技术特征：
技术总结
本发明公布了一种氮化镓高电子迁移率晶体管栅电极的制作方法：采用步进式曝光机定义栅线条，再采用缩胶工艺将栅线条特征尺寸缩小，随后，在ICP腔体中采用氟基气体刻蚀栅线条开口下的氮化硅介质，刻蚀完成后去除光刻胶，随后匀涂光刻胶曝光得到栅帽线条，经过前处理后进入溅射台溅射金属W，随后取出置入电子束蒸发台淀积Ni/Pt/Au，最后经剥离工艺形成栅电极。本发明所述之方法与传统的采用电子束蒸发金属制作栅电极的方法相比，其优点在于可有效改善栅金属的侧壁填充性，减小器件漏电，提高器件可靠性。
技术研发人员：孔欣
受保护的技术使用者：成都海威华芯科技有限公司
技术研发日：2017.06.14
技术公布日：2017.10.24