技术特征：
技术总结
本发明公开了一种InAs/AlSb HEMT及MOS‑HEMT器件的制备方法，主要用来降低器件的导通电阻及栅极漏电的问题。本发明提供的InAs/AlSb HEMT器件的制备方法，包括以下工艺步骤：1)外延材料生长；2)台面隔离；3)制备欧姆接触；4)制备肖特基栅接触；5)Pad淀积；6)钝化。本发明提供的InAs/AlSb MOS‑HEMT器件的制备方法，包括以下工艺步骤：1)外延材料生长；2)台面隔离；3)制备欧姆接触；4)制备绝缘栅极；5)Pad淀积；6)钝化。本发明省去了栅槽刻蚀步骤，降低了栅极电流泄露，同时降低了器件的导通电阻。
技术研发人员：吕红亮;张静;杨施政;张义门;张玉明
受保护的技术使用者：西安电子科技大学
技术研发日：2017.05.22
技术公布日：2017.09.22