组成浓度为：铜离子为130～140g/L，氯离子为170～180g/L，对线路板进行蚀刻；S7、退膜：将线路板表面的保护铜面的抗蚀层进行退膜，最终得到有线路图形的线路板。本发明的优点在于：通过采用中粗化、曝光、显影以及蚀刻参数进行调整，可将一次良率由90%提升至98%。
【IPC分类】H05K3/06
【公开号】CN105263270
【申请号】CN201510754401
【发明人】刘庆辉
【申请人】四川普瑞森电子有限公司
【公开日】2016年1月20日
【申请日】2015年11月9日