技术特征：
技术总结
本发明涉及一种半导体器件及其制造方法和电子装置。所述半导体器件包括：第一晶圆，在所述第一晶圆中形成有接合凹槽，在所述接合凹槽的表面形成有接合材料层；第二晶圆，在所述第二晶圆上形成有金属柱，其中所述金属柱嵌入并填充所述接合凹槽。通过设置嵌入式的铆柱类型的金属柱可以防止第二晶圆碎裂，并且在经过高温工艺和长时间的压力之后也不会使电路断开，从而使器件的性能和良率提高。
技术研发人员：董燕;张冠
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
技术研发日：2017.04.18
技术公布日：2018.11.02